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World File Search System通道层
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
母校StudiorumUniversitàdiBologna Archivio ...
摘要 - 在本文中，我们对在长期外国家应力下具有p-gan栅极的gan-on-on-si功率hemt中发生的时间依赖性排水崩溃进行了广泛的研究。尤其是，研究了由高温偏移应力引起的时间依赖性分解，这是不同过程和结构变化的函数。主要结果表明，通过改变门对距离距离（L GD）和场板配置，故障的物理位置也会发生变化。如果L GD相对较短（3 µm），则会通过排水和源之间的GAN通道层发生时间分解。在这种情况下，较薄的GAN层显着改善了长期偏离应力的稳健性。如果L GD相对长（≥4µm），则故障发生在二维电子气体（2DEG）和源场板之间。在第二种情况下，GAN层的厚度和L GD对时间依赖性分解没有显着影响，而可以优化场板长度以减少暴露于高电场的面积，因此限制了故障的可能性。最后，也已经分析了Algan屏障层的作用。如果L GD = 3 µm，则首选较薄的α层，而如果LGD≥4µm，则较低的铝含量的较厚层会增加较长的时间，以使较长的时间在未稳定应力下分解。