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World File Search System金属薄膜
抑制金属界面处的自旋泵浦
导电金属通常会传输或吸收自旋电流。本文报告了将两层金属薄膜连接在一起可以抑制自旋传输和吸收的证据。我们研究了铁磁体/间隔层/铁磁体异质结构中的自旋泵浦，其中间隔层（由金属 Cu 和 Cr 薄膜组成）将铁磁自旋源层和自旋吸收层分隔开。Cu/Cr 间隔层在很大程度上抑制了自旋泵浦，即既不传输也不吸收大量自旋电流，尽管 Cu 或 Cr 单独传输了相当大的自旋电流。Cr 的反铁磁性对于抑制自旋泵浦并不是必不可少的，因为我们观察到 Cu/V 间隔层也有类似的抑制作用，其中 V 是 Cr 的非磁性类似物。我们推测，自旋透明金属的多种组合可能形成抑制自旋泵浦的界面，尽管其潜在机制仍不清楚。我们的工作可能会激发人们对理解和设计金属多层中的自旋传输的新视角。
基于炭黑二甲基乙二肟墨水作为电极改性剂的经济高效的银印刷纸基电极的镍污染分析
摘要 纸基传感器上金属阳离子的电化学检测因其易于制造、一次性使用和成本低廉而被认为是当前光谱和色谱检测技术的一种有吸引力的替代方案。本文设计了一种新型炭黑 (CB)、二甲基乙二肟 (DMG) 墨水作为电极改性剂，与 3 电极喷墨打印纸基体结合使用，用于水样中镍阳离子的吸附溶出伏安电分析。在没有常用的有毒金属薄膜的情况下，所开发的方法提供了一种新颖、低成本、快速且便携的吸附溶出检测方法来进行金属分析。该研究展示了一种在纸基传感器上检测镍的新方法，并通过限制使用有毒金属薄膜，在纸基金属分析领域的先前工作的基础上取得了进展。首次通过增加活性表面积、电子转移动力学和与非导电二甲基乙二肟膜相关的催化效应，提高了器件的灵敏度，并通过电分析进行了确认。首次使用 CB-DMG 墨水可以在电极表面选择性预浓缩分析物，而无需使用有毒的汞或铋金属膜。与类似报道的纸基传感器相比，实现了检测限 (48 µg L -1 )、选择性和金属间干扰的改善。该方法用于检测水样中的镍，远低于世界卫生组织 (WHO) 标准。
改进o 2等离子体蚀刻钻石功率MOSFET制造
为了最大程度地减少或消除沟槽，最好有利于蚀刻过程的化学成分。因此，我们决定继续使用ICP-RIE进行O 2等离子体蚀刻，这是因为在表面形态和各向异性蚀刻方面具有令人鼓舞的结果，因此我们已经研究了血浆参数的影响ICP和偏置功率，尤其是使用两种类型的口罩：铝和硅二氧化物（Sio-dioxide）（Sio 2）。3- O 2在Sentech Si500-Drie设备上进行了用铝面膜钻石蚀刻的等离子体蚀刻。测试样品是（100）方向的单晶CVD钻石底物和元素六的3 x 3 mm 2尺寸。第一步涉及溶剂和酸的化学清洁，以去除可能影响蚀刻和产生粗糙度的污染物。然后将钻石底物涂在光线器上，并用激光光刻降低，以定义掩模图案。然后通过热蒸发沉积700 nm厚的铝面膜。金属薄膜，例如铝，由于其在钻石上的良好粘附性[24]及其良好的蚀刻选择性[25]，因此将其用作单晶钻石蚀刻的硬面膜材料。此外，由于血浆中的寿命不足，尤其是在氧气中，因此与光致剂相比，金属面膜仍然是更好的选择。3.1 o 2等离子蚀刻的p icp = 500W和p偏见= 5W我们研究的第一个蚀刻条件是：p icp = 500 w，p sial = 5 w，压力= 5吨，气体流量= 25 sccm，温度= 18°C。每个蚀刻步骤都限制为30
10A.5单向保险覆盖范围的蒸发升降机
关键字：通量角，蒸发，步骤覆盖，形成膜增长抽象典型蒸发过程始于10e-7 Torr范围。在这种高真空状态下，由于较长的平均自由路径，蒸发过程具有视线特征。设计用于升降机过程的蒸发器采用晶圆圆顶，其球形半径与源位置相匹配。与产生逆行角或底切轮廓的光刻过程相结合，该组合可以使清洁的金属升降机脱离。但是，相同的视线属性促进了金属提升的效果，从而导致了非保形步骤覆盖范围。使用常规的蒸发方法，共形步骤覆盖范围会导致升空难度。在这项工作中，我们将讨论雷神RFC最近开发的技术，该技术与标准升降机蒸发器相比提供了单向步骤覆盖优势。通过使用振荡晶圆运动，蒸发通量可以达到通常因膜增长而遮蔽的特征，从而改善台阶覆盖范围。此方法适用于希望在一个方向上的共形覆盖范围的应用。i ntrodruction金属化是通过大量蒸发的，然后是升降机以去除不需要的金属。电子束蒸发是一个简单有效的金属化过程。由于该过程通常在高真空下开始，因此涂层由于较长的平均自由路径而具有视线属性。不足的逆行角将在光震托上产生薄薄的金属层。产生逆行角度或产生垂直轮廓的双层过程的图像逆转照片过程将导致金属薄膜覆盖范围的不连续性，从而使清洁升降机可行。升空后，多余的金属将变成诸如纵梁，机翼或襟翼之类的缺陷。不幸的是，有益于提升过程的质量对于阶跃覆盖范围并不是最佳的。图1显示了一个金属层在另一个金属层上的阶梯覆盖的示例，该金属层由介电膜分开。
微尺度传热
过去几十年来，微电子行业一直在推动小型化理念的深入人心。更小的设备意味着更快的运行速度、更便携和更紧凑的系统。这种小型化趋势具有感染力，纳米技术和薄膜加工的进步已经蔓延到广泛的技术领域。这些技术进步对一些领域产生了重大影响，包括二极管激光器、光伏电池、热电材料和微机电系统 (MEMS)。这些设备的设计改进主要来自实验和宏观测量，例如整体设备性能。这些设备和材料的微观特性的大多数研究都集中在电气和/或微观结构特性上。目前，许多热问题在很大程度上被忽视，限制了现代设备的性能。因此，这些材料和设备的热性能对于高科技系统的持续发展至关重要。人们对薄膜能量传输机制的了解需求催生了一个新的研究领域，即微尺度传热。微尺度传热只是在必须考虑单个载体或连续模型失效时对热能传递的研究。传热的连续模型经典地是能量守恒定律与热传导的傅立叶定律的结合。类似地，当连续流体力学模型不足以解释某些现象时，就出现了“气体动力学”的研究。微尺度传热领域具有一些惊人的相似之处。相似之处之一是方法论。通常，第一次建模尝试是修改连续模型，以便将微尺度因素考虑在内。更常见且稍微困难的方法是应用玻尔兹曼传输方程。最后，当这两种方法都失败时，通常采用计算详尽的分子动力学方法。下面将更详细地讨论这三种方法和具体应用。图 18.1 演示了电子（金属薄膜中的主要热载体）散射的四种不同机制。所有这些散射机制对于微尺度传热的研究都很重要。块体金属中电子的平均自由程通常在 10 到 30 纳米的数量级上，其中电子晶格散射占主导地位。然而，当薄膜厚度与平均自由程数量级相同时，边界散射就变得很重要。这被称为尺寸效应，因为薄膜的物理尺寸会影响传输特性。薄膜可以使用多种方法并在各种条件下制造。这可能会对薄膜的微观结构产生严重影响，进而影响缺陷和晶界散射。最后，当被超短脉冲加热时，电子系统会变得非常热，以至于电子-电子散射会变得非常明显。因此，微尺度传热需要考虑微观能量载体和各种可能的散射机制。
AVS 70 特别活动
12:15 pm 展览厅午餐* ................................................................................................................................ 西厅（CC） 12:25 pm 磁性界面和纳米结构部门商务会议 ..............................................................................121（CC） 12:25 pm 等离子体科学和技术部门 Coburn 和 Winters 评审会议（仅限邀请） .. 124（CC） 12:30 pm 5K 跑步颁奖 ............................................................................................................................. 西大厅（CC） 12:30 pm AVS 总裁午餐会（仅限邀请） ............................................................................................. 会议室 4（H） 12:30 pm PacSurf 委员会会议和午餐 ............................................................................................................. 格雷科会议室（H） 12:30 pm 专业发展：成为同行评审员：您需要了解的一切午餐*...... 会员中心：118（CC） 1:00 pm 建议实践会议和午餐 ............................................................................................. 会议室1（H）下午 3:00 多样性、公平性和包容性开放市政厅 ............................................................................................. 会员中心：118（CC）下午 3:45 会议茶歇*和参观展览 ............................................................................................. Wast Hall（CC）下午 4:30 参展商招待会（仅限邀请） ............................................................................................. 西厅，展位号 703（CC）下午 5:15 等离子科学与技术部门商务会议和 2024 年 PSTD 颁奖典礼：学生海报、Coburn 和 Winters、年轻研究员和等离子奖 ................................................................................ 124（CC）下午 6:30 AVS 颁奖典礼和招待会* ............................................................................................. 宴会厅 BC（CC）上午 7:00 至下午 5:00 会员中心休息室 ............................................................................................. 会员中心：118（CC）上午 7:30 至下午 5:00 注册时间................................................................................................................ 西大厅（CC） 上午 8:30 至下午 5:00 短期课程 ................................................................................................................ 注册 西大厅（CC） 上午 10:00 至下午 4:30 职业中心 ................................................................................................................ 西厅，展位号 711（CC） 上午 10:00 至下午 4:30 设备展览 ............................................................................................................. 西厅（CC） 上午 10:00 至下午 6:00 海报设置和观看 ................................................................................................................ 中央大厅 (CC) 2024 年 11 月 7 日星期四 上午 7:00 AVS 研讨会和会议工作组早餐 ........................................................................................ 会议室 5（H） 上午 7:30 表面科学光谱编辑委员会早餐 ........................................................................................ 会议室 6（H） 上午 8:00 制造科学与技术技术组执行委员会会议和早餐 ............................................................................................................................. 会议室 2（H） 上午 8:00 Medard W. Welch 奖讲座：加州大学河滨分校的 Francisco Zaera“金属薄膜原子层沉积的表面化学” ............................................................. 115（CC） 上午 8:00 光谱椭圆偏振技术组执行委员会会议和早餐 ...... 会议室 3（H） 上午 10:00 会议咖啡休息*和参观展览 ............................................................................................. 西厅 CC）下午 12:30 2025 AVS 程序委员会会议和午餐........................................................................... 会议室 4 (H) 下午 12:15 展览厅午餐*/闭幕式 ................................................................................................................... 西厅 (CC) 下午 12:30 AVS 商务会议 ........................................................................................................................ 115 (CC) 下午 12:30 曲线拟合 XPS 曲线拟合最佳实践 - 午餐学习* ............................................................. 会员中心：118 (CC) 下午 3:15 庆祝 Robert J Madix 及其对表面科学和接待的贡献 ............................................. 120 (CC) 下午 4:30 海报会议 ............................................................................................................................. 中央厅 (CC) 下午 6:30 2024/2025 AVS 计划委员会招待会和晚宴 ............................................................................. 大 F (H) 上午 7:00-下午 5:00 会员中心休息室 ............................................................................................................. 会员中心：118 (CC) 上午 7:30-5:00下午 注册时间 ................................................................................................................ 西大厅（CC） 上午 8:30 - 下午 5:00 短期课程 ................................................................................................................ 注册 西大厅（CC） 上午 10:00 - 下午 2:30 职业中心 ................................................................................................................ 西厅，展位#711（CC） 上午 10:00 - 下午 2:30 设备展览 .............................................................................................................西厅 (CC) 上午 10:00 至下午 4:00 海报设置和观看 ...................................................................................................... 中央厅 (CC) 下午 4:30 至晚上 8:00 海报会议 ................................................................................................................ 中央厅 (CC) 2024 年 11 月 8 日星期五 上午 10:00 表面科学部门 Mort Traum 颁奖典礼 ............................................................................. 120 (CC) 上午 10:15 上午会议休息* ...................................................................................................................... 圆形大厅 (CC) 上午 7:30 至上午 9:30 职业中心 ...................................................................................................................... 西大厅 (CC) 上午 7:30 至上午 9:30 注册时间 ................................................................................................................ 西大厅 (CC) *售完即止