28. J. Amri, T. Souier, B. Malki, B. Baroux, “冷轧不锈钢板最终退火对钝化膜电子性能和抗点蚀能力的影响”,腐蚀科学,50 (2008) 431-435。29. B. Malki, T. Souier, B. Baroux, “合金元素对不锈钢点蚀的影响:一种建模方法”,电化学学会杂志。155 (2008) C583-C587。
6. Matthias Wurdack*、Tinghe Yun、Eliezer Estrecho、Nitu Syed、Semonti Bhattacharyya、Maciej Pieczarka、Ali Zavabeti、Shao-Yu Chen、Benedict Haas、Johannes Mueller、Qiaoliang Bao、Christian Schneider、Yuerui Lu、Michael S Fuhrer、Andrew G Truscott、Torben Daeneke*、Elena A. Ostrovskaya * 超薄 Ga2O3 玻璃:单层 WS2 的大规模钝化和保护材料。先进材料2021,33,
3TT25Z/C/S/J/F/AB/F1 是玻璃钝化三象限双向晶闸管,专为高性能全波交流控制应用而设计,这些应用可能会出现高静态和动态 dV/dt 和高 dI/dt。它们特别推荐用于电机控制电路等电感负载。可用的封装有 TO-220 、 TO-220C 、 TO-263 、 TO-220S(内部隔离)、 TO-220HF(塑料封装) TO-3PB 和 TO-220MF-K1(塑料封装)。
表面效应可以显着影响纳米光子和量子光子设备的性能,尤其是随着设备尺寸的降低。在这项工作中,我们提出并研究了一种新型的表面钝化方法,以减轻由III-AS(P)量子孔(由干燥蚀刻过程定义的IIII-AS(P)量子孔)中的这些挑战。纳米结构在金属有机蒸气相外部室内的磷酸(pH 3)环境下退火,以消除在干燥蚀刻和随后的蚀刻侧壁氧化过程中诱导的表面和地下缺陷。用更宽的带隙材料封装活性材料可以维护设备的带结构,从而减轻带弯曲的效果。我们的发现显示,pH 3退火的表面重组速度从2×10 3 cm / s的表面重组速度几乎降低。5×10 4 cm / s,用于基于(NH 4)2 s湿处理的标准方法的5×10 3 cm / s,然后是Al 2 O 3封装。为INP重建样品实现了进一步的减少至5×10 2 cm / s。另外,我们开发了一个模型,该模型占时间分析的光致发光曲线分析中的影响,并证明所提出的钝化方法有效地降低了所研究的量子良好光光子纳米结构的侧壁上的表面电荷密度。
摘要:磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而,高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度,沉积在 InP 上时会猝灭发光,并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测,ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成,加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移,可能是造成这一问题的原因。因此,我们合成了一种双功能 ETL(CNT2T,3 ′,3 ′″,3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈)),旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移:小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率(6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1),具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度;这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
钙钛矿量子点 (QD) 是溶液处理激光器所关注的焦点;然而,它们的俄歇寿命较短,限制了激光操作主要在飞秒时间范围内进行,在纳秒范围内实现光学增益阈值的光激发水平比在飞秒范围内高出两个数量级。本文作者报告了 QD 超晶格,其中增益介质促进激子离域以减少俄歇复合,并且结构的宏观尺寸提供激光所需的光学反馈。作者开发了一种自组装策略,该策略依赖于钠——一种钝化 QD 表面并诱导自组装以形成有序三维立方结构的组装导向器。考虑 QD 之间吸引力的密度泛函理论模型可以解释自组装和超晶格的形成。与传统的有机配体钝化量子点相比,钠具有更高的吸引力,最终导致微米级结构和反馈所需的光学刻面的形成。同时,新配体使点间距离减小,增强了量子点之间的激子离域,动态红移光致发光就是明证。这些结构充当激光腔和增益介质,实现阈值为 25 μ J cm –2 的纳秒级持续激光。
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征,以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作,然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征,以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作,然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。