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World File Search System铜键合
键和与与之相关的键 - ...
GST的结论标志着巴黎野心周期中的关键点。作为当事方采取国内缓解措施的义务的一部分，其目的是实现其NDC，23每五年进行一次NDC 24（在COP30 25之前的下一个9-12个月）进行NDC进行交流，并确保每个连续的NDC“反映其最高的野心”，26党也必须提供重要信息。正如Katowice在Katowice的COP中规定的那样，当事方应提供特定的信息，以实现“清晰，透过的和理解和理解” 27和“有关如何通过[GST]的结果告知其[NDCS]的准备信息。” 28商品及服务税的结果，包括其关键政策信号，必须通过其NDC来告知当事方的实施工作。要求各国在2025年第一季度提交的新NDC必须包括有关当事方对这些信号采取行动的信息。到2025年，COP28对气候行动的影响的程度将成为重点。
电力电子领域的机遇。......
芯片：向碳化硅过渡 引线键合：超越铝键合，转向铜键合或无引线键合方法。 基板：更高性能的陶瓷或金属绝缘体基板。 导热油脂：尽可能消除，尤其是直接冷却时 冷却：过渡到双面冷却。 芯片连接：从焊料（例如银烧结材料）过渡。 基板连接：在非常苛刻的条件下可能需要非焊料解决方案。 散热器
基础临床社会医学统合讲义
09：00-09：50 Tadaki（国家传染病研究所）感染性病理学对Covid-19的贡献10:00-10：00-10：50 Yamazaki Akira（大阪大学）（大阪大学）细胞介导的免疫反应对SARS-COV2 11:00-11：00-11：00-11：00-11：50 ARASE NAO（OSAKA NAO）介绍了OSAKA NAO（OSAKA NAO），以下简13：00-13：50 Nishiura Hiroshi（京都大学）Covid -19的传染病流行病学194：00-14：50 Sato Yoshi（Tokyo）新颖的Coronavirus大学的演变15:00-15：00-15:50-15：50
巴基斯坦硫化物铜的铜生物无有
本文介绍了对硫化物矿石的铜生物侵蚀的早期发展的简要回顾，并讨论了其从巴基斯坦从土著硫化物矿石沉积中提取铜的预期。铜的形式存在于辣椒（Cufes 2），辣椒（Cu 2 s），Covellite（Cus），Bornite（Cu 3 Fes 3），Enargite（Cu 3 Fes 3），Cu 3 Ass 4）和Tennantite（Cu 3 Ass 3），是最重要的重要铜（Cu 3 Ass 3），这是最重要的铜在硫化铜和甲型型号（柱状型）中，孢子型（Strate-Strate-contrancient and Strate-coundert）（硫化物沉积。黄铁矿（FES 2）和其他金属（Ni，Co，Mo，Zn等）硫化物矿物质也存在于硫化矿石沉积物中。在浸出溶液中硫酸盐（FES 2）（FES 2）的细菌氧化和Cu-硫化物矿物质（S）中，在浸出溶液中在浸出溶液中产生硫酸（H 2 SO 4），硫酸铁（Fe 2（So 4）3）和硫酸盐Cuso 4的硫酸和硫酸盐CUSO 4和氧硫化物矿物质（S）由酸性fe-氧化和氧化氧化剂进行了改良，从而产生。硫酸（H 2 SO 4）充当利克西（浸出剂）和硫酸铁（Fe 2（So 4）3）作为墨西哥铜矿的生物素质过程中的氧化剂（CUFES 2）。由于低pH值促进矿物质的质子攻击，并减轻了浸出溶液中金属的沉淀，因此生物无能的反应在pH 1.5-3.0处是最佳的。可溶性铜通过从酸性铜浸出液中的溶剂提取（SX）回收，在下游加工过程中进行了剥离/洗脱，然后进行电工（EW），以生产生物含量的铜铜（99.9％CU）产品。铜是从硫矿石和采矿废物中提取的，并使用堆和倾倒生物渗入过程在商业规模上提取。通过将残留物变成价值，这是一个独特的机会，可以在商业规模上引入创新的环境友好型铜提取技术，从而被认为是高度盈利的。可以将生物渗入过程用于提取Cu和相关的有价值的金属，从土著低级，截止等级，泡沫尾矿和硫化物矿床的采矿废物
光电光谱研究对银和铜表面上硫醇的辐射损伤和金属硫键的研究
使用X射线光电光谱（XPS）在银色和铜表面上的自组装1多二烷硫醇单层（SAM）使用同步辐射和常规MG K激发表征。辐照诱导的Cu和Ag上硫醇酸盐SAM的变化。已经完成了硫种类的识别。结果获得了对银的N-烷硫醇的早期研究。在铜（C 12 s/cu）上，观察到的S 2P频谱非常广泛，但是使用不同的激发能的使用使我们能够识别表面上的四个硫种。在162.6 eV处观察到硫酸铜的S 2P 3/2成分。在辐照过程中已经观察到了另外三个双重（161.9 eV，163.2 eV和163.8 eV），并将它们分配给铜上的化学吸附硫，不同的二二甲基硫纤维和硫 - 硫键。©2004 Elsevier B.V.保留所有权利。
优化芯片准备和处理以实现高产量混合芯片到晶圆键合
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术，但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟，但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许（部分）重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备，我们提出了一个新概念，即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后，直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤，并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量，键合的 50 µm 薄芯片数量众多，完全没有空隙。此外，通过消除切割胶带，减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑，从而实现超薄芯片处理。在本研究中，我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
明确的键/安全键/受保护的键启动techDocid
摘要：从Z10 Microcode的最新更新开始，以及ICSF，FMID HCR7770，IBM加密硬件的新支持，支持三种键。本文介绍了清晰键，安全键和受保护的键之间的基本差异，并且是对硬件如何为安全键提供额外保护的介绍。了解这三个区域之间的差异将有助于设计正确的加密解决方案并确定加密工作的硬件要求。加密是为了保护数据的过程。使用加密算法（一系列步骤）将数据拼写，该算法由密钥控制。键是输入算法的二进制数字序列。加密的安全性依赖于保持密钥的价值为秘密。在密码学中，必须确保所有对称密钥和公共/私钥对的私钥以保护数据。对于对称键，需要保护钥匙值，以便只有两个交换加密数据的双方才能知道键的值。DES，TDE和AES算法已发布，因此键提供了安全性，而不是算法。如果第三方可以访问密钥，则可以像预期的接收者一样轻松地恢复数据。对于非对称键，必须保护私钥，以便只有公共/私钥对的所有者才能访问该私钥。公共密钥可以并且将与将向键盘所有者发送加密数据的合作伙伴共享。安全的密钥硬件要求加载主密钥。在系统z加密环境中定义键为安全键时，该密钥将由另一个称为主键的密钥保护。IBM安全密钥硬件提供篡改感应和篡改响应环境，在攻击时，将对硬件进行归零并防止钥匙值受到损害。该主密钥存储在安全硬件中，用于保护操作密钥。硬件内（通过随机数生成器函数）生成安全密钥的清晰值，并在主密钥下进行加密。当安全密钥必须离开安全的硬件边界（要存储在数据集中）时，将密钥在主密钥下进行加密。因此，加密值存储，而不是密钥的清晰值。一段时间后，当需要恢复数据（解密）时，安全的键值将加载到安全的硬件中，在该硬件中将从主密钥中解密。然后将在安全硬件内使用原始键值，以解密数据。如果安全密钥存储在CKD中，并且主密钥更改，ICSF提供了重新启动安全键的能力；那就是将其从原始的主密钥中解密，然后在新的主密钥下重新加密它，所有这些都在安全硬件中，然后将其存储回新的CKD，现在与新的主密钥值相关联。当需要与合作伙伴共享时，也可以在密钥加密密钥或运输密钥下加密安全密钥。在这种情况下，当它留下硬件的安全边界时，它将在传输密钥（而不是主密钥）下进行加密。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
设计掺杂：通过亚价键合增强 GeSe 合金的热电性能
对可持续清洁能源的需求推动了热电 (TE) 材料的发展，这种材料可将热能直接转化为电能并实现分布式冷却。[1–3] 能量转换效率通过无量纲性能系数 zT = S 2 σ T / ( κ ele + κ lat ) 来衡量，其中 S 、σ 、T 、κ ele 和 κ lat 分别为塞贝克系数、电导率、绝对温度、电子热导率和晶格热导率。[4–8] 尽管 zT 的表达式看起来很简单，但增加其值却是一项艰巨的任务。具体而言，虽然在半导体中通常获得较高的 S，但在金属中会发现较大的 σ ，而在非晶态材料中会实现较低的 κ lat 。[6,9] 这已经表明优化要求很复杂。显然，相关优化参数 S 、 σ 和 κ ele 紧密相关。这阻碍了 zT 的改善和优质热电材料的识别。因此，