有机氧化还原活性化合物由于其分子可调性而引起了最近对能量储能的研究的关注,从而促进了它们的应用特异性c优化。1 - 4在有机氧化还原活性材料的缔合中,共轭大环具有特别的功能性吸引力,结合了由其旷日持久的架构和出色的可重复性来实现的强大氧化还原特性,只能与离散的分子系统实现。5 - 7 [2.2.2.2] Paracyclane-1,9,17,25-苯乙烯(PCT,方案1,顶部)是一种特殊的共轭宏环,它占了这种有机的氧化还原活性材料,8依赖于其可预测的合成和反击 - Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-Ible-ible二 - 电源。可逆性降低PCT是通过隐藏的抗虫性的;在中性状态下,局部芳族苯基单元掩盖了4 N(24)p电子的形式大环共轭系统的反剖复,该系统可驱动具有4 N + 2(26)p电子的全球芳族dianion态的出色稳定性。9类似的芳香性切换在其他报告的有机电池电极材料中也起着作用。10 - 13对于PCT,可逆的两电子电化学还原与锂和钠离子的孔隙率相结合,分别在〜14 - 17%和〜4 - 5%V/V的情况下确定(取决于相位),将其作为电池电极材料启用。17,18然而,这些SQTI-RS中的烷基Sidechain存在赋予出色的溶解度,这显着阻碍了它们作为电池电极材料的循环时的物理稳定性。然而,在通用电池电解质中,PCT不能超过dianion状态,该状态限制了其特异性容量,同时,如果不适当选择导电剂和Binder,则Dianion态的增加溶解度会阻碍其循环性能。In order to raise speci c capacity and, drawing inspiration from the uniquely stable redox properties of aromatic cyclic anhydrides and their imide derivatives, such as naphthalenediimide, 14,15 our focus has shi ed towards the development of squarephaneic tetraanhydride (SqTA) and its tetraimide derivatives (SqTI, Scheme 1), 16 which builds on the多孔PCT子结构在本地和全球芳香状态之间的不同之间切换。Our development of SqTA opened up its conversion to a number of alkyl- N -substituted squarephaneic tet- raimides (SqTI-Rs), 16 which featured reversible access to the four-electron reduced state, owing to global aromaticity of the dianion and presumed global Baird aromaticity of the triplet tetraanion.因此,在储能中应用四电子可降低SQTI单元的分子设计中发展的策略需要集中于最小化的溶解度。通常,可以通过增强互联体相互作用(例如P - P相互作用)来降低复合溶解度,或通过省略侧技术来最大程度地减少有利的溶剂相互作用。26然而,如果通过连接扩展增加每个氧化还原活性单位的分子量,则可以降低特定的C容量。Conjugation extension of SqTI to increase p – p interactions may be achieved through its conversion into derivatives suitable for subsequent cross-coupling functionalisation, 19 or by its potential incorporation into covalent-organic frameworks 20 – 24 where its D 4 symmetry may be exploited to template reticular framework synthesis 25 by lattice propagation at the four anhydride positions of SqTA.
抽象的背景肌萎缩性横向硬化症在病因和遗传学上与额颞痴呆症重叠,并以家族性和明显零星的形式发生。最常见的基因是C9orf72,SOD1,TARDBP和FUS。这些基因中引起疾病的变异的外观是不完整的,但在人群水平上尚未得到很好的研究。 目的我们试图确定通常导致肌萎缩性横向硬化症的基因中病原和可能致病性变异的种群水平的外观。 使用肌萎缩性侧面硬化症和额颞痴呆的流行病学数据用于计算人口水平下每个基因的预期引起疾病的变体的预期频率。 来自GNOMAD和CLINVAR数据库的变体数据用于确定观察到的引起疾病的变体数量,并估计每个基因的种群水平的渗透率。 C9orf72的数据是从已发表的文献中获得的。 发现肌萎缩性外侧硬化症或额颞痴呆的最大种群渗透率为C9ORF72(95%CI(20.9至53.2)),SOD1为54%,SOD1为54%(95%CI(95%CI)(95%CI(32.7至88.6),tardbp(38%),tardbp(95%CI)(95%CI(95%)(21 fo to y(21)。 (95%CI(13.0至28.4))。 结论肌萎缩性侧索硬化病疾病基因的种群水平渗透性降低。 这一发现对受影响个人及其未受影响的亲戚的基因检测和咨询具有影响。这些基因中引起疾病的变异的外观是不完整的,但在人群水平上尚未得到很好的研究。目的我们试图确定通常导致肌萎缩性横向硬化症的基因中病原和可能致病性变异的种群水平的外观。使用肌萎缩性侧面硬化症和额颞痴呆的流行病学数据用于计算人口水平下每个基因的预期引起疾病的变体的预期频率。来自GNOMAD和CLINVAR数据库的变体数据用于确定观察到的引起疾病的变体数量,并估计每个基因的种群水平的渗透率。C9orf72的数据是从已发表的文献中获得的。 发现肌萎缩性外侧硬化症或额颞痴呆的最大种群渗透率为C9ORF72(95%CI(20.9至53.2)),SOD1为54%,SOD1为54%(95%CI(95%CI)(95%CI(32.7至88.6),tardbp(38%),tardbp(95%CI)(95%CI(95%)(21 fo to y(21)。 (95%CI(13.0至28.4))。 结论肌萎缩性侧索硬化病疾病基因的种群水平渗透性降低。 这一发现对受影响个人及其未受影响的亲戚的基因检测和咨询具有影响。C9orf72的数据是从已发表的文献中获得的。发现肌萎缩性外侧硬化症或额颞痴呆的最大种群渗透率为C9ORF72(95%CI(20.9至53.2)),SOD1为54%,SOD1为54%(95%CI(95%CI)(95%CI(32.7至88.6),tardbp(38%),tardbp(95%CI)(95%CI(95%)(21 fo to y(21)。 (95%CI(13.0至28.4))。结论肌萎缩性侧索硬化病疾病基因的种群水平渗透性降低。这一发现对受影响个人及其未受影响的亲戚的基因检测和咨询具有影响。
Linda Sasset 1*,Marek M. Drozdz 1*,Andrew D. Cameron 1,Delcora A. Campbell 1,Debnath Maji 1,Xin Yao 1,Carleigh Sussman 1,Andy T. T. T. T. T. T. T. T. T. T. T. T.
与上一报告年相比,我们与购买商品和服务(PGS)有关的排放量增加了22%。由于今年CDP披露的时间以及随后的数据可用性,我们无法使用我们通常的方法来合并供应商分配的排放和供应商特定的强度因子来计算PGS排放。使用纯粹基于支出的方法对CDP部门平均排放因素进行计算,从而计算出更高的排放。此外,在23财年(报告了24财年的欠款一年)中,总支出中有16%与产生23财年排放的67%的高排放强度类别有关。对于第22财年,较低的支出是高强度类别,由于较低的排放因子在222222财年,这些支出仅产生了31%的排放。自从我们为FY22披露我们购买的商品和服务以来,作为不断着重于提高数据质量的一部分,我们已经审查并完善了我们的报告方法,这导致我们重述了22财年的数据。
•将基线报告扩展到包括所有公司运营,包括与政府行动的联合国内部项目排放。•为包括项目人员在内的所有员工介绍碳意识和管理培训。•反映员工政策中减少碳排放承诺。•制定了DT全球英国提供碳中和项目的战略。
Centrium Energy Solutions是一家国内供应商,拥有5,200多家石油和天然气行业的高质量原材料和中间体。化学公司提供优化的库存,无与伦比的技术支持和简化的物流,以帮助客户降低成本并提高运营效率。Centrium Energy Solutions通过其母公司,大教堂控股公司和姊妹公司,Indspyre Solutions和“基本要素”的支持,得到了28年的化学分配专业知识的支持。承诺重新置化化学采购和加强国内供应链,Centrium Energy Solutions为石油和天然气行业的化学分配树立了新的标准。有关更多信息,请访问centriumenergy.com。
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当同步整流管完全开启后, VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高,当 VDS 电压增大到 -30mV 时, Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低;当 VDS 电压增大到 -20mV 时, Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时, WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时,关断屏蔽时间开始计时,此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ,退出关断屏蔽 计时。
