�� l, f = Ton - Toff;实验室、现场 fl, f = 热循环频率;循环次数;实验室、现场每天必须至少 6 次 Qc = 芯片功率,W Θ jc = 芯片结至外壳电阻,°C/W Θ jl = 芯片结至引线(即球)电阻,°C/W Θ ja = 芯片结至环境电阻,°C/W 简介 PowerPC 603 和 PowerPC 604 RISC 微处理器 可扩展的 PowerPC™ 微处理器系列(图 1)由 Apple、IBM 和 Motorola 联合开发,被设计用于高性能、高性价比的计算机(包括笔记本电脑、台式机、工作站和服务器)。PowerPC 微处理器系列包括从 PowerPC 601™ 微处理器到 PowerPC 620™ 微处理器。PowerPC 603 微处理器是 PowerPC 精简指令集计算机 (RISC) 架构的低功耗实现。
球校准阀组件(S4V,S5V) - 陶瓷球(FDA批准);坦塔尔姆春天; FKM座椅和O形圈或 - 陶瓷球(FDA批准);不锈钢弹簧; EPDM座位; Santoprene®O形旋风泵头辊(S3V,S4V)聚乙烯(S3V,S4V)聚碳酸酯泵头导胶(S4V,S5V)聚乙烯辊衬套(S3V,S4V,S4V)管配件,注射配件PVC或聚丙烯(均为NSF)连接螺母PVC或聚丙烯(均列出的NSF)3/8“适配器(S3V)PVC或聚丙烯(均为NSF列出的NSF列出的均固定型号)均未列出NOSEREM pVC或POLPORPORPYLEN(两个NSF)闩锁(S3V)聚丙烯泵头拇指螺旋体(S4V,S5V)不锈钢;
本文研究了焚烧煤电厂煤底灰 (CBA) 废物中添加的砂粘土陶瓷的机械性能和热性能,以开发一种用于热能存储 (TES) 的替代材料。采用烧结或烧成法在 1000˚C 和 1060˚C 下开发陶瓷球。用压缩机压缩所得陶瓷,并使用 Decagon devise KD2 Pro 热分析仪进行热分析。还使用马弗炉在 610˚C 下进行热循环。发现 CBA 增加了孔隙率,从而使砂粘土和灰陶瓷的轴向拉伸强度增加到 3.5 MPa。选择了具有 TES 所需拉伸强度的陶瓷球。它们的体积热容量和热导率范围分别为 2.4075 MJ·m −3 ·˚C −1 至 3.426 MJ·m −3 ·˚C −1,热导率范围为 0.331 Wm −1 ·K −1 至 1.014 Wm −1 ·K −1,具体取决于沙子的来源、大小和烧成温度。所选配方具有良好的热稳定性,因为最易碎的样品经过 60 次热循环后也没有出现任何裂纹。这些特性使人们可以设想将陶瓷球用作聚光太阳能发电厂温跃层热能存储(结构化床)的填充材料。以及用于太阳能灶和太阳能干燥器等其他应用。
(57)摘要:本发明与水分离器,颗粒物和污垢有关,以调节基本上包括第一个空间(i),第二空间(II)和第三空间(III)的燃料。根据本发明的分离器,由一个以空心管状形式的储罐(1)组成;燃料入口(2)进入一个位于第一个空间区域(i)的工具单位(1);第二个空间区域(II)的水,颗粒和污垢的储层(3);一个空心密封板(4),该板位于第二空间和第三空间之间的过渡区域中形成斜率角;位于第三空间(III)上表面的空心扩散板(5);还有一个用于干净燃料的插座(6),该燃料位于家庭单位房屋的上方之一;在第三(iii)室中,氧化铝惰性陶瓷球(7)是由密封板上(4)上方的多层次的随机模式编译的,以便它们符合第三个空间(iii)。
摘要 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路(如现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 和应用处理器)日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能的不断增长的需求转化为更高的信号速度和越来越多的 I/O。为了限制整体封装尺寸,组件的接触焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求,需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心通孔和小轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用;但将这些能力的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两类 HDI 技术:两级交错微孔(基本 HDI)和(最多)三级堆叠微孔(复杂 HDI)。本文介绍了按照 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 mm 间距时,该技术成功通过了所有测试。在 0.8 mm 间距时,在互连应力测试 (IST) 和导电阳极丝 (CAF) 测试中会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。简介通常认为 HDI PCB 有两个主要驱动因素:(1) 关键元件的小间距和高 I/O 数量;(2) 这些元件的性能不断提高,导致电路板上的信号线速度加快。微孔的使用可以缩短信号路径的长度,从而提高信号完整性和电源完整性。由于扇出内的密集布线,关键网络可能会受到串扰。在 1.0 mm 间距元件的引脚之间布线差分对需要精细的线宽和间距。0.8 mm 间距元件的埋孔之间不再可能进行差分对布线。需要在扇出区域内分割线对,分割长度决定了分割对对信号完整性的影响。单端网络宽度的变化以及差分对间距和/或走线宽度的变化将导致阻抗不连续。因此,选择合适的层结构和过孔类型将同时改善布线能力和信号完整性。在定义 HDI PCB 技术参数时,一个重要的考虑因素是元件间距和 I/O 数量不能独立处理。间距为 1.0 mm 的高引脚数元件(> 1000 引脚)可能需要使用微过孔来减少总层数或改善受控阻抗线的屏蔽。另一方面,仅具有两排焊球的 0.5 mm 间距元件的逃逸布线可在不使用微孔和细线宽和间距的情况下进行。增加层数以便能够布线一个或多个高引脚数元件将导致 PCB 厚度增加,这会通过限制通孔纵横比影响最小通孔钻孔直径,从而再次限制布线可能性。为了定义 HDI 技术参数,需要了解过去、现在和未来太空项目中使用的面阵器件 (AAD) 的规格。纵观目前正在开发的复杂太空元件,间距为 1.0 mm 的陶瓷柱栅阵列 (CCGA) 仍将是未来几年的首选封装。例如,新的 Xilinx FPGA (RT-ZU19EG: CCGA1752) [1]、CNES VT65 电信 ASIC (CCGA1752) [2] 和欧洲航天局 (ESA) 的下一代微处理器 (NGMP, CCGA625) [3] 就是这种情况。间距较小的柱状网格阵列 (0.8 毫米) 已在研发中得到展示 [4],尽管尚未发现商业实现。带有非塌陷高铅焊球的陶瓷球栅阵列 (CBGA) 用于军事和航空航天应用 [5]。当间距为 0.8 毫米及以上 (0.5 毫米) 时,陶瓷 (即密封) 封装会成为可靠性风险,因为更小的间距 (0.8 毫米) 会降低封装的可靠性。