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1 应变相关自旋霍尔磁电阻...
[1] JT Heron, M. Trassin, K. Ashraf, M. Gajek, Q. He, SY Yang, DE Nikonov, Y.-H. Chu, S. Salahuddin 和 R. Ramesh, 《铁磁体-多铁性异质结构中的电场诱导磁化反转》, Phys Rev Lett 107 , 217202 (2011)。[2] SO Sayedaghaee, B. Xu, S. Prosandeev, C. Paillard 和 L. Bellaiche, 《多铁性 BiFeO3 中的新型动态磁电效应》, Phys Rev Lett 122 , 097601 (2019)。 [3] A. Haykal 等人，BiFeO 3 中受应变和电场控制的反铁磁纹理，Nat Commun 11，1704 (2020)。[4] H. Jang 等人，外延 (001) BiFeO3 薄膜中的应变诱导极化旋转，Phys Rev Lett 101，107602 (2008)。[5] IC Infante 等人，BiFeO 3 中外延应变桥接多铁性相变，Phys Rev Lett 105，057601 (2010)。 [6] H. Béa 等人，巨轴比化合物室温多铁性证据，Phys Rev Lett 102，217603 (2009)。[7] IC Infante 等人，BiFeO 3 薄膜室温附近的多铁性相变，Phys Rev Lett 107，237601 (2011)。[8] H. Béa、M. Bibes、F. Ott、B. Dupé、X.-H. Zhu、S. Petit、S. Fusil、C. Deranlot、K. Bouzehouane 和 A. Barthélémy，多铁性 BiFeO 3 外延薄膜的交换偏置机制，Phys Rev Lett 100，017204 (2008)。 [9] D. Lebeugle，D. Colson，A. Forget，M. Viret，AM Bataille 和 A. Gukasov，室温下电场诱导 BiFeO3 单晶自旋翻转，Phys Rev Lett 100，227602（2008）。[10] A. Finco 等人，非共线反铁磁体中的拓扑缺陷成像，Phys Rev Lett 128，187201（2022）。[11] M. Hambe，A. Petraru，NA Pertsev，P. Munroe，V. Nagarajan 和 H. Kohlstedt，跨越界面：磁性复合氧化物异质结构中隧道电流的铁电控制，Adv Funct Mater 20，2436（2010）。 [12] SR Burns、O. Paull、J. Juraszek、V. Nagarajan 和 D. Sando，《外延 BiFeO 3 中的摆线或非共线反铁磁性实验指南》，《先进材料》第 32 卷，2003711 页 (2020 年)。[13] M. Cazayous、Y. Gallais、A. Sacuto、R. de Sousa、D. Lebeugle 和 D. Colson，《在 BiFeO 3 中可能观察到摆线电磁振子》，《物理评论快报》第 101 卷，037601 页 (2008 年)。[14] D. Sando 等人，《通过外延应变制作 BiFeO 3 薄膜的磁振子和自旋电子响应》，《自然材料》第 12 卷，641 页 (2013 年)。 [15] J. Li 等人，亚太赫兹产生的反铁磁磁振子的自旋电流，Nature 578，70 (2020)。[16] E. Parsonnet 等人，在没有施加磁场的情况下对热磁振子的非挥发性电场控制，Phys Rev Lett 129，87601 (2022)。[17] S. Manipatruni、DE Nikonov、CC Lin、TA Gosavi、H. Liu、B. Prasad、YL Huang、E. Bonturim、R. Ramesh 和 IA Young，可扩展的节能磁电自旋轨道逻辑，Nature 565，35 (2019)。 [18] YT Chen、S. Takahashi、H. Nakayama、M. Althammer、STB Goennenwein、E. Saitoh 和 GEWBauer, 自旋霍尔磁阻理论, Phys Rev B 87 , 144411 (2013)。[19] J. Fischer 等人, 反铁磁体/重金属异质结构中的自旋霍尔磁阻, Phys Rev B 97 , 014417 (2018)。
霍尔斯路改进委员会支持……
允许在霍尔斯路沿线进行这种混合用途开发对该镇还有其他重要优势。首先：一个有步行交通的活跃社区对零售业更有利，并有助于零售企业抵御日益激烈的在线商务竞争。霍尔斯路沿线的混合用途社区增加了老莱姆在 2050 年继续拥有实体零售店便利的可能性。其次，由于这些类型的住房目前在老莱姆很少，被压抑的需求使此类开发对投资者极具吸引力。我们相信，如果这些是更大的混合用途（住宅和商业）区域的一部分，开发商会愿意建造一些新的零售和办公空间。霍尔斯路沿线的新投资也将增加该镇的税基和收入。
伯克霍尔德菌选择性琼脂
伯克霍尔德菌琼脂以 PC 培养基为基础，该培养基最初由 Gilligan 发明。研究发现，这种培养基比麦康凯琼脂更适合伯克霍尔德菌的生长。培养基中的酪蛋白糖和酵母提取物提供碳、氮、长链氨基酸、维生素 B 源和其他必需营养素。结晶紫和抗菌剂用作选择剂。结晶紫和万古霉素可抑制革兰氏阳性球菌，包括肠球菌和葡萄球菌。多粘菌素 B 和庆大霉素等抗生素可抑制革兰氏阴性细菌。伯克霍尔德菌代谢丙酮酸形成碱性终产物。蔗糖和乳糖是可发酵碳水化合物。酚红指示剂在碱性 pH 下从粉橙色变为粉红色。如果出现带有黄色晕圈的绿褐色菌落或被粉红色区域包围的白色菌落，则可能存在伯克霍尔德菌。
粒子空穴对称性和分数量子霍尔...
最低朗道能级效应 W. Pan、W. Kang、M. P. Lilly、J. L. Reno、K. W. Baldwin、K. W. West、L. N. Pfeiffer 和 D. C.
鲍姆霍尔德部队训练区
• 射击场，可使用 120 毫米以下机载大炮、30 毫米以下机载机枪、40 毫米榴弹手枪和榴弹机枪、手枪、反坦克手枪进行射击 • 爆破场地，供所有部队和工兵进行爆破训练以及拆除和销毁 • 防空射击场， • 手榴弹投掷阵地和场地， • 室内手榴弹投掷场， • 14.5 毫米 ÜbSchGerArt 和 22 毫米 ÜbSchGerMrs 射击场， • 森林作战场， • 狙击手训练射击场， • 特种/专业部队射击场（射击场） • 反坦克武器 • 155 毫米以下火炮 • 298 毫米以下火箭炮（MLRS 仅限训练弹药，射程缩短） • 直接瞄准的火炮 • 120 毫米以下迫击炮 • 空对地射击配备战斗/训练弹药
管家 - 英国皇家空军米尔登霍尔
我们目前正在寻找技术高超、积极主动的人才加入英国克劳顿皇家空军第 422 空军基地中队的一流管家团队。该职位的主要目的是在指定区域执行全方位的管家职责，包括客房、走廊、宠物友好客房、卫生间和所有公共生活空间。管家将负责为所有家具除尘和上光。此外，他们还会用吸尘器打扫地板和/或用洗发水清洗地毯并清洁窗户。此外，他们每天会清空废纸篓。管家会根据需要偶尔清洗墙壁、油漆和百叶窗，并在走廊和房间内清扫、干拖、擦洗、打蜡或抛光地板；以及清洁、消毒和除臭厕所、淋浴间、浴缸和相关区域。他们将负责每天整理床铺、收集和更换脏床单；每天更换手巾和肥皂；每天清洁和抛光所有黄铜和/或铬。当设备需要维护、维修或更换并需要清洁材料来完成工作时，他们将向直接主管报告。有关该职位的具体资格要求，您可以访问：联邦工资制度资格 (opm.gov)
霍尔顿山镇战略计划2023-2026
开发霍尔顿·希尔斯（Halton Hills）镇的战略计划2023-2026包括一项混合模式调查，并进行了统计有效的随机电话调查（地线和蜂窝电话），以及通过Halton Hills镇进行的在线开放式链接调查，让我们的谈话平台。通过媒体发布，社交媒体帖子和新闻通讯来促进了调查。调查收集了534项在线调查和450次电话采访。两种模式的结果都非常相似，两项调查中的居民都表明对霍尔顿山的生活很高。
室温反铁磁共振和逆自旋霍尔
我们从理论和实验上研究了由具有 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的倾斜反铁磁体共振引起的自旋泵浦信号，并证明它们可以产生易于观察的逆自旋霍尔电压。使用双层赤铁矿/重金属作为模型系统，我们在室温下测量反铁磁共振和相关的逆自旋霍尔电压，其值与共线反铁磁体一样大。正如对相干自旋泵浦的预期，我们观察到逆自旋霍尔电压的符号提供了有关模式手性的直接信息，这是通过比较赤铁矿、氧化铬和亚铁磁体钇铁石榴石推断出来的。我们的研究结果通过对具有低阻尼和倾斜矩的反铁磁体进行功能化，开辟了产生和检测太赫兹频率自旋电流的新方法。当代自旋电子学利用电子自旋进行信息处理和微电子学，主要基于铁磁器件架构。从提高数据处理速度和缩小片上信息处理规模的长远发展来看 [1]，反铁磁体自旋电子学是一个很有前途的途径 [2]。与铁磁体相比，反铁磁体的关键优势在于它们的共振频率通过子晶格的交换耦合得到增强，因此通常在太赫兹范围内 [2,3]。然而，在补偿反铁磁体中，净矩的缺失严重阻碍了对其超快动力学的简单获取，尤其是在薄膜中，以及基于超快反铁磁体的器件的开发 [4,5]。因此，界面自旋输运现象可以为反铁磁体中的自旋弛豫过程和自旋动力学提供新的见解 [5–8]。
基于石墨烯的霍尔传感器对中子的抵抗力...
石墨烯材料对粒子辐射具有很强的抵抗力，这在带电粒子束实验中得到了证实 [4-6]。这一特性主要归因于石墨烯中缺乏块状晶体结构：这降低了粒子与样品碰撞的概率，并且在发生这种碰撞时不可能形成大量的原子位移级联，从而最大限度地减少了材料损坏的程度 [7]。此外，已经证明石墨烯对某些能量范围内的轻带电粒子束几乎是“透明的” [8, 9]，这甚至可以在石墨烯的基础上开发用于在强力加速器中输出高能质子束的窗口 [10]。石墨烯对辐射具有高抵抗力的第二个原因是块状材料中不存在的辐射缺陷的“自修复”效应 [4]。在石墨烯中，它们首先通过热激活过程实现，即置换原子的重新排序，以及通过空位和纳米孔捕获吸附原子[11, 12]。