极紫外光刻 (EUVL) 是最有前途的技术之一,它可将半导体器件制造的极限扩展到 50 纳米及以下的临界尺寸 [1]。EUVL 需要制造反射掩模,它不同于紫外可见光光刻技术所用的传统透射掩模。极紫外 (EUV) 掩模由一个 EUV 波长的反射镜组成,反射镜上沉积了吸收图案堆栈。干涉镜由高折射率和低折射率材料的交替堆栈制成,通常是沉积在基板顶部的 40 个 Mo/Si 双层。通过调整 Mo 和 Si 层的厚度,可以针对 13.5 纳米的波长优化反射率。对于“双层工艺” [2],吸收图案堆栈由缓冲层顶部的导电吸收层制成,缓冲层用作蚀刻停止层以及吸收层修复步骤中的保护层。过去几年,人们评估了多种材料(Ti、TiN、Al-Cu、TaSi、Ta、TaN、Cr)[2–4] 作为 EUV 掩模的导电吸收材料的可能性。图 1 描述了这种基本的减法 EUV 掩模工艺流程,其中采用了“双层”吸收堆栈。
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“我们获得了该技术的演示,希望了解 Cyber AI Analyst 功能如何工作,结果令人印象深刻……虽然这是一份详细的报告,但报告顶部的简短摘要有效地快速概述了情况。摘要使用的术语即使是非技术专业人士也能理解,并且无需查看细节即可提供见解,包括有关如何确保系统从事件中完全恢复的可行建议。”
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