摘要:信息技术的快速进步增强了人们对互补设备和电路的兴趣。常规的P型半导体通常缺乏足够的电性能,从而促使人们寻找具有高孔迁移率和长期稳定性的新材料。元素柜(TE)具有一维手性原子结构,由于其狭窄的带隙,高孔迁移率和在工业应用中的多功能性,尤其是在电子产品和可再生能源方面,因此出现了有前途的候选人。本评论重点介绍了纳米结构和相关设备的最新进展,重点是合成方法,包括蒸气沉积和水热合成,它们产生了纳米线,纳米棒和其他纳米结构。在光电探测器,气体传感器和能源收集设备中的关键应用被引起了人们的注意,并特别强调了它们在物联网(IoT)框架(IoT)框架中的作用,这是一个快速增长的领域,正在重塑我们的技术环境。也突出显示了基于TE的技术的前景和潜在应用。
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Multibeam Echosounder(MBE)已成为海底映射的主要工具。技术进步和改进的数据处理方法提高了测深测量的准确性和空间分辨率,并且还导致了MBES反向散射数据的使用越来越多,用于海底地质和底栖生物栖息地映射应用。MBES BackScatter现在经常用于表征海洋陆战队和动物区系的栖息地,有助于开发有效的海洋空间规划和管理策略,并且通常可以更好地对海床进行分类。最近,进一步的技术进步使得在多声纳操作频率(多频反向散射)下对反向散射的获取和分析具有后续的潜在利益,可改善海底表征和分类。本评论重点介绍了与多频的海流声学反向散射相关的当前可用的同行评审论文,从而对不同底栖环境的贡献进行了全面的摘要,为相关应用程序和概述挑战和研究指示奠定了基础。
注释:3.光学测量是使用发光二极管 (LED) 光源的小角度入射辐射进行的。4.470 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 470 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 35 nm,发光效率 = 75 lm/W。5.524 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 524 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 47 nm,发光效率 = 520 lm/W。6.565 nm 输入辐照度由具有以下特性的 GaP 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 565 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 28 nm、发光效率 = 595 lm/W。7.635 nm 输入辐照度由具有以下特性的 Al I nGaP 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 635 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 17 nm、发光效率 = 150 lm/W。8.辐照度响应度 R e 的特征范围为 0 至 5 kHz。9.饱和辐照度 = (满量程频率)/(辐照度响应度)。10.照度响应度 Rv 是使用注释 4、5 和 6 中所述的 LED 发光效率值并使用 1 lx = 1 lm/m 2 ,根据辐照度响应度计算得出的。11.非线性定义为 f O 与零点和满量程之间的直线的偏差,以满量程的百分比表示。
包括M5螺钉和笼螺母的入门包。10-32硬件请参阅Cagkit系列。锁定前门具有吸引人的4点闩锁,弯曲和肋骨表面以增加稳定性,并且可以轻松地沿任一方向拆下并铰接。机柜的后部功能分开的锁门,使在狭窄的空间中更容易进入。一对可移动的实心侧面板包括加强剂以增加强度。