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World File Search System饱和电流
通过电致发光
在此，提出了一种通过电发光（EL）用于硅太阳能电池进行晚期串联抗性成像的方法。Haunschild等人的著名方法。被重新审视。由于较大的少数荷载载流子扩散长度和更薄的太阳能电池，因此显示扩散长度和EL信号之间线性关系的富崎假设不适用于硅设备。在这里使用Breitenstein得出的一种新关系。与Haunschild的原始方法相比，基于两个EL图像的串联电阻和饱和电流成像的更新方法表明，对比度的分离远远超过60％。使用高级方法，用于样品单元上突出特征的高级方法，由电阻图像中重组引起的不需要信号的对比度从0.89降低到0.44。由于电阻引起的对比度保持在同一水平。深色饱和电流密度图像在重组活动区域显示出20％的峰值，低5％。
N0001424SBC02-修正案-0002.pdf
背景：目前，没有任何商用现货 (COTS) 电感器材料或空心电感器能够令人满意地满足未来海军电力和能源系统在功率处理、效率、体积效率和温升方面的需求。这一不可否认的结论不仅需要新材料，还需要一种新的超高频材料设计范例，以捕获 250 MHz 或更高的带宽。需要专注于开发用于电感器的新型磁性材料，着眼于将应用扩展到高频变压器，以提供高 SWAP+C2（尺寸、重量和功率加上成本和冷却）和可靠的超高频应用电感器。此外，截止频率和磁导率/磁化（电感器饱和电流）具有反比关系，与尖晶石铁氧体和合金中观察到的众所周知的趋势一致（即 Snoek 关系）。然而，更宽的带宽（即更高的截止频率）是以更低的磁导率和磁化为代价的，这意味着更低的功率处理能力、更高的损耗因子和对 SWAP+C2 的妥协。然而，具有更高磁导率的样品
远征空战与武器基础研究
背景：目前，没有任何商用现货 (COTS) 电感材料或空心电感能够令人满意地满足未来海军电力和能源系统在功率处理、效率、体积效率和热升方面的需求。这一无可否认的结论不仅需要新材料，还需要一种新的超高频材料设计范例，以捕获 250 MHz 或更高的带宽。需要专注于开发用于电感的新型磁性材料，着眼于将应用扩展到高频变压器，以提供高 SWAP+C2（尺寸、重量和功率加上成本和冷却）和可靠的超高频应用电感。此外，截止频率和磁导率/磁化（电感饱和电流）具有反比关系，与尖晶石铁氧体和合金中观察到的众所周知的趋势一致（即 Snoek 关系）。然而，更宽的带宽（即更高的截止频率）是以更低的磁导率和磁化为代价的，这意味着更低的功率处理能力、更高的损耗因子和对 SWAP+C2 的妥协。然而，具有更高磁导率的样品
利用电子风力对伽马射线辐照的 GaN HEMT 进行非热退火
电子产品中的辐射损伤减轻仍然是一个挑战，因为唯一成熟的技术——热退火，并不能保证获得良好的结果。在本研究中，我们介绍了一种非热退火技术，其中使用来自非常短持续时间和高电流密度脉冲的电子动量来瞄准和调动缺陷。该技术在 60 Co 伽马辐照（5 × 10 6 拉德剂量和 180 × 10 3 拉德 h − 1 剂量率）GaN 高电子迁移率晶体管上进行了演示。在 30 °C 或更低温度下，饱和电流和最大跨导完全恢复，阈值电压部分恢复。相比之下，300 °C 下的热退火大多使辐照后特性恶化。拉曼光谱显示缺陷增加，从而降低了二维电子气 (2DEG) 浓度并增加了载流子散射。由于电子动量力不适用于聚合物表面钝化，因此所提出的技术无法恢复栅极漏电流，但性能优于热退火。这项研究的结果可能有助于减轻电子器件中某些形式的辐射损伤，而这些损伤很难通过热退火实现。© 2022 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac7f5a ]
局部应变修改对 AlGaN 整体特性的影响 ...
微电子器件的性能和可靠性受器件层内的机械应变控制。通常，这是通过从外部或内部施加均匀分布的应变来研究的。本研究的重点是 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由于其压阻和压电特性，预计它对应变更敏感。因此，我们假设即使是微小但局部的应变也可能对 HEMT 的整体行为产生重大影响。为了研究这一假设，我们通过在 800 × 840 μ m 2 尺寸 HEMT 芯片背面铣削一个深度约为 70 μ m 的 20 × 30 μ m 2 微沟槽来引入高度局部的应变释放。使用微拉曼技术绘制了由此产生的平面内残余应变的局部松弛。我们的结果表明，仅 0.02% 的应变下降就可以使总输出饱和电流降低高达 ~20%。输出电流下降的原因是器件层中的应变释放导致二维电子气 (2DEG) 载流子密度和电子迁移率降低。然而，应变释放的机械过程也会导致界面产生缺陷，从而增加漏电流。我们的局部应变重新分布技术可以成为替代电子设备通道中固有局部应变累积影响的有效工具。
3.3-kV SIC MOSFET性能和通道长度相关的短路能力
1俄亥俄州立大学，俄亥俄州哥伦布，俄亥俄州，美国，xing.174@osu.edu 2基因半导体公司，美国弗吉尼亚州斯特林市，弗吉尼亚州斯特林，ranbir.singh@genesicsemi.com 3 sandia国家实验室，美国新罕布什尔州阿尔巴克基，美国，美国，satcitt@sandia.gov--- 5-A SIC MOSFET由基因制造。涉及静态特征和短路可持续能力。在不同的门电压下以2.2 kV的排水偏置探索它们的饱和电流。在2.2 kV和18-V门电压的排水电压下测量两种设备的短路承受时间。将短路测试结果与来自四个供应商的1.2 kV SIC MOSFET进行了比较。测试结果表明，在SC事件中，通道长度和较高电压等级的SIC MOSFET具有更长的持续时间。此外，开发了短通道设备的设备模型。所有测试均在室温下进行。简介和动机 - 中型电压宽带隙（WBG）半导体大于3 kV对于功率转换应用具有吸引力，以提高性能。尽管这些设备中的大多数仍在出现，但价格明显较低，并且很容易从基因上获得设备。需要评估这些设备的性能和可靠性，以确保将来会有大量的市场吸引力。在本文中，评估了新一代3.3-kV，5-A SIC MOSFET的基因。根据测试结果开发了香料模型。SC测试的电路图如图4。与针对相似设备的静态和动态评估的先前报告相比，在这种情况下，有两种具有不同通道长度的设计类型。结果和意义 - 第一象限I-V曲线和阈值电压如图1-2所示。在其排水量泄漏电流，闸门源泄漏电流和电容中没有明显差异。如图3所示，测量额定电压（2.2 kV）和三个不同的栅极电压下的饱和电流。最初设置了2.2-KV，18-V v g„的SCWT测量。A 1-1.TS增量。图5-6中显示了每个回合的设备故障波形和SC电流。从四个不同供应商的1.2 kV SIC MOSFET也以额定电压（0.8 kV）和18-V V GS的2/3进行测量。比较图如图7所示。与短通道设备相比，长通道设备的RDSON有1.23倍的RDSON，0.49个时间ID（SAT），18-V V g„和1.4倍SCWT。对于诱导设备故障的脉冲，短通道设备在5范围内消散了约900 MJ，而长通道设备在7 TTS内消散了799 MJ。由于两个设备的模具尺寸几乎相同，因此具有较大SC能量的短通道设备比长通道设备更早。将V GS拉到零后，这两个设备都失败。这种故障机制可以是通过设备的熔融铝穿透[2]。与1.2 kV设备相比，3.3-kV脱离显示更长的SCWT。由于末端电容没有差异，因此仅针对短通道设备执行动态评估，如图8所示。在2.4-kV DC电压和6-A I DS电流时，打开损失为850 TD，为25 kV/ps，关闭损耗为150 µJ，为53 kV/ias。用于香料建模零件，使用级别1，级别2和降压电荷模型[3]（图9）。拟合结果表明，降压电荷模型更适合这种中电压功率SIC MOSFET。车身二极管特性和末端电容也被建模并在图10中显示。参考 - [1] H. Wen，J。Gong，Y。Han和J. Lai，“ 3.3 kV 5 A SIC MOSFET的表征和评估，用于固态变压器应用”，2018年亚洲能源，电力和运输电气化会议（APTICERAIGT），2018。[2] K. Han，A。Kanale，B。J。Baliga，B。Ballard，A。Morgan和D. C. Hopkins，“ 1.2KV 4H-SIC MOSFETS和JBSFETS和JBSFETS的新短路故障机制”，2018 IEEE第6次IEEE第6届宽带电源设备和应用程序（WIPDA）（WIPDA）的第6届研讨会，2018年。[3] N. Arora，“ VLSI电路模拟的MOSFET模型”，计算微电子学，1993。
ccf-电子元件.pdf
[学分：4 (3Th + 1P)] ELT-H-CC-1-1-TH 课程名称：电路理论和电子设备基础 [学分：3；授课时数：45] UNIT-I [12 小时] 电路元件：电阻和电阻器：类型、颜色编码和额定功率，可变电阻器，电容和电容器：类型、颜色编码和额定电压，电感和电感器：类型、颜色编码，电感线圈，空心和铁心线圈，自感和互感，变压器。电路分析：电压和电流源的概念，与电感器相关的磁通漏守恒和与电容器相关的电荷，基尔霍夫电压定律，基尔霍夫电流定律，电压和电流源的变换，网格分析和节点分析，星三角网络和转换。直流分析：直流激励下串联 RL 和 RC 电路的瞬态响应。交流分析：电路参数响应、交流激励下串联 RL、RC 和 RLC 电路的频率响应、电感器和电容器的品质因数 (Q)、串联和并联谐振电路、Q 因数。网络定理：叠加定理、戴维南定理、诺顿定理、互易定理和最大功率传输定理。第二单元 [11 小时] 半导体基础：半导体材料：类型和特性，固体能带的概念：金属、绝缘体和半导体、本征和非本征半导体、P 型和 N 型半导体、能带图、有效质量的概念、直接和间接带隙半导体、费米能级、态密度、半导体中电流传导的机制（漂移和扩散）、漂移速度、迁移率、电阻率、电导率、霍尔效应（无推导）。结型二极管及其应用：PN 结：晶圆级结构、能带图、耗尽层、二极管方程和 IV 特性、理想二极管、静态和动态电阻、反向饱和电流、齐纳和雪崩击穿、齐纳二极管、作为电压调节器的齐纳二极管、整流器：半波整流器、全波整流器（中心抽头和桥式）、峰值反向电压、纹波系数、效率、线路调节率、负载调节率、变压器利用率、并联电容滤波器、泄放电阻器的概念。
BAA 呼叫 N00014-24-S-BC02 - 海军研究办公室
远征空战与武器的基础研究 I. 引言 本公告描述了一个名为“远征空战与武器的基础研究”的技术领域，该领域属于海军和海军陆战队科学技术长期广泛机构公告 N00014-24-S-B001，可在 https://www.nre.navy.mil/work-with-us/funding-opportunities/announcements 上找到。提案的提交、评估以及研究补助金和合同的发放将按照上述长期广泛机构公告中所述进行。本公告的目的是引起科学界的关注：(1) 三个待研究的主题领域，(2) 相关信息研讨会，以便对这些主题感兴趣的人进行对话，以及 (3) 提交白皮书和完整提案的计划时间表。II.主题描述 ONR 海军空战和武器 (Code 35) 部门通过促进海军航空平台、动能武器、定向能和电武器的技术发展来支持海军和美国海军陆战队的需求。本次 BAA 征集将在与远征军相关的三个 (3) 个主题领域开展创新基础研究，并为他们提供未来持久的技术优势。主题 1：为超宽带隙 (UWBG) 电力电子技术提供磁性材料背景：目前，没有任何商用现货 (COTS) 电感材料或空心芯能够充分满足未来海军电力和能源系统在功率处理、效率、体积效率和温升方面的需求。这个不可否认的结论不仅需要新材料，而且还需要一种新的超高频材料设计范式，以捕获 250 MHz 或更大的带宽。需要专注于开发用于电感器的新型磁性材料，着眼于将应用扩展到高频变压器，以提供高 SWAP+C2（尺寸、重量和功率加上成本和冷却）和可靠的超高频应用电感器。此外，截止频率和磁导率/磁化（电感饱和电流）呈反比关系，与尖晶石铁氧体和合金中观察到的众所周知的趋势一致（即 Snoek 关系）。然而，更宽的带宽（即更高的截止频率）是以较低的磁导率和磁化为代价的，这意味着更低的功率处理能力、更高的损耗因子和对 SWAP+C2 的妥协。然而，磁导率较高的样品具有较低的截止频率，从而抑制了高频功率谐波。温升