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World File Search System高亮度
RTV 566 作为“弹簧”应用的可靠性研究
I. 介绍 Zr/O/W(100) 肖特基电子发射体以其高亮度和良好的发射稳定性而闻名 [1]，广泛应用于电子显微镜和电子束光刻系统。肖特基发射体由单晶钨 (100) 尖端组成，该尖端点焊在钨加热丝上，可加热至 1800 K。我们正在为并行电子光刻系统开发直径为 1 毫米的肖特基发射体的微型版本。发射体尖端相对于电子柱中各个电极的对准非常关键。由于热机械原因，尖端在 x − y − z 方向上的位置会随时间而变化，这也会改变电子发射和电子光学。对于数百个发射器的阵列，必须将阵列中各个发射器之间的电子光学特性差异降至最低。在标准肖特基发射器中，尖端在其使用寿命期间在 z 方向上位移 50 µ m。为了补偿这种位移，我们建议使用硅橡胶室温硫化 (RTV) 566 对尖端进行原位位置对准。RTV 566 在 − 115 ◦ C–260 ◦ C 范围内具有良好的热稳定性、低排气性以及与不同材料组良好的粘合性 [2]。RTV 566 广泛应用于各种机械和电子工程应用，如汽车加热软管、芯片键合、太阳能电池、空间应用和火花塞帽。控制 z 轴运动的拟议设计示意图如图所示。1.在
高的分离偶极组MBRD，用于高...
摘要 - 大型强子对撞机（LHC）的下一个升级（称为高亮度LHC）的目的是使加速器的碰撞率提高十倍。为了实现此目标，将更换Atlas和CMS实验相互作用区域之前和之后的偶极子和四极磁体。其中之一是分离重组偶极子MBRD，该偶极子MBRD的目标积分磁场为35 t·m的双孔径为105 mm，沿磁场沿4.78 m的磁场获得4.5 t。该磁铁开发的主要挑战之一是，这两个孔必须具有相同的极性，这会导致它们之间的磁串扰。因此，有必要为线圈开发左/右不对称的孔圈线圈设计，以补偿这种效果，这将产生不良的多物。另一个与两个孔径的极性相关的问题，这是通过在两个领孔周围组装的Al Alloy套筒的实现来管理的。该设计是在Cern-Infn Genova协议的框架内进行的，该行业的ASG超导体正在进行。1.6 m长的模型是建立并成功测试的，然后建造了一个全长原型，该原型最近交付给了CERN，而预计将在2022年初开始构建6个磁铁系列。此贡献将描述原型组装状态，还涵盖了领域的质量（FQ）方面，讨论了ASG的温暖磁性测量结果及其在谐波含量方面的含义。
UC Davis
金属光（金属光（金属）是高亮度电子束的重要来源，在大规模加速器和台式显微镜的运行中无处不在。当金属的表面通过光波长的顺序进行纳米工程设计时，它可能导致表面等离子体偏振仪波的激发和结合，这些波动层驱动非线性光发射。在这项工作中，我们旨在评估金等离激元纳米植物，作为通过非线性光发射为加速器生产明亮电子束的概念。我们首先将它们的光学特性与数值计算从第一个原理进行比较，以确保我们制造这些纳米级结构的能力。通过测量发射光电流，可以发现它们的非线性光发射产量，因为它们的驱动激光的强度各不相同。最后，使用螺线管扫描技术发现该电子源的平均横向能。我们的数据证明了这些阴极的能力，可以在光发射对以线性过程驱动的金属上的光发射效率方面提高十倍。我们发现，在大于2 GWCM -2的光敏性下，这些阴极具有稳健性，并且能够达到100 na的持续平均电流，而不会降解性能。发现生成的束的发射量是高度不对称的，我们可以通过涉及图案表面的不对称粗糙度的计算来解释这一事实。这些结果表明，使用纳米工程表面作为增强的光（增强光），为高平均电流电子束提供了强大的空气稳定来源，具有巨大的工业和科学应用潜力。
发光电化学电池的效率下降
如果要合理设计高效、明亮的发射技术，理解“效率滚降”（即发射效率随电流增加而下降）至关重要。新兴的发光电化学电池 (LEC) 可以通过环境空气打印以成本和能源高效的方式制造，这得益于 pn 结掺杂结构的原位形成。然而，这种原位掺杂转变给有意义的效率分析带来了挑战。本文介绍了一种分离和量化主要 LEC 损耗因素（特别是出耦合效率和激子猝灭）的方法。具体而言，测得常见单线态激子发射 LEC 中发射 pn 结的位置随电流的增加而显著移动，并量化这种移动对外耦合效率的影响。进一步验证了 LEC 特有的高电化学掺杂浓度在低驱动电流密度下就已经使单重态极化子猝灭 (SPQ) 变得显著，而且由于 pn 结区域中极化子密度的增加，SPQ 还会随着电流的增加而超线性增加。这导致 SPQ 在相关电流密度下主导单重态-单重态猝灭，并且显著有助于效率下降。这种解释 LEC 效率下降的方法有助于合理实现在高亮度下高效的全印刷 LEC 设备。
引文：Peng RS、Xu SR、Fan XM、Tao HC、Su HK、Gao Y、Zhang JC 和 Hao Y，自组装 Ni 制备纳米图案化 InGaN 的应用
自 1993 年 Shuji Nakamura 制成第一只 GaN 基蓝光发光二极管 (LED) 以来 [1]，基于 III 族氮化物材料的 LED 发展迅速并得到了广泛的应用。然而，导致绿光 LED 效率低下的“绿光隙”一直未能得到解决，而蓝光和红光 LED 却实现了较高的发光效率 [2,3]。造成上述问题的原因之一是 InxGa1-xN/GaN 多量子阱 (MQW) 中铟组分的增加，而这是为了使 InGaN 基 LED 能够发出更长的波长的光。由于 InGaN 与 GaN 之间的晶格常数和热膨胀系数不匹配 [4,5]，以及 InN 在 GaN 中的低混溶性 [6]，高铟组分 InGaN QW 的绿光 LED 会遭受晶体质量劣化。同时，还会产生大量的位错，它们充当非辐射复合中心[7]，对发光是不利的。另一方面，有源区产生的光很难从高折射率半导体（n GaN = 2.5）逸出到空气中（n air = 1）。内部光的临界角（θ c ）或逸出锥仅为~23.6°[θ c = sin −1（n air /n GaN ）]，超过此角度发射的光子会发生全内反射，因此只有一小部分光可以逸出到周围的空气中[8]。绿光是三原色之一，提高绿光LED的发光效率是实现高效率、高亮度RGB（红、绿、蓝）LED的关键。
![arXiv:2003.11092v1 [physics.ins-det] 2020 年 3 月 24 日](/simg/9\90f84539285a60ac468aeb538aa84740eab0b79c.webp)
arXiv:2003.11092v1 [physics.ins-det] 2020 年 3 月 24 日
2025 年至 2027 年间，CMS（紧凑型μ子螺线管）探测器的一些重要组件（最显著的是跟踪器和量热仪端盖）将进行升级，以应对 HL-LHC（高亮度大型强子对撞机）条件。升级后的 CMS 外部跟踪器和新型 CMS 高粒度量热仪（HGCAL）的部件将包含超过 50,000 个新型硅传感器，总面积约为 800 平方米。传感器批量生产需要专门的策略来监控生产过程的质量和稳定性。该策略基于一个测试结构集，可通过该结构集快速轻松地访问关键工艺参数。这些参数包括传感器上无法直接访问的参数（例如氧化物电荷浓度和界面陷阱密度）以及需要潜在破坏性测量的参数（例如介电强度）。该组在每个生产晶圆上至少实施两次。它分为用于初步评估最相关工艺参数的测试结构和用于深入分析的结构。所有结构都可使用 20 针探针卡和自动定位台进行接触。使用该系统，大约 30 分钟内即可完成一个晶圆的初步分析。在本文中，CMS 合作提出了第二阶段升级的质量保证计划，重点是工艺质量控制。我们介绍了传感器工艺细节、将在 CMS 外部跟踪器和 HGCAL 的生产运行中实施的测试结构集的布局，以及说明所含测试结构功能的测量结果。
新加坡国立大学高能离子纳米...
新加坡国立大学核显微镜研究中心拥有三条最先进的光束线，连接到高亮度高压工程 Europa 3.5 MV Singletron 加速器。其中一条线是 NEC（美国国家静电公司）离子通道设备，利用宽束离子束分析技术进行先进材料研究。另外两条线是微束设备；一条用于生物医学样品和先进材料的核显微镜，需要相对较高的电流（>50 pA）；另一条用于质子束微加工（PBM）和材料改性，可使用较低的电流。对两条微束线的分辨率性能进行了测量，结果如下：（1）核显微镜线采用 Oxford Microbeams OM2000 终端站，配备以高激发三重态模式配置的 OM50 四极透镜。该线在 290 400 nm 的分析应用中实现了世界最佳性能，适用于 2 MeV 质子的 50 pA 电流。（2）PBM 线是世界上第一条此类线，它采用了新一代紧凑型（OM52）四极透镜（Oxford Microbeams Ltd.），也配置了高激发、三重态配置。该设备具有出色的缩小性能，在低电流应用方面实现了世界最佳性能。使用直接扫描透射离子显微镜测量的束流为每秒 10,000 个质子，光斑尺寸为 35 75 nm。2003 Elsevier BV 保留所有权利。
采用 GaN-on-Si microLED 和 microPD 矩阵进行短距离光通信
尽管与近红外光通信中使用的光子器件相比，GaN microLED 器件的射频带宽相对较小，但它们能够缩小到 1 μ m 到 10 μ m 之间的非常小的间距，并且具有高亮度和在高温下工作的能力，这使它们成为短距离光通信的有趣器件。人工智能 (AI) 或高性能计算 (HPC) 等应用正在推动更高性能、更好能源效率和低延迟短距离互连的发展。事实上，据报道，15 AI 开发所需的硬件性能的扩展速度远远快于互连和内存数据速率。因此，芯片间或芯片内通信预计将成为 AI 技术进步的主要限制因素，这加强了人们对 GaN microLED 等新型短距离光互连的兴趣。我们介绍了 CEA-LETI 最近开展的工作，重点是开发短距离芯片到芯片光通信，如图 1 所示，使用 InGaN/GaN microLED 和微型光电二极管 (microPD)。这项工作利用了最初为微型显示器开发并适用于 200 毫米 ASIC 的外延、器件和集成工艺。在概述 microLED 在通信方面的预期优势并将其与替代技术进行比较后，我们将简要介绍一种集成工艺，该工艺旨在在控制 ASIC 上方组装密集的 microLED 矩阵。将重点介绍主要的性能指标，以评估
碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。
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后座多功能显示屏 • 分辨率为 1920x1080，21 英寸对角线 • 触摸屏 • 高亮度 • 日光下可读 飞行加固 COTS 计算机 • 5 台 PC、1 台 Linux 计算机 • 提供便捷的客户软件集成和飞行测试 认知航空电子工具集 (CATS) • 用于同步计算、记录和显示人体生理状态、性能和飞机状态的软件工具 • 功能 • 软件工具包括基于生理状态的认知工作量 • ECG 监测 眼动仪 • 集成在 F-35 头盔中的双目眼动仪 • 安装在 F-35 头盔中的 Dikablis Professional 眼动仪 • 计算、记录和广播实时注视和眼球运动。高清音频和视频录像机 • 后座 MFD 帧缓冲器 • 头盔 HMD 帧缓冲器 • 飞行员面对摄像头视图 • 眼动仪计算机帧缓冲器 • 前座前视图 • 四通道音频记录和线性时间码 飞机在环 (AIL) 模拟器 • 两架 L-29 飞机都配备齐全，可用作机库中的 AIL 模拟器 • 模拟集成控制装置可实现完整的驾驶舱模拟 • F-35 HMD 头盔在模拟模式下完全可操作 • 可以在任何（虚拟）位置飞行 • 与 Coalescence 混合现实系统集成，实现完全沉浸式体验 • Prepar3d 模拟软件完全集成，可用于飞行和模拟 • CORE 模拟软件可进行 A/G 和 A/A 模拟