本报告中提出的研究和分析是基于与海军、工业界和智库人员的宝贵研究咨询得出的。我们特别要感谢波音公司、亨廷顿英格尔斯工业公司、洛克希德马丁公司、军事海运司令部、国家钢铁和造船公司、海军历史和遗产司令部、诺斯罗普格鲁曼公司、OPNAV N98-Air Warfare 和航母项目执行办公室。本报告的部分创作资金由亨廷顿英格尔斯工业公司提供。
90nm 系列包括低功耗 CS100A-LL、高性能 CS100 和通用 CS100A-G,让客户能够灵活地选择合适的技术来区分其产品。CS100 的 HV(高 Vth 晶体管)比 CS100A-G 具有更高的性能和更低的功耗。I/O 范围为 1.8V 至 3.3V,SRAM 存储器单元尺寸小于 1.0µm 2 。
