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Marco Passerini于2004年从帕维亚大学获得电子工程学位博士学位后,Marco在Flash Memories领域担任Atmel的模拟设计师4年。2008年,他加入了新开设的意大利Spansion Center,致力于开发First CT(Charge Trap)-NAND。2012年,该中心被SK Hynix收购。目前,Marco是Italy SK Hynix的模拟团队负责人,在238层3D NAND开发中工作。

NAND Flash Memories中的许多革命

NAND Flash Memories中的许多革命PDF文件第1页

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