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bo完成了他的教育，应用工程（Teknisk Fysik）在斯德哥尔摩科技研究所，KTH，1982年。他在瑞典微波技术学院（Simt），1982年开始担任材料和设备复合半导体开发的科学家。BO很快就负责从头开始启动Ingaasp的Hydride蒸气相位外观。同时，在BO小组中设计了，重建和设置Ingaasp材料特征，例如PL，DCX射线，Hall测量和IV。BO 1983年在我们团队中的贝尔实验室默里·希尔（Murray Hill NJ）提供了12个月的职位，以开发和改善Ingaasp的HVPE。在这里，他还发现了一种新的方法，可以使HVPE和氮作为载气进行半胰岛INP：Fe。贝尔实验室后，他加入了Epitaxx，普林斯顿从RCA旋转了6个月。他的小组开始开发高级1,3 UM的LED，进行光纤交流。
bo hammarlund
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