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量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
量子点自对准介电微球的光子喷射写入
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