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摘要 虽然膜基固态纳米孔的电模型已经得到很好的建立，但是硅基金字塔纳米孔由于两个显著特点而无法应用这些模型。一是其35.3°半锥角，这给纳米孔内移动离子带来了额外的阻力。二是其入口为矩形，这使计算访问电导变得困难。本文，我们通过引入有效电导率，提出并验证了一种硅基金字塔纳米孔的有效传输模型 (ETM)。半锥角的影响可以用减小的扩散系数 (有效扩散系数) 等效地描述。由于扩散系数的减小会导致电导率减小，因此在 ETM 中采用有效电导率来计算体积电导率。在经典模型中，使用本征电导率。我们使用自上而下的制造方法来生成金字塔形硅纳米孔，以测试提出的模型。与经典模型较大的误差（大多数情况下为25%）相比，ETM预测电导率的误差小于15%。我们还发现当过量离子浓度与本体离子浓度的比值小于0.2时，ETM是适用的。最后证明了ETM可以估算金字塔硅纳米孔的尖端尺寸。我们相信ETM将为金字塔硅纳米孔的评估提供一种改进的方法。
具有有效离子传输的金字塔硅纳米孔建模
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