扫描电子显微镜（SEM）图像显示了INGAAS纳米线在Si上的选择性区域生长：垂直排列的纳米线在Si（111）底物上生长。纳米线之间的表面被SIO 2纤维覆盖。纳米线的直径为90 nm，高度为760 nm。