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林肯实验室正在开发一种结合氮化镓 (GaN) 和硅互补金属氧化物半导体 (Si CMOS) 器件的技术，以便为先进的相控阵系统提供更高效的 HPA 和高度集成的发射器/接收器 (T/R) 模块。由于 GaN 的宽带隙，在 Si 衬底上生长的 GaN 器件可提供高输出功率、高效率和宽带宽。使用 CMOS 器件可以集成额外的高密度和节能的 T/R 硬件组件，例如移相器、模数转换器和数模转换器以及数字控制器。将这些组件集成在单个集成电路上可大大降低相控阵系统的成本，并实现电路技术，例如用于在宽带宽上提高功率放大器效率的技术，这些技术在其他情况下可能无法实现。
麻省理工学院林肯实验室 2015
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