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拜登-哈里斯政府宣布与博世达成初步协议，以提高美国关键半导体制造部件供应链的弹性
今天，拜登-哈里斯政府宣布，美国商务部和博世公司已签署一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，根据《芯片和科学法案》提供高达 2.25 亿美元的拟议直接资金
来源:美国国家标准与技术研究院__制造业信息今天，拜登-哈里斯政府宣布，美国商务部和博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，根据《芯片与科学法案》提供高达 2.25 亿美元的拟议直接资金。拟议的投资将支持博世计划投资 19 亿美元，改造其位于加州罗斯维尔的制造工厂，用于生产碳化硅 (SiC) 功率半导体。这笔拟议的直接资金将支持博世扩建其全球最大的 SiC 设备工厂，这将显著提高公司的生产能力，并在加州创造多达 1,000 个建筑岗位和多达 700 个制造、工程和研发岗位。
今天，拜登-哈里斯政府宣布，美国商务部和博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，根据《芯片与科学法案》提供高达 2.25 亿美元的拟议直接资金。拟议的投资将支持博世计划投资 19 亿美元，改造其位于加利福尼亚州罗斯维尔的制造工厂，用于生产碳化硅 (SiC) 功率半导体。这笔拟议的直接资金将支持博世在全球最大的 SiC 设备工厂的扩建，这将显著提高公司的生产能力，并在加利福尼亚州创造多达 1,000 个建筑工作岗位和多达 700 个制造、工程和研发工作岗位。 美国商务部长吉娜·雷蒙多。 白宫副幕僚长娜塔莉·奎利安“罗斯维尔的投资使博世能够在当地生产碳化硅半导体，支持美国消费者走上电气化道路，”博世北美和博世移动美洲总裁保罗·托马斯表示。“在美国生产这项关键技术凸显了我们在移动市场的领导地位。”
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