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新理论阐明了为什么隧道磁磁性振荡屏障厚度
研究人员已经开发了一种新理论，该理论解释了为什么在磁性记忆和其他技术中使用的隧道磁磁性（TMR）会随着磁性隧道连接（MTJ）内绝缘屏障的厚度的变化而振荡。当NIMS最近记录了世界上最高的TMR比时，明确观察到了这种振荡。理解这种现象背后的机制有望显着有助于进一步提高TMR比率。
来源:英国物理学家网首页研究人员已经开发了一种新理论，该理论解释了为什么在磁性记忆和其他技术中使用的隧道磁磁性（TMR）会随着磁性隧道连接（MTJ）内绝缘屏障的厚度的变化而振荡。当NIMS最近记录了世界上最高的TMR比时，明确观察到了这种振荡。理解这种现象背后的机制有望显着有助于进一步提高TMR比率。
这项研究是在物理评论B中发表的。
已发布 物理评论bTMR效应是一种在称为磁性隧道连接（MTJ）的薄膜结构中观察到的现象。它是指电阻的变化，这取决于两个磁性层（即平行或反平行比对）在被绝缘屏障隔开的磁性层的相对对齐。为了扩大其潜在应用，包括提高磁性传感器灵敏度和磁性记忆能力的扩展，希望开发具有较大TMR效应的MTJ（以较高的TMR比率）发展。
电阻 磁性记忆 振荡更多信息：Keisuke Masuda等人，隧道磁磁性振荡理论，物理评论B（2025）。 doi：10.1103/physrevb.111.l220406
更多信息： doi：10.1103/physrevb.111.l220406期刊信息：物理评论B
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