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钻石设备中断限制：科学家公开新的高性能核级晶体管
朝向钻石CMOS集成电路的发展迈出了一步。 NIMS的一个研究团队开发了世界上第一个N渠道钻石MOSFET（金属氧化物 - 氧化物 - 磁导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于钻石的CMO（互补金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型）的重要一步，从而使它们在极端环境中的使用并促进了基于钻石的[...]
来源:SciTech日报金刚石 CMOS 集成电路的发展向前迈进了一步。
NIMS 的研究团队开发出了世界上第一个 n 沟道金刚石 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于金刚石的 CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路迈出了重要一步，使其能够在极端环境中使用，并推动基于金刚石的电力电子器件的发展。
金刚石作为半导体，具有卓越的物理特性，包括 5.5 eV 的超宽带隙、高载流子迁移率和出色的导热性。这些特性使金刚石成为一种非常有前途的材料，可用于极端条件下的高性能、高可靠性应用，例如高温和强辐射（如核反应堆堆芯附近的条件）。
与传统半导体相比，金刚石电子器件不仅减少了对复杂热管理系统的需求，而且还提供更高的能源效率、更高的击穿电压容限以及在恶劣环境下增强的耐用性。
半导体Diamond CMOS 集成需求
设计和性能验证
此外，该团队还验证了 MOSFET 优异的高温性能，其场效应迁移率（晶体管的重要性能指标）在 300°C 时约为 150 cm2/V･sec（图中右图）。
先进科学 DOI：10.1002/advs.202306013 谷歌 发现 新闻