详细内容或原文请订阅后点击阅览
英飞凌推出“全球最薄”硅功率晶圆
英飞凌科技公布了其所描述的半导体制造技术的“下一个里程碑”。英飞凌表示，它在大规模半导体晶圆厂中处理和加工“有史以来制造的最薄硅功率晶圆”方面取得了“突破”，厚度仅为 20 微米，直径为 300 毫米。超薄硅晶圆 […]
来源:机器人与自动化新闻Infineon Technologies推出了它所说的“半导体制造技术中的下一个里程碑”。
Infineon TechnologiesInfineon说，它在处理和处理“有史以来最薄的硅电晶片”方面已达到“突破性”，在高规模的半导体晶圆厂中，厚度仅为20微米，直径为300毫米。
超薄的硅晶片只有四分之一的厚度，就像人毛一样厚，一半厚的一半厚度为40-60微米的当前最新晶片。
Infineon Technologies首席执行官Jochen Hanebeck说：“世界上最薄的硅晶圆晶圆是我们致力于通过突破电力半导体技术的技术界限来提供出色客户价值的证明。
“ Infineon在超薄晶圆技术方面的突破标志着节能功率解决方案迈出了重要一步，并有助于我们利用全球趋势脱碳和数字化的全部潜力。
“通过这项技术杰作，我们通过掌握所有三种相关的半导体材料：SI，SIC和GAN来巩固自己作为行业创新领导者的地位。”
这项创新将大大有助于提高AI数据中心应用以及消费者，电动机控制和计算应用程序的功率转换解决方案的能源密度和可靠性。
与基于常规的硅瓦金夫妇相比，晶片的厚度将晶片的底物耐药性降低了50％，在电力系统中将功率损失降低了15％以上。
对于高端AI服务器应用程序，不断增长的能源需求是由较高的电流驱动的，这在电源转换中尤为重要：在这里，电压必须从230 V降低到1.8 V以下的处理器电压。
“随着人工智能数据中心的能源需求正在显着上升，能源效率越来越重要。对于Infineon来说，这是一个快速增长的商机。