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纳米级晶体管可实现更高效的电子设备
研究人员正在利用量子力学特性来克服硅半导体技术的极限。
来源:MIT新闻 - 人工智能硅晶体管用于放大和开关信号，是大多数电子设备的关键组件，从智能手机到汽车。但是，硅半导体技术受到基本物理极限的阻碍，可防止晶体管在一定电压以下运行。
这种限制，称为“ Boltzmann暴政”，阻碍了计算机和其他电子产品的能源效率，尤其是随着需要更快计算的人工智能技术的快速发展。
为了克服这种硅的基本限制，麻省理工学院的研究人员使用一组独特的超薄半导体材料制造了不同类型的三维晶体管。
他们的设备只有垂直纳米线，只有几纳米宽，可以提供与最先进的硅晶体管相当的性能，同时在电压低得多的电压下高效地工作。
“这是一项有可能取代硅的技术，因此您可以将其与硅当前具有的所有功能一起使用，但能源效率更高，”麻省理工学院博士后兼新晶体管论文的首席作者Yanjie Shao说。
晶体管利用量子机械性能同时实现仅在几个平方纳米的区域内实现低压操作和高性能。它们的尺寸极小，可以使更多的3D晶体管被包装到计算机芯片上，从而产生快速，强大的电子产品，这些电子产品也更节能。
“使用常规物理学，到目前为止，您只能去。 Yanjie的工作表明我们可以做得更好，但我们必须使用不同的物理学。这种方法将来要成为商业活动仍有许多挑战，但从概念上讲，这确实是一个突破。
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