©CeFEMA 2016。特蕾莎·莫尔加多、迪娜·阿方索和佩德罗·塞巴斯蒂安。平面设计:马里奥·巴罗斯。封面照片:Daniel Ferreira。背面照片:Ana Casimiro。
PE1_1 逻辑与基础 PE1_2 代数 PE1_3 数论 PE1_4 代数和复几何 PE1_5 李群、李代数 PE1_6 几何与全局分析 PE1_7 拓扑 PE1_8 分析 PE1_9 算子代数和泛函分析 PE1_10 ODE 和动力系统 PE1_11 偏微分方程的理论方面 PE1_12 数学物理 PE1_13 概率 PE1_14 统计学 PE1_15 离散数学与组合数学 PE1_16 计算机科学的数学方面 PE1_17 数值分析 PE1_18 科学计算和数据处理 PE1_19 控制理论与优化 PE1_20 数学在科学中的应用 PE1_21 数学在工业和社会中的应用 PE2 物质的基本构成 粒子、核、等离子体、原子、分子、气体和光学物理
09:30 ~ 09:45 Germar Hoffmann Sunao Shimizu Yu-Wei Chen Ravish Kumar Jain YingLin Li Yu Hung Lin JaYil Lee Yan-Ru Chen Chan-Ching Lien Saikat Karmakar Po-Feng Wu Amar Aryan Chen-Kang Huang Hsin-Yeh Wu Chin-Chia Wu Anli Tsai
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像: (a) 栅极区域截面; (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像; (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像; (d) 在漏极形成的痕迹; (e) 如图 (d) 所示,轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
图1。ndnio 2中的电荷顺序[24]:(a)从钙钛矿Ndnio 3(灰色)到Infinite-Layer ndnio 2(红色)的还原途径的示意图,具有各种中间状态(蓝色); (b) - (d)样品J的茎结果,可以在面板(d)中区分根尖氧空位,从而导致Q//≈(1/3,0)在傅立叶变换图像(b)中的超晶格峰; (e)在Q //≈(1/3,0)围绕Ni L 3边缘处的弹性RXS测量,实体和虚线分别是具有σ和π偏振入射X射线的数据; (f)在ND M 5边的RXS测量; (g),(h)带有样品C和D的固定波形的RXS信号的能量依赖性,阴影区域表示标称电荷顺序贡献。黑色和红色箭头突出显示了Ni 3D-RE 5D杂交峰和Ni L 3主共振,样品C的中间状态比样品D较大,从而导致超晶格峰更强。
Author The China Electronics Standardization Institute (CESI; 中国电子技术标准化研究院 ; 电子标准院 ) is the "compiling unit" ( 编写单位 ) for this white paper.CESI is a think tank subordinate to the PRC Ministry of Industry and Information Technology (MIIT; 工业和信息化部 ; 工信部 ); CESI is also known as the 4th Electronics Research Institute ( 电子第四研究院 ; 电子四院 ) of MIIT.The National Artificial Intelligence Standardization General Working Group ( 国家人工智能标准化总体组 ) and the Artificial Intelligence Subcommittee ( 人工智能分委会 ) of the National Information Technology Standardization Technical Committee (SAC/TC 28; 全国信息技术标准化委员会 ; 全国信标委 ) are the "guidance units" ( 指导单位 ) for this white paper.The Standardization Administration of China ( 国家标准化管理 委员会 ) stood up the National Artificial Intelligence Standardization General Working Group in 2018.
【摘要】肾移植围手术期并发症发生率较高,肾移植围手术期管理是肾移植受者早日康复、肾功能顺利恢复的关键因素之一,也成为肾移植团队面临的新挑战。为进一步规范肾移植围手术期技术操作,提高肾移植围手术期临床诊疗水平,中华医学会器官移植分会、中国医师协会器官移植医师分会组织国内临床移植、护理、流行病学等相关领域专家,采用2009版牛津大学证据分级及推荐强度分级标准。本文针对肾移植围手术期的护理与监护、容量评估、营养与液体补液、水电解质酸碱平衡等22个临床问题提出了详细的循证建议,旨在通过循证临床实践改善我国肾移植围手术期的临床预后。
式上的主旨演讲》,新华网,2019 年 5 月 15 日, http://www.xinhuanet.com/politics/2019-05/15/ c_1124499458.htm 。
1 新加坡国立大学量子技术中心 2 MajuLab,CNRS-UNS-NUS-NTU 国际联合研究中心,新加坡 UMI 3654,新加坡 3 南洋理工大学国立教育学院,新加坡 637616,新加坡 4 北京大学微电子研究所,北京,中国 5 南洋理工大学量子科学与工程中心 (QSec),新加坡 6 南洋理工大学电气与电子工程学院,新加坡 7 电子科技大学光电科学与工程学院,成都 610054,中国 8 中山大学物理与天文学院,珠海 519082,中国 9 清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室,北京 100084,中国 10 中国科学技术大学量子信息与量子物理协同创新中心,安徽合肥230026,中国 11 济南量子技术研究所,上海信息通信研究院,济南 250101,中国