宣传册描述了该公司目前流行的高品质接收器,您已经阅读了该接收器的出色评论以及几份公司客户简报。宣传册描述了一款 23 管“全频高保真”接收器,配有镀铬调谐器底盘、镀铬 35 瓦“无失真”功率放大器(使用最近推出的 2A3 功率管)、优质 12 英寸电动底座扬声器和两个可选“高音扬声器”。调谐器具有连续可变选择性,带有中频
开发了用于激发和记录厚度 h S 300 ÷ 500∙10 3 纳米和直径 D 60 ÷ 100∙10 – 3 米的 SiO 2 /Si 圆盘状晶片中的阻尼弯曲共振的方法、设计和制造了用于测量结构敏感内耗 (IF) Q – 1 的装置。开发了用于无损检测圆盘状半导体基板中结构缺陷积分密度 nd 和破损层深度 h bl 的技术。通过测量谐波频率 f 0 、f 2 下的 IF 背景 Q – 1 0,可以通过实验确定振动圆盘的节点线。这样就可以对寻找这些节点线的理论计算进行修正,同时考虑到圆盘的线性尺寸及其连接方法。研究了 X 射线和电子辐照 SiO 2 /Si 盘状晶片板后的温度中频谱 Q – 1 ( Т )。结果发现,在测量过程中,Si 结构缺陷的退火会改变温度中频谱 Q – 1 ( Т ) 的形状。在以速度 V Δ T/ Δ t ≤ 0.1 K/с 加热 SiO 2 /Si 晶片板时,可以观察到由点缺陷形成的中频峰 Q – 1 M 。这使得能够确定辐射缺陷各向异性复合体重新取向的活化能 H 。通过建立中频背景参数 Q – 1 0 的稳定性,可以确定半导体晶片板及其基于的器件的抗辐射性。所提出的方法可用作控制微电子用半导体晶片板晶体结构缺陷的无损方法。
摘要 事件相关电位(ERP)反映了大脑对外部事件作出反应的神经生理变化,其背后的复杂时空特征信息受大脑内持续的振荡活动支配。深度学习方法以其出色的特征表示能力越来越多地被用于基于ERP的脑机接口(BCI),可以深入分析大脑内的振荡活动。时空频率较高的特征通常表示详细和局部的信息,而时空频率较低的特征通常表示全局结构。从多个时空频率中挖掘脑电特征有利于获得更多的判别性信息。本文提出了一种多尺度特征融合八度卷积神经网络(MOCNN)。MOCNN将ERP信号分为对应于不同分辨率的高频、中频和低频分量,并在不同的分支中进行处理。通过添加中频和低频分量,可以丰富MOCNN使用的特征信息,并减少所需的计算量。 MOCNN 在使用时间和空间卷积进行连续特征映射后,通过分支间特征信息交换实现不同组件间的交互式学习。将融合的深度时空特征从各个组件输入到全连接层,实现分类。在两个公共数据集和一个自采集的 ERP 数据集上获得的结果表明,MOCNN 可以实现最佳的 ERP 分类性能。本研究将广义的八度卷积概念引入到 ERP-BCI 研究领域,通过分支宽度优化和各个尺度上的信息交互,可以从多尺度网络中提取有效的时空特征。索引词——脑机接口、事件相关电位、深度学习、多尺度、八度卷积神经网络。
结果。结果表明,不同频率的人每天记住的单词数量存在明显差异。从第 3 天到第 5 天,我们发现,与其他频率相比,使用 5 Hz 记住的单词数量更多。如果我们考虑到在脑磁图记录过程中记住的单词数量,那么在第二次测量中会发现显著差异,5 Hz 和 13 Hz 之间以及 5 Hz 和 RB 之间的单词数量较多。在中频中,仅在5Hz频率的刺激下才呈现显著差异。结论。频率为 5 Hz 的长期听觉刺激会使大脑活动与此节奏结合,从而增强即时言语记忆的能力。
描述了钻石光源的多功能软X射线(Versox)Beamine B07的束线光学元件和端站。b07-b从弯曲磁铁源提供45-2200 eV范围内的中频X射线,可访问从李到y到y的所有元素原子的局部电子结构。它具有高通量X射线光电子体外镜头(XPS)和近边缘X射线吸收精细结构(NEXAFS)测量的终端站。b07-b具有从UHV到环境压力的压力(1 atm)的第二个终端群。这些终点站的组合允许对各种界面和材料进行研究。详细讨论了梁线和端积设计,以及它们的性能和调试过程。
超声被定义为频率高于 20 kHz 的周期性振动声波。14 这些声波可用作一种独特的诊断方式,在医学上提供非侵入性实时成像。15 此外,超声自 20 世纪初以来就一直用于治疗,具有许多优势,例如易于应用和时空控制。16 – 18 医学超声根据频率和应用分为三类:低频超声描述低于 1 MHz 的声波,可用于超声导入、透皮渗透性增强、超声杀菌剂和组织消融。19,20 应用安全性随着频率的增加而提高,因为对组织的损伤和过热减少。中频超声介于 1 至 5 MHz 之间,高频超声描述高于 5 MHz 的声波。
这项研究旨在合成由Al 2 O 3和Ta 2 O 5制成的多层氧化物薄膜用于介电应用。由两个,四个或八个氧化物层制成的多层薄膜由物理蒸气沉积合成,特别是中频脉冲的直流电流磁子溅射。薄膜由化学计量的Al 2 O 3和Ta 2 O 5层制成,该层具有从扫描电子显微镜(SEM)获得的横截面图像中观察到的特定形态。Al 2 O 3层具有柱状结构,而TA 2 O 5层均匀致密。X射线衍射(XRD)特征表明,由于磁控溅射过程中使用的实验条件,尤其是底物的低温,这些氧化层的结晶度非常有限。
本文介绍了功率循环测试台的最新进展,该测试台旨在在低 Δ TJ(>10 9 次循环,10 至 20°C)下执行非常高的循环次数。该测试台基于桥式逆变器的操作,其中功率器件是要测试的模块,并在实际条件(切换)下对功率芯片进行功率循环,具有很高的灵活性。该设备可以执行功率循环常规测试(低频,0.01Hz 至 0.1Hz)以及使用由 PWM 调制调整的中频(10Hz 至 100Hz)负载电流引起的温度变化进行快速测试。简要介绍了测试台,并通过使用红外摄像机对 1200V-75A IGBT 模块进行的热测量说明了现在可用的功率循环模式。最后,介绍了低温波动(10°C 和 20°C)下的老化测试结果。