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World File Search System二极管
垂直范德华异质结二极管由 3D β-Ga2O3 上的 2D 半导体组成
摘要：宽带隙半导体，例如氧化镓 (Ga 2 O 3 )，因其在下一代高功率电子器件中的应用而备受关注。尽管单晶 Ga 2 O 3 衬底可以常规地从熔体中沿各种取向生长，但关于这些取向的影响的报道却很少。此外，由于缺乏 p 型掺杂，用 Ga 2 O 3 制造整流 pn 二极管一直很困难。在本研究中，我们通过改变以下三个因素在 β-Ga 2 O 3 上制造和优化了 2D/3D 垂直二极管：衬底平面取向、2D 材料选择和金属触点。使用高温相关测量、原子力显微镜 (AFM) 技术和技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟验证了我们的设备的质量。我们的研究结果表明，2D/3D β-Ga 2 O 3 垂直异质结通过基底平面取向（-201）进行优化，结合 2D WS 2 剥离层和 Ti 接触，并显示出记录的整流比（> 10 6 ）同时具有导通电流密度（> 10 3 A cm -2 ），可用于功率整流器。
超快软恢复整流器二极管...bes lite系列
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标题：基于全喷墨印刷有机二极管的 13.56 MHz 整流器
FA Viola 博士、B. Brigante、P. Colpani、G. Dell'Erba 博士、Dario Natali 教授、M. Caironi 博士，意大利理工学院纳米科学与技术中心@PoliMi，地址：via Pascoli 70/3，邮编 20133 米兰，意大利。电子邮件：mario.caironi@iit.it Dr. V. Mattoli 微型生物机器人中心，意大利理工学院，viale Rinaldo Piaggio 34, 50125 Pontedera (PI), 意大利 Prof. D. Natali 米兰理工大学电子、信息和生物工程系，via Ponzio 34/5, 20133 米兰，意大利 关键词：印刷电子、RFID、二极管、整流器、有机半导体
首先在1.2 kV SIC MOSFET身体二极管鲁棒性测试
1。上下文SIC MOSFET由于其强劲的损失而广泛用于新应用设计，并且具有高开关频率和高工作温度的功能。与氧化门相关的可靠性问题已经很好地解决，并且已经发表了许多有关阈值电压不稳定性的研究[1; 2]。使用车身二极管避免外部Schottky二极管[3; 4]。在本研究中，对1.2 kV的SIC MOSFET体二极管进行了压力并进行了研究，以确定使用时任何衰老或降解问题。
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
二极管效应在约瑟夫森连接处具有单个磁...
Martina Trahs，Larissa Melikek，Jacob F. Steinen Tammena，Nils Bogs，Nils Bagram Gamed，Kixtix Vend，Casharina Frank
二极管泵浦无循环液体染料激光器的时间动态
报道了一种高度稳定的垂直外腔二极管泵浦无循环液体染料激光器。该设计简单（无需制造工艺步骤，无流体回路）、紧凑（~ cm 大小）且经济高效。报道的光学效率为 18%，M² 为 1，具有出色的光稳定性——在 50 Hz 下 140 万次脉冲后效率没有下降，该值与流动系统相当，远高于有机固态激光器可实现的值。我们表明热效应是该激光器稳定性和动力学的核心。详细研究了不同泵浦脉冲持续时间/重复率的激光建立和关闭动力学；它们表明，随着泵浦脉冲持续时间和重复率的增加，脉冲缩短，这被证明是由于热透镜衍射损耗造成的。这种激光结构为测试或收获可溶液处理的增益材料提供了一个非常方便和简单的平台。
惯性聚变能激光器高功率泵浦二极管的现状与展望
2021 年 8 月 8 日，美国国家点火装置 (NIF) 创纪录的实验从内爆氘氚 (DT) 胶囊中释放出 1.35MJ 的能量，显示出 0.7 的聚变增益和强劲燃烧的等离子体。虽然这些实验和 NIF 设施并非旨在开发惯性聚变能 (IFE) 的物理学和工程学，但结果对于 IFE 的氘氚惯性约束聚变 (ICF) 物理平台的风险评估具有变革性意义。开发基于 IFE 的发电厂仍是一项十年的努力，我们面前还有许多技术挑战。但有了这种可行性证明和无碳、地理位置独立的发电厂技术的前景，建立对所有高风险和长期发展支持技术的全面研发工作至关重要。要使 IFE 成为有吸引力的能源，需要开发可靠、经济高效的高功率半导体激光器，作为高能聚变驱动激光器经济和技术上可行的泵浦源。
各向异性约瑟夫森二极管效应在拓扑杂交中...
SDE扩展的最有希望的平台之一是基于拓扑绝缘体的二极管[1]。Ti的表面提供了强的自旋轨道耦合（SOC），这使得有可能证明具有实质性的磁电效应[2]。已经向基于Ti的Josephson连接处的磁电效应支付了特殊的注意，在那里它以异常的基态相移的形式揭示了自己[3，4]。最近，已经证明，在Ti杂种结构中，在空间分离超导性和铁磁性的结构中，也对基态进行了修改[5，6]。在这种情况下，基态对应于空间不均匀的超导顺序参数。这种超导状态通常称为螺旋状态[7]。超导螺旋状态成为实现SDE的选择之一[8]。由有限的库珀对动量描述，螺旋状态可以在反转和时间反向对称性的系统中进行实现。前者与哈密顿式的SOC术语的出现相连，而后者可以由磁场引入。在这种情况下，库珀对动量的方向取决于磁场的方向。库珀对的有限含量，锁定在磁场的方向上，导致各种系统中的非偏置下降电流。在这里，我们讨论了Ti表面状态在S/TI/S系统中使用平面内Zeeman字段中的Josephson Critistal Crister和非转流运输的六角形翘曲的后果。在基于TI的设备中，六角形翘曲的影响很重要，因为它可以显着改变某些运输特性。例如，众所周知，由于费米表面的变形，在缺陷附近的伴侣效应得到了强烈增强[9]。翘曲术语也导致自旋的各向异性