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向小芯片迈进 - 开放欧洲先进封装和微集成工业代工厂 –
Chiplet 架构框架可定制的 Chiplet 模板包括：• 基于 NoC 的架构和通用 D2D 接口• Bring-Up、Chiplet 组件的安全启动• DfM / DfT - JTAG BSCAN、系统监视器• 安全与保障设计 – Caliptra、CE• 立法法规 – EU EU ESPR、EU Data Act、EU ESG 法律• 数字产品通行证 – 数字铭牌、UID、RAMI 4.0
基于忆阻器的可靠安全混沌通信，可抵御窃听者和不受信任的代工厂
混沌是一种确定性现象，在特定条件下，状态向量的轨迹变得周期性且对初始条件极为敏感，发生在非线性动态系统中。虽然传统的基于电阻的混沌通信主要关注网络上信息的安全传输，但由于外包制造，收发器本身可能会受到损害。随着资源受限的植入式和可穿戴设备中无线传感器的增长，如果传输的信息可靠且发射机设备安全，混沌通信可能是一个不错的选择。我们相信，作为第四个基本两端电路元件的忆阻器可以缩小可靠通信和安全制造之间的差距，因为它的电阻可以由设计人员而不是代工厂编程和保存。因此，在本文中，我们提出了一种基于忆阻器的蔡氏混沌收发器，它在存在窃听者的情况下都是可靠的，并且在不受信任的代工厂面前是安全的。具体来说，我们考虑相同忆阻器值下的发射器和接收器对，以显示
电切换代工厂加工的相变光子器件
尽管基于 PCM 的光子器件和电开关取得了重大进展，但将 PCM 集成到标准光子代工工艺中代表了 PCM 的一个重要技术里程碑。代工工艺集成不仅是实现 PCM 器件可扩展制造的切实途径，而且还使整个光子学界能够轻松获得 PCM 组件。值得注意的是，PCM 具有非外延性质和低加工温度，因此很容易实现 CMOS 后端集成，这从它们与 3D XPoint 内存架构的无缝集成中可以看出。我们预计，实现这一里程碑将大大加快 PCM 与大型交换矩阵的集成，并开辟新兴应用，例如任意波前合成、节能光交换和路由、量子光网络以及可扩展神经形态计算。
要求建立量子信息代工厂
量子信息科学仍然需要基础科学研究才能充分发挥其潜力。但是，如果我们要利用完整的工具集来解决该领域的紧迫问题（例如材料、设备布局或最佳纠错方法），科学家就需要获得制造的设备样品。目前，获取样品要么成本过高，要么需要与世界上为数不多的开发这些系统的团队之一密切合作。原则上，专门的量子代工厂可以为许多无法获得样品的科学家提供采用当前最佳实践设计的价格合理的样品。我们详细介绍了几种不同的代工厂模型，我们相信这些模型将有助于社区开发底层流程以及更先进的芯片布局和电路设计的科学。向更广泛的社区开放访问权限有可能大大降低进入门槛，并极大地提高凝聚态、材料表征、系统工程等领域研究人员的能力，从而为加速量子信息科学和技术的进步做出贡献。
先进微晶圆代工厂 (AMF) 硅光子学制造
关于 CMC CMC Microsystems 拥有超过 35 年的提供多项目晶圆服务的经验，涉及一系列技术，包括先进微电子、光子学和 MEMS。CMC 总部位于加拿大，通过提供设计工具、原型设计、增值封装和组装服务以及内部专业知识来降低技术采用的障碍，从而打造出一次成功原型。
英特尔定制代工厂宣布赞助 MOSIS MPW
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS（金属氧化物半导体实施服务），提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务，使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作，通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品，国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成，那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺