XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System代工
三安半导体与 Luminus Devices 合作，将 SiC 和 GaN 功率半导体产品引入美洲
加州桑尼维尔，2024 年 1 月 8 日，宽带隙功率半导体材料、组件和代工服务领域的新兴领导者三安半导体宣布 Luminus Devices 为其在美洲的独家销售渠道。这是一个自然而然的选择，因为两家公司都是三安光电的子公司，三安光电是化合物半导体创新者和全球最大的 LED 芯片制造商。这种合作的时机非常理想，因为近年来，各种电力相关行业的客户都因交货时间过长而受到影响，尤其是碳化硅 (SiC) 晶圆、肖特基二极管和 MOSFET。三安最近在中国长沙完成了价值 20 亿美元的“超级工厂”的建设，现在有能力为客户提供交货时间短的产品和代工服务，大多数产品的交货时间最短为 8 周。这座超级工厂的产能也使三安成为中国最大的垂直整合 SiC 制造商，也是全球第三大制造商。三安计划专注于代工服务，为需要 SiC 基板、外延片或裸片安全供应的成熟半导体公司提供支持。同时，三安提供 SiC 肖特基二极管和 SiC MOSFET 的交钥匙解决方案，为可再生能源和各种应用领域的新兴客户提供支持，例如工业电源、风力发电、储能、电机驱动、数据中心、暖通空调、电动汽车 (EV) 充电、光伏和其他高功率场景，在这些场景中，SiC 的优势可提供必要的稳健性、价值和效率。
压力传感器和气压计 - 霍尼韦尔航空航天
霍尼韦尔航空航天普利茅斯 霍尼韦尔航空航天普利茅斯在一个工厂下，为单一客户界面提供最先进的半导体代工和设计工程服务，根据您的需求创建、生产和交付领先的压力传感器解决方案。
IEEE 弗雷德里克·菲利普斯奖获得者
“在开发行业领先的代工逻辑工艺技术和开放式创新设计平台方面发挥了领导作用。” “在电子行业以人为本的物联网技术的开发和实现方面发挥了领导作用。” 2019 年 – ASAD M. MADNI 美国加利福尼亚州洛杉矶加利福尼亚大学交通研究所 ECE 系杰出兼职教授/杰出科学家、教员研究员
P-WLCSP 先进封装助力下一代医疗设备应用
• FEOL 采用现成的代工工艺制造集成电路 • BEOL 采用 SoP 制造，具有超薄、灵活和背面功能 • 包括精密电阻器、电容器、电感器 • 能够包含灵活的光子硅波导（美国专利 9,733,428） • 堆叠金属层之间的高密度互连 • 精确的尺寸公差简化了 IC 键合和连接 • 半导体材料与硅 IC 的 CTE 相匹配 • 顶部和底部表面均具有高密度互连
Edinger, P.、Phong Van Nguyen, C.、Takabayashi, A Y.、Antony, C.、Talli, G. 等人 (2022) 具有低功耗 MEMS 调谐的分插硅环谐振器
硅光子学正迅速扩展到传感和微波光子学等新应用领域 [1]。此类应用需要可调谐滤波器，而可使用波导环形谐振器 (RR) 高效构建。此类无限脉冲响应 (IIR) 滤波器也可采用可配置的循环波导网格灵活实现，但由于光学长度较长且采用多个分立元件，因此品质因数 (Q) 和自由光谱范围 (FSR) 较低。此外，由于采用了热光驱动，当前代工平台中可用的有源元件功耗在 mW 级。基于 MEMS 的元件对于可编程电路而言颇具吸引力，因为它们可以在短光学长度内高效调整相位或功率，功耗低于 µW [2]。MEMS 执行器已用于可调 RR [3-5]，但尚未出现可控制相位和两个耦合器的紧凑型分插环。 Chu 和 Hane 展示了一种光学长度极短、谐振调谐范围大的 RR，但 Q 值限制为 1.6 × 103 [ 3 ]。Park 等人报道了完全可重构环，但 FSR 低于 0.2 nm [ 5 ]。这里，我们展示了一个分插环谐振器，其 FSR 为 4 nm，并且对相位（失谐）和两个定向耦合器均进行了模拟控制。该设备是在 IMEC 的 iSiPP50G 代工平台上实现的，经过了一些后处理步骤。
AFRL 140nm技术转移及实施...
wen.zhu@baesystems.com (603) 885-5681 关键词：氮化镓 (GaN)、Ka 波段、MMIC、PAE 摘要 本文报告了 AFRL 的 4 英寸 140nm GaN-SiC 技术向 BAE 系统微电子中心 (MEC) 代工厂的转移和生产实施情况。我们将 AFRL 和 BAE 系统 GaN-SiC 的最佳技术集成到用于 Ka 波段和 Q 波段的 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺中，这是业界首个 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺。本文介绍了脉冲 IV (pIV)、FET 负载牵引、MMIC 性能和可靠性结果。 引言 2018 年，BAE 系统的 MEC 代工厂与 AFRL 合作，将 140nm 4 英寸 GaN-SiC 技术转移到 6 英寸 GaN-SiC。该计划的关键技术目标是通过转移和整合 AFRL 开发的关键工艺技术[1, 2]以及 BAE 系统现有的 GaN MMIC 工艺和能力，在位于新罕布什尔州纳舒厄的 BAE 系统代工厂建立一流的 140nm 氮化镓 (GaN) 生产技术，以实现 6 英寸 SiC 上 GaN 的高性能、高 MRL 工艺[3]。通过这项短栅极高效氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 可生产性计划，BAE 系统正在满足美国国防部 (DoD) 的迫切需求，即建立一个可供美国国防界使用的开放式 GaN 代工厂，并提供先进的 GaN MMIC 工艺。开放式代工服务 - BAE 系统 BAE 系统 III-V 族化合物半导体代工厂是一项战略资产，可为其电子系统部门提供独特的 MMIC 技术。为美国国防部提供代工服务是为了更有效地利用我们代工厂的产能，锻炼和改进工艺，并加强与国防部外部供应商和政府机构的关系。完成 GaN 生产向 6 英寸晶圆直径的过渡是 140nm 技术活动下的一项关键任务。仅此一项就能将有效代工能力提高 2 倍以上。BAE Systems 目前正在投资其代工厂，更换工具，消除单点故障，同时满足生产需求。
IPCEI 微电子 – 欧洲的关键技术
面向欧洲市场的新系统IPCEI 微电子的目标是扩展德国和欧洲的微电子关键技术。为汽车工业、工业 4.0 和其他关键应用开发创新技术和组件。作为资助措施的一部分，将对专注于芯片制造、代工专业知识、硬件设计、工艺知识、生产设施和下游应用的公司进行定向投资。这样，就可以在这些领域建立初步的工业应用，并挖掘微电子的技术和经济潜力。这不仅使参与的公司受益，也使整个欧洲的下游行业受益，它们可以将研究结果用于新的或改进的应用。
电子与光子集成电路计划（EPIC）
EPIC 计划下硅光子学平台的成功开发和可行性验证使一系列国防应用成为可能。这些应用包括先进的定位、导航和授时 (PNT) 技术、自主导航、远程 3-D 测绘和高速通信。由于这些贡献以微电子行业长期采用的制造工艺和设备为基础，它们催化了硅光子学的商业化。这种新型技术已被大学、商业公司、国防部和代工服务提供商迅速采用，这些供应商可以根据电路设计师的规格制造微系统。此外，EPIC 催生的制造生态系统简化了创新光子电路概念的快速原型设计。
智能手机中的晶体管如何形成量子点？
该团队取得了哪些成功？除了证明商用晶体管在低温下表现为量子点外，该团队还展示了使用商用半导体代工技术创建大型量子比特阵列的可行性。研究生 Suyash Pati Tripathi 设计了该团队的第一个 2 × 4 量子点阵列，实现了一个重要的里程碑。“这一突破使我们能够展示可以相互耦合的最小量子点（15 纳米 × 18 纳米）——这是量子技术领域向前迈出的重要一步，”他说。“然而，这只是一个开始！下一个目标是将这种量子点阵列与电子电路结合起来，创建一个完全集成的量子处理器。这种集成将使我们更接近开发实用、可扩展的量子计算机。”
彭博全球半导体供应链精选指数编制方法
彭博全球半导体供应链精选指数旨在追踪半导体行业公司的表现。具体而言，该指数旨在将公司分为制造业板块以及涉及高增长终端市场的公司，并根据某些环境和社会因素排除某些公司。该指数旨在增加制造业板块的敞口，其中包括为半导体行业制造设备和零部件、供应原材料或提供代工服务的公司。该指数还保留了部分涉及高增长终端市场的公司，其中包括为汽车、工业和计算终端市场设计芯片的公司。本文件应与彭博全球股票指数方法结合阅读；这些文件共同构成了本指数的指数方法。