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World File Search System光发射
XPS化学状态映射在光学和微电子中
摘要。XPS成像的强度在于它具有（i）在样品表面上找到小图案的能力，（ii）以微分辨率分辨率告知有关在表面检测到的元素的化学环境。在这种情况下，由于它们的可调性和可变性，基于锶的钙钛矿似乎对这种光发射实验进行了很好的适应。这些功能性氧化物在新兴的光电和微电源应用中具有巨大的潜力，尤其是对于透明的导电氧化物。图案化的异质结构Srtio 3 /srvo 3是使用脉冲激光沉积使用阴影掩模生长的。然后通过串行采集模式下的XPS映射分析此堆栈。Ti2p和V2P核心水平成像清楚地介绍了SRTIO 3和SRVO 3域。将广泛讨论SR3D核心水平的XPS映射：锶是两种具有非常相似化学环境的氧化物的共同元素。尽管SR3D图像中的对比度较低，但由于地形的影响，这两种材料还是可辨别的。添加，使用SR3D FWHM图像是证明这两个阶段的真正资产。最后，通过主成分分析进行数据处理使我们能够在锶原子上提取重要的光谱信息。
双共振纳米结构用于胶体量子发射体的颜色下转换
摘要：我们提出了一种由二氧化钛 (TiO 2 ) 亚波长光栅制成的双谐振纳米结构，以提高 Cd x Zn 1 − x Se y S 1 − y 胶体量子点 (QDs) 在用 ∼ 460 nm 的蓝光激发时发射波长为 ∼ 530 nm 的颜色下转换效率。通过光栅谐振和波导模式的混合，可以在 QD 层内创建大的模式体积，从而导致大的吸收和发射增强。特别是，我们实现了偏振光发射，在特定角度方向上最大光致发光增强约 140 倍，在收集物镜的 0.55 数值孔径 (NA) 内总增强约 34 倍。增强包括吸收、Purcell 和外耦合增强。我们实现了绿色 QDs 的总吸收率为 35%，颜色转换层非常薄，约为 ∼ 400 nm。这项工作为设计用于微型 LED 显示器、探测器或光伏应用中的吸收/荧光增强的大体积腔体提供了指导。关键词：导模共振、二氧化钛、介电纳米天线、颜色转换、胶体量子点、微型 LED 显示器
用于可编程荧光的可控寿命瞬态自组装材料
瞬态结构在生物系统中发挥着多种重要作用。与构成生物组织骨架的静态结构不同，瞬态结构仅出现在特定的空间和时间尺度上，以在生命周期中履行其职责。尽管人工分子自组装研究领域取得了重大进展，但构建功能性瞬态结构仍然具有挑战性。本文报道了通过不利于组装的主客体相互作用形成瞬态配位自组装结构及其荧光。发光配体和环糊精之间的主客体相互作用极大地改变了配位自组装的动力学，从而形成了瞬态结构。与典型的单体发射在紫外区域的静态平衡结构不同，瞬态自组装形成准分子，从而导致可见光发射。更有趣的是，瞬态结构的生命周期可以通过改变主客体比、配体金属比以及温度来轻松调节。这使得创建模拟植物在不同生命阶段生长的生命模式成为可能。因此，可以预见，瞬态分子自组装的创建将在具有动态功能先进材料的分子自组装领域开辟新范式。
al-RICH ALGAN合金：深紫外线LED的独特材料
摘要。通过将合金组成（x）从0更改为0到1，可以将Al X GA 1 -X N合金的能量带隙从〜3.4到6.1 eV进行系统调整，并且直接带隙性质在整个合金组合范围内保持在整个合金范围内，这些合金范围使Algan合金合适的材料可将光的光发射二号（LED）覆盖21 uptiover（uld）覆盖21 uptiols（U 21）。对于深紫外区（λ<300 nm）中的LED，需要高于50％的Al含量的Al含Algan合金。深紫外线LED在广泛的领域具有应用，包括显示，消毒，医疗，感应和通信。随着材料生长和电导率的最新进展，富含Al的Algan合金已成为独特的宽带间隙材料，用于开发深紫外线LED。在这篇评论文章中，富含艾尔根合金的进展如何在材料的增长和电导率方面取得了审查，导致其出现作为深色紫外线材料的出现。还将讨论深紫外线LED的挑战和前景，以提高设备的性能。
超短terahertz电磁脉冲的自旋来源
Terahertz（THz）辐射覆盖了约0.1至30 THz的范围。它在基础研究和未来应用中拥有巨大的希望，1,2，因为THZ频率范围与物质的所有阶段，即等离子体，气体，液体和固体相吻合。3，例如，THZ辐射可以共同引起传导 - 电子传输，等离子体，激子，库珀对，Phonons或镁元。4因此，THZ光谱是研究广泛材料中基本过程的强大工具。thz辐射不仅是一种探针：高振幅THZ来源的发展可以控制物质5-7的集体激发，例如8-11的磁铁中的磁子或驾驶phonons。目前，THZ电场在台式系统中达到1 mV/cm的峰值强度，并且在大规模用户设施（例如自由电子激光器）中超过10 mV/cm。17在激发脉冲激发时，最近观察到了物质的不同阶段（例如，拓扑，磁性和结构）之间的超快切换。8,18–25 THZ激发也可以与其他良好的实验探针（例如角度分辨光发射光谱，26个扫描隧道显微镜，27-29或X射线衍射）结合使用。30,31将THZ光谱与如此强大的
在超高真空下，使用多环芳烃在Cu上（111）上的石墨烯生长
多环芳烃芳烃和pyr烯和吡啶的超高真空沉积在cu（111）表面上保持在1000 K的温度下，从而显示出导致石墨烯的形成。使用扫描隧道显微镜，X射线光电子光谱，角度分辨光发射光谱，拉曼光谱和低能电子衍射证明了石墨烯的存在。与更常用的甲烷或乙烯（例如甲烷或乙烯）相比，前体，倍吡林和吡啶是相对较大的芳香族分子。虽然当将pyrene用作前体时，可以天真地期待六边形石墨烯晶格的形成，但对于倍吡林来说，情况更为复杂。在这种情况下，只有5个和7元环的非替代叠层的非替代拓扑形成观察到的六边形石墨烯晶格。这样的重排，将非替代拓扑转化为替代拓扑，与先前描述类似拓扑改变的报道一致，包括分子倍吡林与pyrene的异构化。在此提出的热合成途径在相对较低的温度和超高真空条件下可以实现，这可以在严格控制和清洁的环境中进一步研究，而传统前体无法访问。
北京大学量子材料科学中心
探索奇异的电子订单及其潜在的驱动力仍然是量子材料领域的中心追求。在这种情况下，Kagome Lattice是一个转角共享的三角网络，已成为探索非常规相关和拓扑量子状态的多功能平台。Due to the unique correlation effects and frustrated lattice geometry inherent to kagome lattices, several families of kagome metals have been found to display a variety of exotic electronic instabilities and nontrivial topologies, including unconventional superconductivity, charge density wave orders, and electronic nematicity, reminiscent of the complex competing orders observed in high-temperature superconductors.在此背景下，Kagome Systems提供了一个出色的量子操场，可深入研究非常规电子不稳定性的起源。在这次演讲中，我将介绍我们最近的工作，重点介绍了两个著名的kagome超导体：V 3 SB 5（a = k，rb，cs）中的非常规CDW，以及在Ti 3 Bi 5中观察到的电子nematicities。尤其是从源自角度分辨光发射光谱（ARPES）的见解中绘制的，我将突出这些系统的独特特征，阐明它们有趣的电子行为并阐明其潜在机制。
H2 在底物导向合成尺寸...中的作用
摘要：最近对过渡金属二硫属化物 (TMD) 纳米带的研究促进了这些尺寸受限晶体的受控生长合成策略的发展。我们展示了在由用磷化氢处理的 Si(001) 组成的设计表面上生长的 MoSe 2 纳米带的宽度控制合成。调节载气流中的 H 2 分压可以将纳米带宽度调整到 175 nm 到近 500 nm 之间。实验和模拟表明，H 2 暴露增加了 Si-P 二聚体上氢的表面覆盖率，而 Si-P 二聚体通常是纳米带成核和生长的有利区域。此外，MoSe 2 纳米带表现出异常光致发光蓝移，其幅度为 60 meV，与 MoS 2 纳米带的光发射光谱中报道的幅度相似。这些研究表明，最近开发的纳米带的基底定向生长策略可以扩展到硒化物系列 TMD。此外，它们扩展了制备复杂 TMD 异质结构的合成基础，而这种结构是光学和量子传感器、换能器和处理器所必需的。关键词：过渡金属二硫属化物、纳米带、MoSe 2 、表面、光致发光、激子■ 简介
altermagnetism -wmi.badw.de
摘要：在量子理论早期以来，搜索打破晶格晶格对称性的非常规量子阶段一直是物理学的重点，这是由基本兴趣和潜在应用驱动的。突出的例子包括铜土超导体，这些导体以其非常规的D-Wave Cooper配对和无耗散运输而闻名。在本演讲中，我们将讨论我们最近的发现[1]，该发现是由我们的早期预测和对非常规旋转型效应的预测和观察结果所激发的[2,3,4]。与共同的铁磁性和抗铁磁性不同，这种非常规的雌雄同体相（请参阅图）打破了晶体晶格的对称性，并在其自旋和电子结构中同时具有d，g或i-甲状化波的特征[1]。d-wave altermagnetism代表了D波超导的磁性类似物。我们通过采用和开发一个对称框架来确定altermagnetism，该框架考虑了涉及电子自旋和晶格的配对转换。该框架正在作为磁晶体研究中的新范式出现。我们将通过讨论（i）半导体MNTE的altermagnetic带结构来证明其有用性，我们最近通过使用光发射光谱[5]和（ii）鉴定了240多种现实的Altermagentic候选者，我们最近通过协作工作对此进行了实验观察。
使用光电显微镜
纳米级的光 - 物质相互作用的精确控制位于纳米光子学的核心。但是，由于相应的电磁近场通常限制在传统光学显微镜分辨率以下的体积之内，因此在此长度尺度上进行的实验检查是具有挑战性的。在半导体纳米型电磁场中进一步限制在各个亚波长谐振器的范围内，从而限制了这些结构中关键光 - 物质相互作用的访问。在这项工作中，我们证明了光电子发射显微镜（PEEM）可用于分辨近场光谱的极化以及受损坏对称性硅元素支撑的电磁共振的成像。我们发现，通过原位钾表面层启用的光发射结果与可见和近红外波长之间的全波模拟和远场反射测量一致。此外，我们发现了跨场阵列边缘附近的集体共振的偏振相关演变，利用了PEEM的远场激发和全场成像。在这里，我们推断出八个谐振器或更多之间的耦合建立了此元图的集体激发。总而言之，我们证明了高光谱的高光谱成像和PEEM的远场照明可以利用半导体纳米光子结构中的集体，非本地，光学共振的计量学。