机构名称：
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摘要。通过将合金组成（x）从0更改为0到1，可以将Al X GA 1 -X N合金的能量带隙从〜3.4到6.1 eV进行系统调整，并且直接带隙性质在整个合金组合范围内保持在整个合金范围内，这些合金范围使Algan合金合适的材料可将光的光发射二号（LED）覆盖21 uptiover（uld）覆盖21 uptiols（U 21）。对于深紫外区（λ<300 nm）中的LED，需要高于50％的Al含量的Al含Algan合金。深紫外线LED在广泛的领域具有应用，包括显示，消毒，医疗，感应和通信。随着材料生长和电导率的最新进展，富含Al的Algan合金已成为独特的宽带间隙材料，用于开发深紫外线LED。在这篇评论文章中，富含艾尔根合金的进展如何在材料的增长和电导率方面取得了审查，导致其出现作为深色紫外线材料的出现。还将讨论深紫外线LED的挑战和前景，以提高设备的性能。
al-RICH ALGAN合金：深紫外线LED的独特材料
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