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摘要：最近对过渡金属二硫属化物 (TMD) 纳米带的研究促进了这些尺寸受限晶体的受控生长合成策略的发展。我们展示了在由用磷化氢处理的 Si(001) 组成的设计表面上生长的 MoSe 2 纳米带的宽度控制合成。调节载气流中的 H 2 分压可以将纳米带宽度调整到 175 nm 到近 500 nm 之间。实验和模拟表明，H 2 暴露增加了 Si-P 二聚体上氢的表面覆盖率，而 Si-P 二聚体通常是纳米带成核和生长的有利区域。此外，MoSe 2 纳米带表现出异常光致发光蓝移，其幅度为 60 meV，与 MoS 2 纳米带的光发射光谱中报道的幅度相似。这些研究表明，最近开发的纳米带的基底定向生长策略可以扩展到硒化物系列 TMD。此外，它们扩展了制备复杂 TMD 异质结构的合成基础，而这种结构是光学和量子传感器、换能器和处理器所必需的。关键词：过渡金属二硫属化物、纳米带、MoSe 2 、表面、光致发光、激子■ 简介
H2 在底物导向合成尺寸...中的作用
主要关键词
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