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World File Search System异质结
III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
表面处理和耦合剂在异质结的双层复合材料
摘要：在汽车，航空航天和电子行业等行业中对轻质和耐用材料的需求不断增长，促使异性结构双层复合材料的发展，将金属的结构完整性与聚合物的多功能性结合在一起。本研究介绍了不锈钢（SUS）和聚酰胺66（PA66）之间的临界界面，重点是表面处理和各种硅烷偶联剂在增强异径sus/pa66双层复合材料的粘附强度方面的关键作用。通过系统的表面修饰（通过扫描电子显微镜，原子力显微镜和接触角分析显示），该研究评估了增加表面积，粗糙度和SUS能量的影响。X射线光电子光谱评估证实了特定硅烷偶联剂的战略选择。尽管某些偶联剂几乎没有影响力学，但值得注意的是，氨基丙基三氧基硅烷（A1S）和3-甘油同基氧甲基三甲氧基硅烷（ES）显着增强了杂气结的机械性能。这些进步归因于金属 - 聚合物界面处的界面相互作用。这项研究强调了靶向表面处理的重要性，以及明智的耦合剂在优化金属 - 聚合物复合材料的界面粘附和整体性能方面的明智选择，为材料的制造提供了有价值的见解，在减轻重量和增强耐用性的情况下，材料的制造是最重要的。
纳米结构 TiO2 中的空间异质结及其...
摘要：高效的光能转换在很大程度上取决于光生载流子的累积级联效率。空间异质结对于定向电荷转移至关重要，因此具有吸引力，但仍是一个挑战。本文展示了一个系统中的空间三元钛缺陷 TiO 2 @碳量子点@还原氧化石墨烯（表示为 V Ti @CQDs@rGO）表现出电荷的级联效应，并在光电流、表观量子产率和光催化（例如水分解和 CO 2 还原产生 H 2 ）方面表现出显著的性能。构建中的一个关键方面是 Ti 空位和纳米碳在空间内外异质结方面的技术不合理连接。在原子/纳米尺度上提出新的“空间异质结”概念、特征、机理和外延，阐明合理异质结的生成以及级联电子转移。关键词：钛空位、空间异质结、级联效应、海水分解、二氧化碳还原
用于近红外光电探测器的锗异质结
摘要：二维石墨烯薄膜和石墨烯衍生物在光电应用方面有巨大的潜力，引起了广泛的兴趣。然而，提高基于石墨烯薄膜和石墨烯衍生物的光电探测器性能仍然是一个巨大的挑战。通过用垂直取向石墨烯 (VOG) 替换石墨烯薄膜，然后用石墨烯量子点 (GQDs) 功能化，在锗 (Ge) 异质结 (指定为 GQDs/VOG/Ge) 上组装一个功能性 VOG，用于近红外光探测。GQDs 和 VOG 在光吸收和电子传输方面的协同效应增强了光电探测器的性能。对 VOG 进行功能修饰是调控 VOG 费米能级、增加肖特基结的内建电势以及促进光生电子和空穴对分离的有效方法。制成的光电探测器在波长 1550 nm 处表现出优异的响应度 (1.06 × 10 6 AW − 1 ) 和探测度 (2.11 × 10 14 cm Hz 1/2 W − 1 )。对光响应的研究表明，响应速度具有微秒的上升/下降时间，并且具有优异的可重复性和长期稳定性。结果揭示了一种制造高性能石墨烯基光电探测器新结构的简单策略。关键词：GQD、垂直取向石墨烯、锗、协同效应、内置电位、光电探测器■简介
基于Cuinp2s6/Mos2 van der waals异质结
摘要：由于热力学的局限性，电子的玻尔兹曼分布阻碍了晶体管晶体管的进一步减少功耗。然而，随着铁电材料的出现，预计将解决此问题。在此，我们基于CIPS/MOS 2 van der waals杂结型演示了或逻辑铁电位晶体管。利用铁电材料的电场放大，CIPS/MOS 2 VDW铁电晶体管在三个数量级上的平均亚阈值摇摆（SS）为52 mV/dec的平均下阈值（SS），最小SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS/DEC的最低限度为BoltzMann限制，从而在室内温度下限制。双门控铁电位晶体管表现出出色或逻辑的操作，供应电压小于1V。结果表明，由于其在距离内造成的，陡峭的suppherope subthers thrope subphersholt swing and Powdertage and plow show thres thrope subshort swing and show thershold swing and show supshort swing and show powertapt and pow showtage and powertage and the cips/mos 2 vdw铁电晶体管具有很大的潜力。
p型硅异质结辐射硬度研究
摘要 — 太空领域正面临重大变革，特别是在成本降低方面，这得益于低地球轨道星座的出现。就太阳能发电而言，它为替代太阳能光伏技术开辟了前景，取代了高性能且昂贵的 III-V 多结器件。晶体硅太阳能电池推动了最初的太空发展，由于其工业成熟度、p 型基板的高效率以及比 III-V 低两到三个数量级的成本，重新引起了人们的兴趣。在此背景下，我们在此介绍了 p 型（Ga 掺杂）硅异质结太阳能电池的电子辐射硬度研究结果。制造厚度低至 60µm 的器件，然后在 1MeV 电子辐照之前和之后对其进行表征。最佳超薄异质结电池在室温下 AM1.5G 下寿命末期（1.5x10 14 e/cm 2）外部认证效率为 15.9%；这相当于 AM0 光谱下约 14.3%。介绍了厚度减小对辐射硬度的好处，并讨论了电池改进途径。
采用 AMPS 的 a-SiC/i 界面/n-Si 异质结太阳能电池...
在本研究中，使用微电子和光子结构分析 (AMPS-1D) 模拟器检查并表征了异质结 (P + a-SiC/i 本征/n-Si) 太阳能电池。在这种异质结太阳能电池中，施加了本征层以提高效率和性能。使用该本征层，可以实现 36.52% (Voc = 1 714 V、Jsc = 27 006 mA/cm 2 和 FF = 0 789) 的最佳效率。还观察了没有本征层的太阳能电池。在这种情况下，观察到的最大效率为 2.378%，这非常差。还研究了具有电子阻挡层 (EBL) 和缺陷层的异质结太阳能电池。在这种情况下，模拟结果显示效率 (34.357%) 低于之前。本研究论文介绍了一种异质结太阳能电池的优化模型，该模型通过增加本征层来提高效率。所提出的设计在其理论框架中显示出巨大的潜力。展望未来，该设计可以在实验室环境中实现，并有可能扩大应用范围。
P3HT:PCBM 本体异质结有机太阳能电池的弹性形态
完整作者名单：Munshi, Joydeep；里海大学，机械工程系 Chien, TeYu；怀俄明大学，物理与天文学系 Chen, Wei；西北大学 Balasubramanian, Ganesh；里海大学，机械工程系；里海大学，