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World File Search System异质结
表面处理和耦合剂在异质结的双层复合材料
摘要：在汽车，航空航天和电子行业等行业中对轻质和耐用材料的需求不断增长，促使异性结构双层复合材料的发展，将金属的结构完整性与聚合物的多功能性结合在一起。本研究介绍了不锈钢（SUS）和聚酰胺66（PA66）之间的临界界面，重点是表面处理和各种硅烷偶联剂在增强异径sus/pa66双层复合材料的粘附强度方面的关键作用。通过系统的表面修饰（通过扫描电子显微镜，原子力显微镜和接触角分析显示），该研究评估了增加表面积，粗糙度和SUS能量的影响。X射线光电子光谱评估证实了特定硅烷偶联剂的战略选择。尽管某些偶联剂几乎没有影响力学，但值得注意的是，氨基丙基三氧基硅烷（A1S）和3-甘油同基氧甲基三甲氧基硅烷（ES）显着增强了杂气结的机械性能。这些进步归因于金属 - 聚合物界面处的界面相互作用。这项研究强调了靶向表面处理的重要性，以及明智的耦合剂在优化金属 - 聚合物复合材料的界面粘附和整体性能方面的明智选择，为材料的制造提供了有价值的见解，在减轻重量和增强耐用性的情况下，材料的制造是最重要的。
采用 AMPS 的 a-SiC/i 界面/n-Si 异质结太阳能电池...
在本研究中，使用微电子和光子结构分析 (AMPS-1D) 模拟器检查并表征了异质结 (P + a-SiC/i 本征/n-Si) 太阳能电池。在这种异质结太阳能电池中，施加了本征层以提高效率和性能。使用该本征层，可以实现 36.52% (Voc = 1 714 V、Jsc = 27 006 mA/cm 2 和 FF = 0 789) 的最佳效率。还观察了没有本征层的太阳能电池。在这种情况下，观察到的最大效率为 2.378%，这非常差。还研究了具有电子阻挡层 (EBL) 和缺陷层的异质结太阳能电池。在这种情况下，模拟结果显示效率 (34.357%) 低于之前。本研究论文介绍了一种异质结太阳能电池的优化模型，该模型通过增加本征层来提高效率。所提出的设计在其理论框架中显示出巨大的潜力。展望未来，该设计可以在实验室环境中实现，并有可能扩大应用范围。
基于Nio/Si异质结的自动宽带光电探测器，并结合石墨烯透明导电层
摘要：在这项研究中，通过在SI底物上的纳米结构NIO的直接自旋涂层制造了基于石墨烯/Nio/N-Si的自动宽带光电探测器。Nio/Si异质结构的Curren T – V Oltage测量表现出在光照明下具有增强的pho-drumerent的整流特性。在300 nm至800 nm的范围内测量了光反检测能力，并且由于NIO的宽带隙，观察到紫外线区域的较高光响应。顶部的石墨烯透明导电电极的存在进一步增强了整个测得的波长区域的响应性，从350至800 nm。，在插入石墨烯顶层时，发现NiO/Si检测器在350 nm处的光响应从0.0187增加到0.163 a/w。在零偏置处的高摄影电流比（≃104）表明该设备在节能高性能宽带光电检查器中具有有利的应用。
可以证明光子异质结构胜过单个...
*通讯作者：新泽西州普林斯顿大学化学系Alessio Amaolo，美国，美国，美国，美国，电子邮件：alessioamaolo@princeton.edu。https://orcid.org/0000-0002-9973-6872 pengning Chao，马萨诸塞州剑桥，马萨诸塞州马萨诸塞州马萨诸塞州数学系，美国马萨诸塞州，美国马萨诸塞州02139https://orcid.org/0000-0001-9287-9515 Thomas J. Maldonado和Alejandro W. Rodriguez，普林斯顿大学电气和计算机工程系，普林斯顿大学，普林斯顿大学，NJ 08544，NJ 08544，美国，Maldonado@-mail：maldonado@-mail@maldonado@crinceton.ed.ed.ed.ed.ed.ed.ed.ed.ed.ed。 arod@princeton.edu（a.w.Rodriguez）。https://orcid.org/0009-0005-0465-193X（T.J. Maldonado）Sean Molesky，蒙特利尔PolytechniqueMontréal，QuébecH3T 1J4，加拿大蒙特利尔市Polytechnique h3T 1J4，加拿大蒙特利阿尔，蒙特利克尼，eanean.molesky@polymmtky.caca。 https://orcid.org/0000-0003-3575-5166https://orcid.org/0009-0005-0465-193X（T.J. Maldonado）Sean Molesky，蒙特利尔PolytechniqueMontréal，QuébecH3T 1J4，加拿大蒙特利尔市Polytechnique h3T 1J4，加拿大蒙特利阿尔，蒙特利克尼，eanean.molesky@polymmtky.caca。https://orcid.org/0000-0003-3575-5166
隐藏的声子高速公路促进了扭曲过渡金属二分法异质结构中的光诱导的中间层中的能量转移
垂直堆叠的范德华（VDW）异质结构具有独特的电子，光学和热特性，可以通过扭曲角工程来操纵。然而，双层界面处的弱语音耦合施加了基本的热瓶颈，以实现未来的二维设备。使用超快电子衍射，我们直接研究了照片诱导的MOS 2 /WS 2中的非平衡声子动力学，在4°扭曲角度和WSE 2 /Mose 2的旋转角度为7°，16°，16°和25°和25°。，我们确定了一个层间传热通道，其特征时间尺度为约20个皮秒，假设初始内部内部热化的分子动力学模拟比分子动力学模拟快约一个数量级。涉及声子散射的原子计算表明，此过程起源于初始层间电荷转移和散射之后的非热声子种群。我们的发现通过调整非平衡声子种群来提出VDW异质结构中热管理的途径。
卤化物异质结构促进钠超离子导体的离子扩散和高压稳定性
固态钠离子电池 (SSSB) 的发展在很大程度上取决于超离子 Na + 导体 (SSC) 的开发，该导体具有高导电性、（电）化学稳定性和可变形性。异质结构的构建提供了一种有前途的方法，可以以不同于传统结构优化的方式全面增强这些特性。在这里，这项工作利用高配位和低配位卤化物骨架之间的结构差异来开发一类新型卤化物异质结构电解质 (HSE)。结合 UCl 3 型高配位框架和非晶低配位相的卤化物 HSE 实现了迄今为止卤化物 SSC 中最高的 Na + 电导率（室温下 2.7 mS cm − 1，RT）。通过辨别晶体本体、非晶区域和界面的各自贡献，这项工作揭示了卤化物 HSE 内的协同离子传导，并对非晶化效应提供了全面的解释。更重要的是，HSEs优异的可变形性、高压稳定性和可扩展性使得SSSB能够有效地集成。使用未涂覆的Na 0.85 Mn 0.5 Ni 0.4 Fe 0.1 O 2和HSEs的冷压正极电极复合材料，SSSBs表现出稳定的循环性能，在0.2 C下经过100次循环后容量保持率为91.0％。
多模式储层计算的基于2D异质结构的多功能浮动门存储器
近年来，基于新兴的二维（2D）材料，对经济和有效数据处理的需求导致对神经形态计算的兴趣激增。作为具有许多有趣特性的上升范德华（VDW）P型Weyl半导体，Tellurium（TE）已被广泛用于高级电子/光电子。但是，从未探索过其应用程序的应用门（FG）内存设备进行信息处理。在此报道，由TE基于TE的2D VDW异质结构启用了用于多模式储层计算（RC）的电子/光电FG存储器。受到强烈的电气/光学刺激的约束，该设备表现出令人印象深刻的非挥发性电子记忆行为，包括≈108灭绝比，≈100ns开关速度，> 4000个循环，> 4000-S的保留稳定性和非挥发性稳定性和非挥发性的多端口多端口选择性选择可编程可编程特性。当输入刺激削弱时，非易失性存储器会降解为挥发性记忆。利用这些丰富的非线性动力学，这是一个多模式RC系统，具有高识别精度为90.77％的多模式系统，用于事件类型的多模式手写数字识别。
扭曲的α-MOO3/石墨烯异质结构中的栅极调节混合极化子
摘要：调节各向异性声子极地（PHP）可以打开红外纳米光子学的新途径。通过极化杂交的有希望的PHP色散工程已通过将门控石墨烯与单层α -Moo 3耦合来证明。然而，与门依赖性杂交调制的基础机制仍然难以捉摸。在这里，使用IR纳米光谱成像，我们证明了光学响应函数的主动调节，并在测量杂交等离激元 - Phonon -Polaritons（HPPPS）的波长，振幅和耗散速率的栅极依赖性中进行了量化。有趣的是，尽管石墨烯掺杂导致HPPP波长，振幅和耗散速率的单调增加表明从最初的反相关减少到相关增加的过渡。我们将这种行为归因于HPPP复合动量的栅极相关组件的复杂相互作用。我们的结果为综合α -moo 3纳米素体设备的积极偏振子控制奠定了基础。关键字：栅极 - 调整，混合等离子体 - 声子极化子，扭曲的α-MOO 3，分散，s -snom
fe3gate2/wse2/fe3gate2 van der wa der waals异质结构
磁性隧道连接点（MTJ）是非挥发性随机访问记忆（MRAM）技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成，提供快速开关速度，高耐力和低功耗。3，随着大数据和物联网的不断增长，优化了MTJ的运营，以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆，并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ，正在使用电场，该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此，实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维（2D）范德华（VDW）磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径，与原子尖锐的互相互相互相互相耦合，6 - 14，这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来，在全VDW MTJ中，在带有隧道屏障HBN，MOS 2和INSE的全VDW MTJ中，在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而，在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战，迄今为止，VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远，发现2D VDW铁磁（FM）金属Fe 3 Gate 2，22，其在室温高于室温（居里温度≈350 - 380 K）上表现出强烈的铁磁作用，并稳健的大型垂直磁性各向异性，可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。