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纳米级 - 印第安纳大学印第安纳波利斯分校 ScholarWorks
未来的分子微电子学要求设备的电子电导率可调，而不会损害分子电子特性的电压控制。本文，我们报告了在半导体聚苯胺聚合物或极性聚-D-赖氨酸分子薄膜与两种价态互变异构复合物之一（即 [Co III (SQ)(Cat)(4-CN-py) 2 ] ↔ [Co II (SQ) 2 (4-CN-py) 2 ] 和 [Co III (SQ)(Cat)(3-tpp) 2 ] ↔ [Co II (SQ) 2 (3-tpp) 2 ]）之间创建界面的影响。利用密度泛函理论指导的 X 射线光发射、X 射线吸收、逆光发射和光吸收光谱测量来识别电子跃迁和轨道。除了结合能和轨道能级略有改变外，底层基底层的选择对电子结构影响不大。在 [Co III (SQ)(Cat)(3-tpp) 2 ] ↔ [Co II (SQ) 2 (3-tpp) 2 ] 中存在一个显著的未占据配体到金属电荷转移态，该态对 Co II 高自旋态中聚合物和互变异构复合物之间的界面几乎不敏感。
高级材料-2023 -volckaert.pdf -Purdue Physics
通过AD原子沉积对量子物质的电子结构进行修改允许对电子和磁性的定向设计。在本研究中使用了此概念，以调整基于MNBI 2 TE 4的磁性拓扑绝缘子的表面电子结构。这些系统的拓扑带通常是强烈的电子掺杂的，并与表面状态的多种表面状态杂交，这些状态将显着拓扑状态置于电子传输和实际应用的范围。在这项研究中，微焦点角度分辨光发射光谱（微摩尔）可直接访问MNBI 2 TE 4和MNBI 4 TE 7的终止依赖性分散体。所得的带结构变化被发现是高度复杂的，涵盖了覆盖范围依赖性的双极掺杂效应，去除表面状态杂交以及表面状态带隙的塌陷。此外，发现掺杂带弯曲会产生可调的量子井状态。这种广泛的观察到的电子结构修饰可以提供新的方法来利用拓扑状态和富含锰二硫化锰的表面电子结构。
中国地球同步卫星低能离子谱仪的首批结果
2020 年 6 月 23 日，中国地球同步卫星发射升空。它搭载了一个等离子体探测包，用于监测轨道周围的空间环境。本文报告了等离子体探测包中的主要仪器之一低能离子谱仪（LEIS）的飞行性能及其飞行中的初步观测结果。得益于与角扫描偏转器配合的顶帽静电分析仪的先进设计，实现了 360°×90° 大视野和 50 eV 至 25 keV/电荷能量范围的空间离子三维测量。轨道周围离子的差分能通量谱显示出明显的表面充电和风暴/亚暴离子注入特征。表面充电的发生可能是由于地球日食（接近午夜）时缺乏光发射或黎明时分风暴高能电子注入造成的。目前的结果表明，LEIS 有效载荷在飞行过程中对轨道周围的空间离子环境监测性能良好。LEIS 有效载荷的现场测量为我们提供了了解磁层离子动态和预测相关空间天气影响的机会。
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：David 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) Ema
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：戴维 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) 电子邮件：david.pai@lpp.polytechnique.fr 网页：https://www.lpp.polytechnique.fr/-David-Pai- 研究领域： 主要领域：激光和等离子体物理 次要领域：材料科学 方法：大气压等离子体、表面等离子体、纳秒放电、等离子体诊断（例如光发射光谱、电场诱导的二次谐波产生、汤姆逊散射）、材料化学诊断（例如拉曼和光致发光光谱） 博士课程主题：等离子体-表面相互作用是许多类型等离子体物理学的关键要素。对于非平衡等离子体，其中电子的温度比原子和分子的温度高得多，一种常见的现象是表面电离波 (IW)。使用复合材料代替块体金属/电介质作为电极或传播表面可能会产生新的相互作用。特别是，与半导体相关的光电效应可以使基于微电子中常用的绝缘体上硅 (SOI) 技术的 IW 沿表面传播均匀化。我们的假设是气相和电子空穴 IW 沿 SOI 界面相邻地共同传播。
材料快报
本研究利用电感耦合等离子体 (ICP) 研究了 C 4 F 8 、C 5 F 8 和 C 7 F 8 等全氟碳对 SiO 2 的蚀刻特性，以研究高 C/F 比对 ICP 的 SiO 2 蚀刻特性的影响。使用 C x ( x = 4,5,7)F 8 /Ar/O 2 混合物测量了 SiO 2 对 Si 3 N 4 和非晶碳层 (ACL) 的蚀刻速率和蚀刻选择性。全氟碳的 C/F 比越高，SiO 2 蚀刻速率越低，但蚀刻选择性却高于 Si 3 N 4 和 ACL，这是因为 C 2 越高，而等离子体中的 F 值却相同（通过光发射光谱法观察到），并且由于氟碳层越厚，材料表面富碳氟碳越多（通过 X 射线光电子能谱法观察到）。尤其是 C 7 F 8 是一种环境友好型材料，因为它不仅具有相对较低的全球变暖潜能值，而且可以使用捕获系统轻松捕获（室温下为液态）。因此，C 7 F 8 可用作下一代全氟碳蚀刻材料之一。
观察室温金属反铁磁铁CRSB中的自旋分裂
最近，在理论上提出并实现了电子状态的自旋分裂（SS）的非常规的抗铁磁铁，其中包含指向不同方向的矩矩的磁性sublattics通过一组新型的符号来连接。这样的SS是实质性的，依赖性的，并且与自旋 - 轨道耦合（SOC）强度无关，使这些磁铁有望用于抗磁性旋转旋转。在此结合了角度分辨光发射光谱（ARPE）和密度功能理论（DFT）计算，这是一项对CRSB的系统研究，是一种金属旋转式抗速率抗fiferromagnet候选，具有Néel温度T n = 703 K。数据揭示了沿平面外和平面动量方向的CRSB的电子结构，从而使各向异性K依赖性SS与计算结果非常吻合。在非对称动量点下，此类SS的大小至少达到至少0.8 eV，这显着高于最大的已知SOC诱导的SS。这种化合物扩大了抗磁性旋转型材料的材料的选择，并且很可能会刺激随后对在室温下起作用的高效率旋转器件的研究。
fisica / Physics中的博士学位-40周期< / div>
上述项目ID ID FIS-2023-02406杯D53C24005490001由MUR通过Bando Fis 2（Advanced la Scienza）资助，旨在建造和运营全新的2D量子材料电子光谱实验室。主要的新颖性是在紫外光子能量范围内起作用的角度逆光发射（ARIPES）设备的构造，其前所未有的分辨率优于40 MeV。该系统将与更传统的角度分辨光发射系统（ARPE）耦合，在与参考技术的相同范围内。单色电子源的可用性（ARIPES所需）和电子分析仪（用于ARPES）允许在同一样品和同一设备中实现电子能量损耗光谱（EELS）测量。ARPE，ARIPES和EEL的组合可以使量子材料的量子态在费米水平以下和高于量子状态的量子状态有效2-维电子结构中的完全观察。此外，鳗鱼可以在费米水平上提供2个粒子光谱函数。最后，在同步梁线上以相似分辨率执行的共振非弹性X射线散射（RIX）可以通过确定诸如Phonons和Magnons之类的集体激励来补充在“上面F”实验室中测得的数据。
通过原子发射光谱在线观察激光覆层过程 使用复杂的有价值的卷积神经网络 便携式移动步态监视器系统基于用于监视步态和电力电子的Triboelectric纳米生成器
摘要：直接金属沉积（DMD）可用于表面的覆层以及修复零件和功能的修复和增材制造。过程监视和控制方法可确保制造过程中的质量一致。通过光发射光谱进行过程辐射进行监测可以提供有关过程条件和沉积层的信息。这项工作的目的是使用光谱仪从过程中测量光学排放，并识别光谱中的元素线。单光谱已从该过程中记录下来。基于CO的粉末（METCOCLAD21）的单个轨道在S235碱基材料上被覆盖。已经研究了各种过程参数对元素线发病率和强度的影响。此外，已经对光谱排放的激光束，粉末射流和底物之间的相互作用进行了单独检查。结果表明元素线不经常发生。因此，单光谱被分类为包括元素线（A型）和不包括元素线（B型）的光谱。此外，只能检测到非离子元素，铬经常出现。表明，增加激光功率会增加A型光谱的发生率和特定CR I线的强度。，元素线仅在激光束与沉积层的熔体池相互作用中经常发生。
工程基于多
金属纳米颗粒可以在金属的电子与令人兴奋的电磁波相相振荡时支持共振。目前在许多不同的研究领域中研究了这些局部的表面等离子体共振（LSPR），以改善许多物理现象，例如太阳能电池板的光子至电子转换效率以及电子到光子转换效率在光发射二极管中（LED）。通过正确选择纳米颗粒的金属材料，可以调整它们具有高度效果的光谱范围。的确，金纳米颗粒在可见光谱范围的红色部分中引起共鸣，其中铝纳米颗粒在蓝色的元素中引起共鸣。不幸的是，与其他共振现象相比，LSPR的质量因素非常差，这主要是因为它们在金属材料中受到了很大的影响。但是，当将金属纳米颗粒作为阵列组织时，可以观察到衍射现象，这使得可以将所有纳米颗粒搭配在一起并减少其LSPR的阻尼。当LSPR耦合到平面内（放牧）衍射顺序[1]时，将发生这种称为表面晶格共振（SLR）的集体共振。对于许多应用，例如LED或生物医学成像中的发射增强，这种尖锐的共振非常有趣。但是，如果元表面基于一种金属材料，则其光学响应的光谱范围受到限制。
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摘要：EUCD 2 AS 2作为少数磁性Weyl半候选材料之一引起了人们的极大兴趣，尽管最近，有新兴的报道声称其具有半导体的电子结构。为了解决这一辩论，我们确定了N型EUCD 2作为2晶体的生长，使用角度分辨光发射光谱（ARPES）直接可视化导带的性质。我们表明，在热电和霍尔效应测量中，LA掺杂导致N型传输特征，在N型掺杂水平为2-6×10 17 cm-3的晶体中。p-和n型掺杂样品在9 K处表现出抗磁磁性序列。在6 K处进行的ARPES实验清楚地表明，在价值频带最大值高于价值的0.8 eV处的传导带的最小值，这进一步证实了通过观察0.71-0.72 −0.72 – 0.72 – 0.72 ev band base base defuse fiffuse Reflebance Reflebanse vanse vanse vance vance vance bap sagob。在一起，这些发现明确地表明EUCD 2 AS 2确实是一个具有巨大带隙的半导体，而不是拓扑半学。■简介