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摘要：EUCD 2 AS 2作为少数磁性Weyl半候选材料之一引起了人们的极大兴趣，尽管最近，有新兴的报道声称其具有半导体的电子结构。为了解决这一辩论，我们确定了N型EUCD 2作为2晶体的生长，使用角度分辨光发射光谱（ARPES）直接可视化导带的性质。我们表明，在热电和霍尔效应测量中，LA掺杂导致N型传输特征，在N型掺杂水平为2-6×10 17 cm-3的晶体中。p-和n型掺杂样品在9 K处表现出抗磁磁性序列。在6 K处进行的ARPES实验清楚地表明，在价值频带最大值高于价值的0.8 eV处的传导带的最小值，这进一步证实了通过观察0.71-0.72 −0.72 – 0.72 – 0.72 ev band base base defuse fiffuse Reflebance Reflebanse vanse vanse vance vance vance bap sagob。在一起，这些发现明确地表明EUCD 2 AS 2确实是一个具有巨大带隙的半导体，而不是拓扑半学。■简介
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