XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System光电器件
1698647158673781767.pdf
ACP/POEM 技术会议包括全套全体会议、辅导、邀请和投稿演讲，演讲者均为各自领域的国际学术和工业研究人员，他们都是该领域的领军人物。今年的会议将涵盖以下主题：光纤和基于光纤的设备；光传输子系统、系统和技术；网络架构、管理和应用；光电器件和集成；微波光子学和光信号处理；能源光子学；微、纳米和量子光子学：科学和应用；光子传感器和生物光子学。会议还将包括 11 月 4 日举行的各种研讨会和工业论坛。ACP/POEM 会议计划范围广泛且技术质量最高，是了解新研究方向的理想场所，也是与引领这些进步的研究人员会面和互动的机会。我们计划发表 700 多篇论文，其中包括来自学术界和工业界的许多世界最杰出的研究人员发表的 100 多篇邀请和 10 篇辅导演讲。我们感谢所有贡献者和作者，使 ACP/POEM 成为真正独特、杰出的全球盛会。
通过油浸法制备高稳定性钙钛矿超晶体...
摘要：无机钙钛矿因其广泛的光电应用而显示出诱人的前景。最近，据报道，无机钙钛矿纳米晶体 (NC) 的超晶体 (SC) 具有高度有序的结构以及新颖的集体光学特性，为高效薄膜开辟了新的机会。在这里，我们报告了通过油包油乳液模板化对无机钙钛矿 NC 的球形、立方体和六边形 SC 的大规模组装控制。我们表明，立方体 NC 的圆度与限制液滴表面张力之间的相互作用决定了超结构形态，我们利用这种相互作用来设计 SC 的密集超晶格。SC 薄膜表现出至少两个月的稳定性大大增强，没有明显的结构退化和轻微的光学变化。我们对钙钛矿 NC 超结构的受控大规模组装的研究结果为基于中观结构块微流体生产的自下而上的光电器件生产提供了新的前景。关键词：组装、乳液滴模板、超晶体、钙钛矿薄膜、稳定性
使用多层电驱动等离子体光栅实现均匀发光
通过金属-绝缘体-金属隧道结的非弹性隧穿 (LEIT) 发光是一种超快发射过程。它是在集成电路上实现从电信号到光信号的超快转换的有前途的平台。然而，现有的 LEIT 器件制造程序通常涉及自上而下和自下而上的技术，这降低了它与现代微加工流程的兼容性并限制了其在工业扩大规模中的潜在应用。在这项工作中，我们通过使用原子层沉积生长的多层绝缘体作为隧道屏障来解除这些限制。我们首次完全通过微加工技术制造 LEIT 器件，并在环境条件下表现出稳定的性能。在整个有源区域上观察到均匀的电致发光，发射光谱由金属光栅等离子体形成。在 LEIT 中引入多层绝缘体可以为设计隧道屏障的能带景观提供额外的自由度。所提出的制备稳定的超薄隧道势垒的方案也可能在广泛的集成光电器件中找到一些应用。
采用 2D 技术的多功能 EMI 屏蔽和传感器应用...
Choon-Gi CHOI 教授是韩国电子与电信研究院 (ETRI) 石墨烯研究团队的负责人，也是韩国科学技术大学 (UST) ETRI 学院 (专业：先进材料与器件技术) 的全职教授。他于 1996 年获得法国奥尔良大学物理学博士学位。自 1996 年以来，他在 ETRI 工作，开发了微纳米光子和光电器件以及基于石墨烯和二维材料的电子和光子器件。他曾于 2013 年至 2017 年担任 Springer Nature 出版的 Nano Convergence 期刊的副主编。他现在是 Nano Convergence Journal 和 Sensors (MDPI) 的编辑委员会成员。 2010 年至 2012 年，他还担任韩国国家研究基金会评审委员会成员。他是 120 多篇国际科学出版物的作者和合著者，拥有 30 项美国专利和 80 多项韩国专利。他目前的研究兴趣包括二维材料和纳米复合材料的制造，应用于压力和应变传感器、湿度传感器、EMI 屏蔽、散热、透明电极、电致变色装置等。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
通过近红外无线功率传输和数据通信弥合脑机接口“最后一毫米”的差距
摘要：具有高通道数、覆盖面积达平方厘米及更大的浮动神经传感器阵列将为神经工程和脑机接口带来变革。由于需要将传感、计算、通信和电源功能整合到一个边长约为 100 μ m 的封装中，因此在每个神经传感器的尺寸限制内满足电源和无线数据通信要求一直难以实现。在这项工作中，我们展示了一种用于神经记录系统的近红外光功率和数据通信链路，该系统满足实现密集阵列的尺寸要求和防止组织发热的功率要求。光学链路是使用由串联光伏电池和微尺度发光二极管组成的集成光电装置来演示的。使用自供电 CMOS 集成电路和单光子雪崩光电二极管之间的预记录神经信号来演示系统限制内无线神经链路的端到端功能。关键词：光电器件、光伏、发光二极管、无线传感器、神经工程
促进二维横向外延异质结构中的光电荷分离以实现可见光驱动的 CO2 光还原
太阳能转换过程不仅存在于太阳能电池中，也存在于光催化中，涉及太阳光收集和光激发电荷载流子分离/传输。[8,9] 异质结构是将具有不同性质的材料集成在一起，通常可以收集来自多种组分的广泛太阳光，并且受益于异质界面形成的内部电场而具有显著的光激发电荷分离/传输特性。[10] 因此，探索合适的组分来构建异质结构是提高太阳能转换效率的一种有效且简便的策略。如今，二维材料由于其高比表面积、[11] 大量的表面暴露原子、[12] 以及优异的机械、光学和电子性能，在光电器件、催化和太阳能转换领域引起了极大的研究兴趣。[13,14] 得益于层状结构特性，二维材料易于构建成异质结构。通常，二维异质结构包括垂直异质结构（其中各种二维材料层垂直堆叠）[15] 和横向异质结构（其中多个二维材料横向无缝缝合）。[16] 目前报道的二维异质结构大多
石墨烯纳米带中强激子效应的实验观察
摘要：具有原子级精确宽度和边缘结构的石墨烯纳米带 (GNR) 具有半导体特性和高载流子迁移率，是一类很有前途的光电子纳米材料。了解 GNR 中载流子产生的基本静态光学特性和超快动力学对于光电应用至关重要。结合太赫兹光谱和理论计算，我们报告了液相分散 GNR 中强激子效应，结合能高达 ∼ 700 meV，宽度为 1.7 nm，光学带隙为 ∼ 1.6 eV，说明了光生电子和空穴之间固有的强库仑相互作用。通过跟踪激子动力学，我们发现 GNR 中激子的超快形成具有超过 100 ps 的长寿命。我们的研究结果不仅揭示了 GNR 中激子的基本方面（强结合能和超快激子形成等），而且还突出了 GNR 在光电器件中的良好性能。关键词：石墨烯纳米带、激子、激子形成、激子结合能、太赫兹光谱 ■ 简介
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
纳米级
1.2 eV (间接、多层)，理论电子和空穴迁移率分别约为 250 和 270 cm 2 V − 1 s − 1。6 – 8 WSe 2 以其独特的物理性质为具有优异光电性能的多功能电子和光电子器件打开了大门。近年来，基于范德华 (vdW) 垂直异质结构或横向 p – n 异质结的新型人工结构在 WSe 2 光电器件应用中引起了极大的兴趣。9 – 14 例如，Jo 等人证明，通过三苯基膦 n 掺杂法显着提高了基于 WSe 2 /h-BN 的 p – n 异质结光电探测器的光响应度。 15 Guo 等人报道，由 p 型 WSe 2 和 n 型 ZnO 结合制成的 WSe 2 – ZnO p – n 异质结光电探测器在 405 nm 光照下表现出 4.83 × 10 3 AW − 1 的超高光响应度。16 Liu 等人报道，基于 WSe 2 – Bi 2 Te 3 p – n 异质结的光电探测器在 633 nm 光照下可产生约 210 μ s 的快速响应时间和约 20.5 AW − 1 的高光响应度。17