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通过金属-绝缘体-金属隧道结的非弹性隧穿 (LEIT) 发光是一种超快发射过程。它是在集成电路上实现从电信号到光信号的超快转换的有前途的平台。然而，现有的 LEIT 器件制造程序通常涉及自上而下和自下而上的技术，这降低了它与现代微加工流程的兼容性并限制了其在工业扩大规模中的潜在应用。在这项工作中，我们通过使用原子层沉积生长的多层绝缘体作为隧道屏障来解除这些限制。我们首次完全通过微加工技术制造 LEIT 器件，并在环境条件下表现出稳定的性能。在整个有源区域上观察到均匀的电致发光，发射光谱由金属光栅等离子体形成。在 LEIT 中引入多层绝缘体可以为设计隧道屏障的能带景观提供额外的自由度。所提出的制备稳定的超薄隧道势垒的方案也可能在广泛的集成光电器件中找到一些应用。
使用多层电驱动等离子体光栅实现均匀发光
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