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World File Search System电致发光
钙钛矿自旋发光二极管二极管具有同时高的电致发光不对称和高外部量子效率
在具有直接循环极化发射的发光二极管中，实现高电发光的非对称因子和高外部量子效率同时在发光二极管中具有挑战性。在这里，我们表明，基于手性钙钛矿量子点，可以同时在发光二极管中同时实现高发光的不对称因子和高外部量子效率。特定的，手性的钙钛矿具有手性诱导的自旋选择性可以同时用作局部的辐射辐射推荐中心，用于自旋极化载体的循环极化载体，从而抑制了旋转的放松，从而抑制了旋转的旋转，并改善了旋转的旋转，并促进了旋转的旋转效果，并促进了旋转的旋转效果，旋转了旋转的效果，供应型旋转效果。属性，以便可以促进产生设备的授权电源。我们的设备同时表现出高电致发光的非对称因子（R：0.285和S：0.251）和高外部量子效率（R：16.8％和S：16％），证明了它们在构建高表现性手性光源方面的潜力。
策略使用硼氮共价键来实现高性能窄带电致发光
基于此，作者进一步构建了窄带发射，高量子效率和低效率滚动特性的天蓝色OLED。值得注意的是，基于BCZBN-3B的OLED的最大外部量子效率为42.6％，为使用二进制发射层的OLED设备设定了新的效率记录。此外，在1000 cd m -2的亮度下，该设备仍保持30.5％的效率，显示效率较小。
来自HBN- ... 的纯共振状态的电致发光 下一代雄激素受体抑制剂的临床药代动力学和药效学-Darolutamide 灵活的内部学系统的组织 扩展了Boltzmann温度计的动态温度范围 高级制造的新欧洲计量网络 由阿尔茨海默氏病与瑞典淀粉样蛋白前体蛋白突变引起的神经毒性机制
宽频段晶体中的抽象缺陷中心对它们在光电和传感器技术中的应用中的潜力引起了人们的兴趣。然而，众所周知，由于钻石，碳化硅或氧化铝的高度绝缘晶体中的缺陷，由于其较大的内部耐药性，因此很难电气兴奋。为了应对这一挑战，我们意识到了基于十六角硼（HBN）的碳中心的垂直隧道连接处令人兴奋的缺陷范式。通过Van der Waals技术的设备的合理设计使我们能够升高和控制与缺陷到波段和intradefect的电致发光有关的光学过程。对隧道事件的基本理解是基于HBN中的谐振缺损状态之间电子波函数振幅转移到石墨烯中金属状态的，这导致由于组成材料的不同条带结构而导致电子特性的巨大变化。在我们的设备中，通过隧道通路的电子衰变与辐射重组竞争，由于特征性隧道时间在屏障的厚度和结构上具有显着的敏感性，导致载体动力学的可调性程度。这使我们能够实现Intrade的过渡的高耐高率电激发，超过了几个数量级，因此在子兰段式方案中光激发的效率。这项工作代表了通用且可扩展的平台的显着进步，用于使用宽带间隙晶体中的缺陷中心的电动设备，其特性通过在设备工程水平上激活不同的隧道机制进行调制。
R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR invertau 用荧光-QM 的时间分辨电致发光 使用拉曼光谱法的化学机械抛光（CMP）浆料中常见成分的定量分析
subμm光刻发展至少可以追溯到1983年，并于1986年进行了审查，当时该领域仍处于大学研究状态[2]。目标是实现具有尖锐侧壁的二维模式，其尖锐的侧壁明显小于常规光学方法的可能性，这些光学方法被光的波长确定和限制。不仅考虑了光孔构成重要的方法，而且还考虑了光孔本身产生所需模式的能力。在上述出版物中回顾了几种用于生成光刻图像的方案 - 光影影像学，接触光刻，全息光刻，电子束光刻，X射线光刻和离子光刻。强度降解
硅MOS电容器中的低压AC电致发光
低功率硅的光源和检测器在易于过程集成的情况下对芯片光子电路具有吸引力。然而，常规的硅发光发射二极管发射光子，该光子在带边缘附近的能量，相应的硅光dectors缺乏响应性。另一方面，先前报道的使用反向偏置二极管的热载体电发光硅设备需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下运行的硅金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化载体电容。在每个电压瞬变期间，在源接触的边缘创建大能带弯曲，远大于稳态下可实现的要素。结果，将电子和孔从单个源对相应的电压瞬变处的硅通道进行效率注入，然后它们随后经过影响电离电离和声子辅助的侧带重组。值得注意的是，我们通过使用20 nm厚的高j门电介质显示低压操作至2.8 V。我们可以通过减少栅极介电厚度来显示进一步的电压缩放，从而为硅光电集成电路提供一个低压平台。
用多色电致发光线发光的纺织品
电致发光线（适用于编织或针织）的进步为发光纺织品的开发打开了大门，推动了柔性和可穿戴显示器市场的增长。虽然直接在这些纺织品上绣上定制的设计和图案可以带来很大的好处，但机器刺绣的严格要求对这些线的完整性提出了挑战。在这里，我们展示了可刺绣的多色电致发光线（蓝色、绿色和黄色），它们与标准刺绣机兼容。这些线可用于将装饰图案缝制到各种消费织物上，而不会影响其耐磨性或发光能力。演示包括在消费产品上点亮特定信息或设计，并在头盔衬里上发出物理危害的紧急警报。我们的研究提供了一个全面的工具包，用于将发光纺织品集成到时尚的定制工艺品中，以满足各种柔性和可穿戴显示器的独特要求。
硅 MOS 电容器中的低压交流电致发光
低功耗硅基光源和探测器因其易于工艺集成而对片上光子电路具有吸引力。然而，传统的硅发光二极管发射的光子能量接近能带边缘，而相应的硅光电探测器缺乏响应度。另一方面，以前报道的利用反向偏置二极管的热载流子电致发光硅器件需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下工作的硅金属氧化物半导体电容器中的热载流子电致发光。在每个电压瞬变期间，源接触边缘都会产生较大的能带弯曲，远大于稳定状态下可实现的能带弯曲。因此，电子和空穴在相应的电压瞬变下从单个源接触有效地注入硅通道，随后它们在那里经历碰撞电离和声子辅助带间复合。值得注意的是，我们通过使用 20 nm 厚的高 j 栅极电介质展示了低至 2.8 V 的低压操作。我们表明，通过减少栅极电介质厚度可以进一步实现电压缩放，从而为硅光电集成电路提供低压平台。
太阳能光伏电致发光图像中的人工智能辅助电池级故障检测和定位
随着全球范围内太阳能的日益普及，人们对开发有助于提高制造和持续运营效率的系统产生了浓厚的兴趣。由于各种现实条件和流程，太阳能电池板在制造和运营过程中会出现故障。这项工作的目标是建立一个端到端故障检测系统，以根据太阳能电池板的电致发光 (EL) 成像来检测和定位太阳能电池板中的故障。如今，大多数故障检测都是通过手动检查 EL 图像进行的。为此，我们建议设计和实施一个端到端系统，该系统首先将太阳能电池板分成单个太阳能电池，然后将这些电池图像通过分类 + 检测管道，以识别故障类型并定位电池内的故障。我们提出了一种混合架构，其中包含多个 CNN 模型架构的集合，用于分类和检测。该集合能够服务于单晶和多晶太阳能电池板。所提出的系统有助于显著提高太阳能电池板的效率并降低保修和维修成本。我们使用开放的 EL 图像数据集展示了所提系统的性能，其电池级故障预测准确率达到 95%，召回率也很高。所提算法适用，并可扩展到使用 RGB、EL 或热成像技术的其他太阳能应用。
通过电致发光
在此，提出了一种通过电发光（EL）用于硅太阳能电池进行晚期串联抗性成像的方法。Haunschild等人的著名方法。被重新审视。由于较大的少数荷载载流子扩散长度和更薄的太阳能电池，因此显示扩散长度和EL信号之间线性关系的富崎假设不适用于硅设备。在这里使用Breitenstein得出的一种新关系。与Haunschild的原始方法相比，基于两个EL图像的串联电阻和饱和电流成像的更新方法表明，对比度的分离远远超过60％。使用高级方法，用于样品单元上突出特征的高级方法，由电阻图像中重组引起的不需要信号的对比度从0.89降低到0.44。由于电阻引起的对比度保持在同一水平。深色饱和电流密度图像在重组活动区域显示出20％的峰值，低5％。