Loading...
机构名称:
¥ 1.0

subμm光刻发展至少可以追溯到1983年,并于1986年进行了审查,当时该领域仍处于大学研究状态[2]。目标是实现具有尖锐侧壁的二维模式,其尖锐的侧壁明显小于常规光学方法的可能性,这些光学方法被光的波长确定和限制。不仅考虑了光孔构成重要的方法,而且还考虑了光孔本身产生所需模式的能力。在上述出版物中回顾了几种用于生成光刻图像的方案 - 光影影像学,接触光刻,全息光刻,电子束光刻,X射线光刻和离子光刻。强度降解

R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR invertau 用荧光-QM 的时间分辨电致发光 使用拉曼光谱法的化学机械抛光(CMP)浆料中常见成分的定量分析

R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR 
 invertau 
用荧光-QM 的时间分辨电致发光
使用拉曼光谱法的化学机械抛光(CMP)浆料中常见成分的定量分析PDF文件第1页

R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR 
 invertau 
用荧光-QM 的时间分辨电致发光
使用拉曼光谱法的化学机械抛光(CMP)浆料中常见成分的定量分析PDF文件第2页

R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR 
 invertau 
用荧光-QM 的时间分辨电致发光
使用拉曼光谱法的化学机械抛光(CMP)浆料中常见成分的定量分析PDF文件第3页

R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR 
 invertau 
用荧光-QM 的时间分辨电致发光
使用拉曼光谱法的化学机械抛光(CMP)浆料中常见成分的定量分析PDF文件第4页

R58E_48_FEATURE ARTICE_FRAN ADAR 
 invertau 
用荧光-QM 的时间分辨电致发光
使用拉曼光谱法的化学机械抛光(CMP)浆料中常见成分的定量分析PDF文件第5页

相关文件推荐

2024 年
¥1.0