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宽频段晶体中的抽象缺陷中心对它们在光电和传感器技术中的应用中的潜力引起了人们的兴趣。然而，众所周知，由于钻石，碳化硅或氧化铝的高度绝缘晶体中的缺陷，由于其较大的内部耐药性，因此很难电气兴奋。为了应对这一挑战，我们意识到了基于十六角硼（HBN）的碳中心的垂直隧道连接处令人兴奋的缺陷范式。通过Van der Waals技术的设备的合理设计使我们能够升高和控制与缺陷到波段和intradefect的电致发光有关的光学过程。对隧道事件的基本理解是基于HBN中的谐振缺损状态之间电子波函数振幅转移到石墨烯中金属状态的，这导致由于组成材料的不同条带结构而导致电子特性的巨大变化。在我们的设备中，通过隧道通路的电子衰变与辐射重组竞争，由于特征性隧道时间在屏障的厚度和结构上具有显着的敏感性，导致载体动力学的可调性程度。这使我们能够实现Intrade的过渡的高耐高率电激发，超过了几个数量级，因此在子兰段式方案中光激发的效率。这项工作代表了通用且可扩展的平台的显着进步，用于使用宽带间隙晶体中的缺陷中心的电动设备，其特性通过在设备工程水平上激活不同的隧道机制进行调制。
来自HBN- ... 的纯共振状态的电致发光 下一代雄激素受体抑制剂的临床药代动力学和药效学-Darolutamide 灵活的内部学系统的组织 扩展了Boltzmann温度计的动态温度范围 高级制造的新欧洲计量网络 由阿尔茨海默氏病与瑞典淀粉样蛋白前体蛋白突变引起的神经毒性机制
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