1。简介:attosond Electron动力学,Petahertz光电子和量子力学中的“损失时间”的问题370 2。量子力学中的严重问题:量子跳跃,不确定性关系和Pauli定理371 2.1 Bohr的理论,量子跳跃和时间测量的不确定性; 2.2 Pauli的定理3。量子力学中的时间面孔372 3.1内部和外部时间; 3.2作为量子可观察的时间和时间操作员; 3.3延迟时间4。mandelstam±tamm不确定性关系374 5。量子保真度和量子速度限制375 6。能量±时间不确定性,与时间有关的汉密尔顿人375 7。激光驱动的量子动力学376 8。不确定性关系和电子动力学的速度限制376 9。Keldysh参数和光电子的Petahertz极限378 10。mandelstam±Tamm的不确定性关系和量子进化的信息几何度量379 10.1量子演化的几何形状; 10.2量子保真度和渔民信息; 10.3不确定性关系和cram er±rao绑定11。量子速度极限的非量化性质381 12。热力学不确定性限制382 12.1信息指标和热力学不确定性; 12.2膜蛋白温度阈值的热力学极限13。结论383参考383
了解 Si(001) 上替代高 K 电介质的外延生长:应用于氧化镨。《真空科学与技术杂志》美国真空学会 B 官方杂志,微电子处理与现象,2003 年,21,1765。
Benjamen P. Reed* 1 , David J. H. Cant 1 , Steve J. Spencer 1 , Abraham Jorge Carmona-Carmona 2 , Adam Bushell 3 , Alberto Herrera-Gómez 2 , Akira Kurokawa 4 , Andreas Thissen 5 , Andrew G. Thomas 6 , Andrew J. Britton 7 , Andrzej Bernasik 8 , Anne Fuchs 9 , Arthur P. Baddorf 10 , Bernd Bock 11 , Bill Theilacker 12 , Bin Cheng 13 , David G. Castner 14 , David J. Morgan 15 , David Valley 16 , Elizabeth A. Willneff 17 , Emily F. Smith 18 , Emmanuel Nolot 19 , Fangyan Xie 20 , Gilad Zorn 21 , Graham C. Smith 22 , Hideyuki Yasufuku 23 , Jeffery Fenton 24 , Jian Chen 20 , Jonathan D. P. Counsell 25 , Jörg Radnik 26 , Karen J. Gaskell 27 , Kateryna Artyushkova 16 , Li Yang 28 , Lulu Zhang 4 , Makiho Eguchi 29 , Marc Walker 30 , Mariusz Hajdyła 8 , Mateusz M. Marzec 8 , Matthew R. Linford 31 , Naoyoshi Kubota 29 , Orlando Cortazar- Martínez2,Paul Dietrich 5,Riki Satoh 29,Sven L. M. Schroeder 7,Tahereh G. Avval 31,Takaharu Nagatomi 32,Vincent Fernandez 33,Wayne Lake 34,Wayne Lake 34,Yasushi Azuma 4,Yasushi Azuma 4,Yusuke Yusuke Yoshikawa 355,36,and Alexander G./alexander G.
在作为胶体量子点(CQD)产生的材料中,HGTE具有特殊的状态,是覆盖从可见光到THZ的整个红外范围的唯一材料(0.7-100μm)。这种独特的特性是由其电子结构产生的,结合了空气稳定性和电荷传导能力,在过去的二十年中产生了一致且庞大的效果,以产生和改善HGTE CQD。同时,HGTE CQD与中波红外的任何其他胶体替代品更先进,内容涉及其整合到高级光子和光电应用中。在这里,HGTE CQD相对于材料的生长,电子结构建模,其整合到光子结构中的最新发展及其作为从单个元素设备向复杂传感器和红外成像器的活动材料传递的传递。最后,还包括有关该材料对行业的潜力的讨论,还包括相对于材料和设备设计,在低技术准备水平的经济和生产方面增加了新的挑战。
半导体光电设备,能够以紧凑且高效的方式将电力转换为光线或相反的光线为电力,代表了有史以来最先进的技术之一,该技术具有广泛的应用范围内的现代生活。近几十年来,半导体技术已从第一代狭窄带隙材料(SI,GE)迅速发展为最新的第四代超宽带隙半导体(GAO,Diamond,Aln),其性能增强以满足需求的增长。此外,将半导体设备与其他技术合并,例如计算机辅助设计,最先进的微/纳米织物,新型的外延生长,已经显着加以促进了半导体Optoelectronics设备的发展。在其中,将元浮面和半导体的光电设备集成,为电磁反应的芯片控制打开了新的边界,从而可以访问以前无法访问的自由度。我们回顾了使用集成的跨侧面的各种半导体光电设备在芯片上控制的最新进展,包括半导体激光器,半导体光发射器,半导体光电镜像和低维度的半导体。MetaSurfaces与半导体的集成提供了晶圆级的超级反理解决方案,用于降低半导体设备的功能,同时还提供了实施实际应用中实现实际应用中的实用平台。
双眼立体视觉依赖于两个半球视网膜之间的成像差异,这对于在三维环境中获取图像信息至关重要。因此,与生物眼的结构和功能相似性的视网膜形态电子始终非常需要发展立体视觉感知系统。在这项工作中,开发了基于Ag-Tio 2纳米簇/藻酸钠纤维的半球光电磁带阵列,以实现双眼立体视觉。由等离子热效应引起的全光调制和Ag-Tio 2纳米群体中的光激发,以实现像素内图像传感和存储。广泛的视野(FOV)和空间角度检测是由于设备的排列和半球形几何形状的入射角依赖性特征而在实验上证明的。此外,通过构造两个视网膜形态的恢复阵列,已经实现了基于双眼差异的深度感知和运动检测。这项工作中证明的结果提供了一种有希望的策略,以开发全面控制的回忆录,并促进具有传感器内架构的双眼视觉系统的未来发展。
BACH 光束线通过在 EUV 软 X 射线光子能量范围内结合 PES 和 XAS 提供多光谱技术方法。该光束线提供可选的光偏振、不同环境和各种时间尺度下的高分辨率。此设置可以研究固体表面、界面、薄膜的电子、化学、结构、磁性和动力学特性。此光束线在单个终端站中提供的技术和光谱方法范围是独一无二的。此外,可以原位制备和生长 2D 层、薄金属和氧化物膜、分子层和金属有机结构等样品。
抽象的二维过渡金属二分元化是下一代光电学的领先材料,但是基本问题是商业化的基本问题。这些问题首先包括在低温下观察到的强烈低能量宽发光峰(L-PEAKS)的广泛争议的缺陷和应变诱导的起源。其次,氧气在通过化学吸附和物理吸附来调整性质中的作用很有趣,但挑战性地理解。第三,我们对六角硼(HBN)封装的益处的物理理解不足。使用一系列样品,我们将氧气,缺陷,吸附物和对单层MOS 2的光学性质的贡献解脱出来。与氧化样品相比,通过温度和功率依赖性的光致发光(PL)测量证实,对于氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)样品,与氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)的急剧红移相比,与脱氧于130 meV一起证实。 异常,O-CVD样品在室温(CF去角质)下显示出很高的A-EXCITON PL,但在低温下降低了PL,这是由于应变诱导的直接诱导的直接型带直接在低缺失的O-CVD MOS 2中。 这些观察结果与我们的密度功能理论计算一致,并由拉曼光谱学支持。 在去角质样品中,带电的O正常被识别为热力学上有利的缺陷,并创建差距态。 封装的有益作用源于减少带电的O Adatoms和吸附物。通过温度和功率依赖性的光致发光(PL)测量证实,对于氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)样品,与氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)的急剧红移相比,与脱氧于130 meV一起证实。异常,O-CVD样品在室温(CF去角质)下显示出很高的A-EXCITON PL,但在低温下降低了PL,这是由于应变诱导的直接诱导的直接型带直接在低缺失的O-CVD MOS 2中。这些观察结果与我们的密度功能理论计算一致,并由拉曼光谱学支持。在去角质样品中,带电的O正常被识别为热力学上有利的缺陷,并创建差距态。封装的有益作用源于减少带电的O Adatoms和吸附物。这项实验性理论研究发现了每个样品中缺陷的类型,使您可以理解缺陷,应变和氧对条带结构的综合作用,并丰富了我们对封装影响的理解。这项工作提出了O-CVD作为创建光电学高质量材料的一种方法。
交变磁体 MnTe 中的自旋电荷关联产生 THz 晶格和自旋动力学 New Journal of Physics 2020 , 22, 083029 Physical Review B 2021 , 104, 224424 Physical Review Materials 2023 , 7, 054601 Advanced Materials 2024 , 2314076