XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System写入
量子点自对准介电微球的光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
罗氏将 Ascidian 的 RNA 写入技术纳入其神经学领域
罗氏将与 Ascidian Therapeutics 合作，发现和开发针对神经系统疾病的新型 RNA 外显子编辑疗法，该交易价值可能高达 18 亿美元。这家总部位于马萨诸塞州波士顿的生物技术公司正在开创一种旨在重写外显子的新方法，外显子是 RNA 的编码部分，它们被拼接在一起作为信使 RNA，然后翻译成蛋白质。外显子的突变会导致 Ascidian 想要针对的功能失调的致病蛋白质。Ascidian 相信其平台可以为现有基因治疗和基因编辑技术无法解决的疾病创造疗法。许多基因的大小大且突变变异性高，使它们超出了现有基因编辑和碱基编辑方法的范围。其重点是设计和开发可以重写数千个 RNA 外显子的 RNA 外显子编辑疗法。该技术可以使其能够针对大基因和突变变异性高的基因，同时保持天然基因表达模式和水平。该公司表示，其目标是提供持久的一次性基因治疗，同时“大幅降低”与 DNA 编辑和操作相关的风险。外显子编辑分子足够小，可以装入 AAV 或其他病毒或非病毒载体，包括脂质纳米颗粒，并且这种疗法应该在“正确的时间、正确的细胞中”产生全长、功能性的蛋白质。
RRAM 的写入终止电路：从技术到应用考虑的整体方法
摘要 虽然电阻式随机存取存储器 (RRAM) 如今被视为未来计算的有前途的解决方案，但这些技术在编程电压、开关速度和实现的电阻值方面存在内在的可变性。写入终止 (WT) 电路是解决这些问题的潜在解决方案。然而，以前报道的 WT 电路并没有表现出足够的可靠性。在这项工作中，我们提出了一种工业上可用的 WT 电路，该电路使用根据实际测量校准的 RRAM 模型进行模拟。我们执行了大量 CMOS 和 RRAM 可变性模拟，以提取所提出的 WT 电路的实际性能。最后，我们使用从实际边缘级数据密集型应用中提取的内存痕迹来模拟所提出的 WT 电路的效果。总体而言，我们在位级别展示了 2 × 到 40 × 的能量增益。此外，由于采用了所提出的 WT 电路，我们展示了 1.9 × 到 16.2 × 的能量增益，具体取决于应用程序的内存访问模式。
激光写入金刚石中的氮空位中心用于量子计算
提交给华威大学攻读博士学位的论文 永久 WRAP URL：http://wrap.warwick.ac.uk/177304 版权和再利用：本论文在线提供，受原始版权保护。请向下滚动查看文档本身。请参阅此项目的存储库记录以获取帮助您引用它的信息。我们的政策信息可从存储库主页获取。有关更多信息，请联系 WRAP 团队：wrap@warwick.ac.uk
激光直接写入任意复杂聚合物微结构，氮氧化物介导的光聚合
Siham Telitel，Jason C Morris，Yohann Guillaneuf，Jean-LouisClément，Fabrice Morlet-Savary等。激光直接编写硝基氧化物介导的pho介导的聚合物微结构的激光撰写。ACS应用材料和界面，2020，12（27），pp.30779-30786。10.1021/ac-Sami.0C06339。hal-02997174
e2-nvm：一种内存感知的写入方案，可提高能源效率和使用变量自动编码器
为了克服NVM中的能耗和写入耐力问题，开发了两种方法。第一种方法开发基于硬件的写优化技术[1，10，15，23，46]，这些技术主要基于读取前写入（RBW）模式[52]。在RBW中，写入操作𝑤对存储位置的写操作始终先于读取。将𝑤书写的值与𝑥的旧内容进行了比较，并且只有不同的位。这减少了翻转位的数量，从而减少了能耗并增加了写入耐力[52]。第二种方法通过最大程度地减少写入放大[4，9，25，34，45，54]来解决能耗和写入耐力的问题。但是，这些方法将能效问题与写入放大问题相结合。在许多情况下，导致减少写入放大的技术具有提高能量效率和写入耐力的副作用，但这种情况并非总是如此，如先前的工作[6，26，27]所示，并且我们在本文中的评估。
利用激光写入器进行局部光漂白染料微结构化获得选择性光栅
1. 简介光学活性有机材料的图案化是众多涉及有机发射极的应用的关键特征。有机材料的图案化通常使用软光刻工艺实现 [1,2]，因为微电子领域中使用的传统光刻技术通常与敏感材料不兼容 [3]。尽管如此，软光刻通常需要复杂的层转移和表面化学，这取决于预想的器件结构。染料光漂白代表了一种替代的结构化方法。通常，光漂白被认为是有机发射极的限制 [4,5]。但是，可利用此特性来抑制染料的发射和吸收 [6]，这可用于控制染料特性以实现强耦合应用 [7]。在本文中，我们提出了一种基于染料层局部光漂白 [7,8] 的新方法，从而无需复杂的光刻处理即可获得微结构有机材料。此外，我们利用工业激光写入器对材料进行局部光漂白。与所有无掩模光刻方法（例如基于空间光调制器的光刻 [9,10]）一样，这种用途广泛的技术可以轻松制造任何类型的微结构平面几何形状。此外，光漂白方法的主要兴趣之一是它只改变吸收波长范围内的光学指数 [7]。因此，获得的结构强烈依赖于波长。为了验证我们方法的效率，我们建议将这一概念应用于制造不同形状和周期的波长选择性光栅。这种简单的加工技术可以作为先前描述的选择性波长光栅制造方法 [11–15] 的便捷替代方法，例如多重干涉 [11–13]、胆甾液晶 [14,15] 或等离子体系统 [16,17]。
与激光写入的金刚石波导耦合的单个硅空位中心的超泊松光统计数据
摘要：在单光子水平上修改光场是即将到来的量子技术面临的一个关键挑战，可以通过集成量子光子学以可扩展的方式实现。激光写入的金刚石光子学提供了与光纤技术相匹配的 3D 制造能力和大模场直径，尽管限制了单发射器级别的协同性。为了实现大的耦合效率，我们将通过高数值孔径光学器件激发单个浅植入硅空位中心与激光写入 II 型波导辅助检测相结合。我们展示了单发射器消光测量，协同率为 0.0050，相对 beta 因子为 13%。共振光子的传输揭示了从准相干场中减去单光子，从而产生超泊松光统计。尽管内在的协同性很低，但我们的架构使光场工程能够在单量子水平上进行集成设计。激光写入结构可以三维制造，并与光纤阵列具有自然连接性。关键词：激光写入、光子工程、集成量子光学、金刚石色心、量子发射器■ 简介
基于环状乙烯酮缩醛的新型高分辨率减色光刻胶配方，适用于 3D 直接激光写入
技术正在迅速发展，在新的方法和材料方面不断突破其极限。在这种情况下，3D（亚）微打印平台尤其令人感兴趣，因为它们可以制备具有高分辨率和任意复杂度的3D微纳米结构。这方面最有前途的技术之一是直接激光写入（DLW），[1,2]这是一种基于双光子聚合反应的增材制造技术，可用于获得高通量[3]和低于100纳米的分辨率的（亚）微米物体和图案。 [4]为实现此目的，DLW利用聚焦的长波长激光飞秒脉冲照射能够在高能辐射下交联的感光树脂。 [5]虽然树脂的吸收率与激光不匹配，但在焦点处，辐射强度足够高，以至于可能发生多光子吸收现象并引发聚合过程（或触发正性光刻胶的分解）。由于抗蚀剂对激光是透明的，因此打印仅发生在焦点周围非常小的体积内（“体素”，即二维“像素”的三维模拟）。通过移动后者，只需一个简单的步骤即可获得复杂的三维架构。由于其灵活性以及易于集成功能材料的可能性，DLW 已在 MEMS、[6] 光子学、[7] 表面改性、[8] 安全系统、[9] 和生物医学研究等领域找到了多种应用。[10,11]