Peng, L. (2012)。用于集成电路 3-D 堆叠的晶圆级细间距 Cu-Cu 键合。博士论文,南洋理工大学,新加坡。
1. 定义问题(identify and define problem) 2. 找寻资料(research the need or problem) 3. 发展解决方案(develop possible solutions) 4. 选择最佳方案(select the best possible solution) 5. 制作原型(construct a prototype) 6. 测试与评估(test and evaluate the solution) 7. 沟通方案(communicate the solution) 8. 再设计(redesign) 9. 完成(completion)
张洪先生是公司的执行董事兼控制股东。截至本公告之日起,张先生间接持有公司中约45.92%的股份。张先生还是东方工业的股东,间接持有其100%的股份。在此基础上,Orient Industrial是清单规则14A中规定的“合伙人”定义的合伙人,因此是公司的连接人员,SSIHL是公司的全资子公司。因此,股权采集构成了列表规则第14A章的连接交易。由于股权收购的所有适用百分比比率均为0.1%或更高,但低于5%,该交易受上市规则第14A章的报告和公告要求的约束,但免除了通函(包括独立财务建议)和股东批准的要求。
生活和环境科学计划具有教育,其中包括从分子到生态系统水平到生态系统水平的广泛基本领域以及一般应用生命科学的教育,包括农艺学。此外,该计划提供了跨学科的教育和研究活动,这些活动将人文/艺术和科学汇集在一起,超出了生命科学的界限。其均衡的课程涵盖了微型系统(分子,基因组等。),复杂系统(大脑,共生等)和宏观系统(生态系统,地球的外部大气等)。同时,该课程是为学生设计的,以在特定领域开发高水平的专业知识和研究能力。重点也放在多学科观点(涵盖医学,农业和生命工程的应用领域)和社会实施的观点上。该计划的目标是培训学生,研究人员,教育者或多学科领导者,他们具有整体观点,并且具有高水平的专业知识和研究能力。
按键键扫描由硬件自动完成,用户只需要按照时序读按键值。完成一次键扫需 要 2 个显示周期,一个显示周期大概需要 4ms ,在 8ms 内先后按下了 2 个不同的按 键, 2 次读到的键值都是先按下的那个按键的键值。 主机发送读按键命令后,开始顺序读取 5 字节的按键数据,读按键数据从低位 开始输出,某个按键按下时,其对应的按键数据字节内的 bit 位置 1 。
我们正在投入管理资源来扩大我们的业务并促进国际扩张。此次合资项目正是这样的一项举措。预计今后随着半导体市场的扩大,多晶硅的需求也将增加,我们与OCI成立合资公司,构建利用清洁能源的半导体用多晶硅的生产和供应体制,在抑制二氧化碳排放量增加的同时,加速扩大电子领域的事业。
a 电子和计算机技术系,卡塔赫纳理工大学,30202 卡塔赫纳,西班牙 b 马德里康普顿斯大学 Física Aplicada III 系,28040 马德里,西班牙 c 萨里大学离子束中心,吉尔福德 GU2 7XH,英国 d 研究所Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, 2686-953 Sacavém, 葡萄牙 e 南岸大学工程、科学和技术学院, 103 Borough Road, London SE1 0AA, United Kingdom
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术,但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟,但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许(部分)重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备,我们提出了一个新概念,即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后,直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤,并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量,键合的 50 µm 薄芯片数量众多,完全没有空隙。此外,通过消除切割胶带,减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑,从而实现超薄芯片处理。在本研究中,我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
Materials • Substrate: 200mm Silicon • Adhesion Promoter: AP9000C • Dielectric: CYCLOTENE TM 6505 Dielectric (positive tone) Bonding Evaluation 1) Priming with AP9000C: 200mm Wafer Track • 2000rpm spin coat, 150˚C/60sec 2) Spin Coat: 200 mm Wafer Track • 1250 rpm/45 sec targeting 5.5 um after development • 90˚C/90秒3)曝光工具:掩模对准器•ABCD面膜平方柱(1-300 UM功能)•20 UM接近差距4)曝光后延迟延迟:〜15分钟5)开发:200mm Wafer Track