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World File Search System功率较
Reploser备份功率的替代技术
任务1：记录当前的备份功率实践此任务旨在记录居住器备份功率的实用程序方法以及如何为控件提供功率。行业内有很大的差异，具体取决于运营商是通过SCADA控制还是通过完全自动化的恢复系统进行控制。该任务还将记录每个参与者实用程序用于备份功率的功能要求，用于不同的设备操作模式（集中或分散的自动化恢复，操作员控制的恢复等）。备份功率要求可能包括充电/放电特性，所需的备份时间，支持任何所需负载，操作所需的总能量以及环境考虑。
微波和毫米波功率射击
抽象的功率横梁是通过指令电磁梁在自由空间跨空间的有效的点对点传递。本文以简单的术语清楚地阐明了功率光束的基本原理，并提出了一种基准测试方法，用于改善功率光束系统和技术的比较评估。在过去60年中，在微波和毫米波（MMWave）实验演示中追踪全球进展的深入历史概述，表明了过去5年活动的显着增长。此外，对接收微波功率光束的可扩展Rectenna阵列的进度进行了综述，显示了新研究的足够成熟度，以启动该技术的坚固化，生产力和系统整合方面。对包括频谱管理和安全在内的监管问题的审查表明，需要其他技术解决方案和国际协调。Breaking results reported in this paper include 1) data from the first in-orbit flight test of a solar-to-RF “sandwich module”, 2) the construction of multiple US in-orbit demonstrations, planned for 2023 launch, that will demonstrate key technologies for space-based solar power, and 3) a 100-kW mmWave power beaming transmitter demonstrating inherent human life safety.
轨道2：核裂变功率和推进
最终NF-1测试（1973）的课程提供了有关开发碳化物材料所需的微观结构设计的关键见解。简要回顾了Lyon等2，这是对美国设计的碳化物燃料元件的最后测试，其中包括涂有ZRC和NBC（构成大多数测试单元）的复合石材元件。相对于复合石材元素的制造难度被突出显示。在两种材料中，冷却液通道完整性似乎都是优先事项。这是对较厚壁的制造和微观结构的重大挑战，有助于增加热梯度和相应的应力。与石墨中的（U，Zr）C相比，固定碳化物在FP气体引起的裂纹较少，减少导热率和强度。附加的优势是，从单个组件测试得出的2800-3100K时，预计的寿命为小时。然而，在碳化物元素中观察到的一个关键问题是纵向开裂，尤其是在1500-1800K的温度下，低于ZRC的可接受机械响应的发作。3
功率 MOSFET 芯片数据表
注：1.我们强烈建议客户在购买我们的产品时仔细检查商标，如果有任何问题，请随时与我们联系。 2.电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值。 3.深圳市稳先微电子有限公司保留对本规格书进行更改的权利，如有更改，恕不另行通知。 联系方式：深圳市稳先微电子有限公司 地址：深圳市福田区车公庙天安数码城高科技广场二期东座1002室 邮编：518040 电话：+86-755-8250 6288 传真：+86-755-8250 6299 网站：www.winsemi.com
功率 SiC MOSFET 在重复性
摘要 本文研究了商用平面和沟槽 1.2 kV 4H-SiC MOFSET 在重复非钳位电感开关 (UIS) 和短路 (SC) 应力下的可靠性。观察到器件特性的退化，包括传输特性、漏极漏电流 Idss 和输出特性。对 400 和 600 V 总线电压进行重复 SC 应力。应力期间总线电压的增加对测试器件的电气性能有更大的影响。在老化实验期间可能会发生热载流子注入和进入沟道区域栅极氧化物的捕获，这被认为是导致电气参数变化的原因。 关键词：可靠性、退化、SiC MOSFET、TrenchMOSFET、重复 UIS、重复短路 介绍 近年来，碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 制造技术已经相当成熟，因此，现在可以从不同的制造商处大量购买 [1]。由于其优异的性能，SiC 器件可用于更高温度、更高开关频率和更高功率密度的应用 [2-3]。尽管如此，在它们完全取代硅 (Si) 器件之前，稳健性和可靠性仍然是这些器件在过流、过温、短路和非箝位电感开关 (UIS) [5] 等多种极端工作条件下的主要问题 [3-4]。随着为降低成本而缩小芯片尺寸的趋势，雪崩稳健性和短路承受能力变得更加关键，因为它们对芯片尺寸设计非常敏感，因为芯片的最大能量密度是固定的。在 UIS 测试中，MOSFET 通常连接到没有反向并联续流二极管的电感，以在关闭器件时换向环路电流。因此，器件必须在工作阶段吸收先前存储在电感中的所有能量。因此，只要存储的能量足够高，MOSFET 就会进入雪崩模式，导致器件结温逐渐升高 [6]。在大电流雪崩操作期间，会产生高浓度的热载流子，这可能会导致界面和绝缘 (氧化物) 层的退化。
2021良好报告的功率
大流行的威胁强调了我们生态系统的微妙平衡和全球危机的灾难性影响。气候变化对人和经济构成更大的威胁。由人类活动引起的温室气体排放导致全球温度升高，这可能会引发对人类，自然和我们星球的不可逆转后果。我们需要将全球变暖限制为1.5°C，这意味着到2050年将排放量减少到零。通过使用可再生能源电气化来脱碳我们的能源系统是应对气候紧急情况的关键。已有39年的历史了，RES一直在努力创造一个未来，每个人都可以使用负担得起的零碳能源，同时也对我们的员工，利益相关者和我们运营的社区的生活产生积极影响。
L 波段超高功率
这些 L 波段隔离器和循环器专为固态功率放大器 (SSPA) 设计，用于航天器的通信、导航、雷达卫星和卫星有效载荷（GEO/MEO 和 LEO 星座），符合太空标准，在 1.57GHz 频率下可无多路复用至 1000 瓦峰值。Smiths Interconnect 的高功率隔离器和循环器采用固态 TNC 连接器，而隔离器采用内部生产的 50Ohm 终端。在内部，这些设备采用专有的多路复用抑制技术，为 SSPA 设计人员提供当前最小风险的操作，并为未来以更高功率运行提供途径。这些功能结合在一起，为最严苛的太空应用提供了高度紧凑、符合太空标准的解决方案。 L 波段设备是一系列机械变体的示例，这些变体在指定波段内运行，从 1.1 GHz（E5/L5）至 1.59 GHz（E1/L1）GNSS、1.2-1.4GHz EOS 和 2.0-2.3 GHz TT&C 波段。
Moonbeam - 光束的月球功率
我们的定向能量（DE）技术是紧凑，模块化，可扩展，高效且易于扩展的各种月球应用。使用以单模式或多模式与可调激光光电传感器（LPV）相结合的纤维耦合激光器可以实现约20％的总体端到端端效率，超过1公里。此外，将开发热电池以存储未转化为电能的能量的废热，从而使接收器的电气和热能合并的转换效率接近100％。
功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。