备注 2 : BV DSS 是指加在每个功率 MOSFET 源漏之间的极限最高电压,实际应用的时候,考虑到导线杂散电感的影响, V PN 必须足够小于 BV DSS
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本文介绍了功率循环测试台的最新进展,该测试台旨在在低 Δ TJ(>10 9 次循环,10 至 20°C)下执行非常高的循环次数。该测试台基于桥式逆变器的操作,其中功率器件是要测试的模块,并在实际条件(切换)下对功率芯片进行功率循环,具有很高的灵活性。该设备可以执行功率循环常规测试(低频,0.01Hz 至 0.1Hz)以及使用由 PWM 调制调整的中频(10Hz 至 100Hz)负载电流引起的温度变化进行快速测试。简要介绍了测试台,并通过使用红外摄像机对 1200V-75A IGBT 模块进行的热测量说明了现在可用的功率循环模式。最后,介绍了低温波动(10°C 和 20°C)下的老化测试结果。
通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板,无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证
• 先进轻型动力系统和混合动力分析 (ALPHA) 工具是一种全车模拟模型 • 我们“扫描”标准轿车的动力和燃油经济性之间的关系 • 通过尽可能保持不变,这可以避免样本选择问题 • 结果特定于该车型,但模式可能更具有普遍性 • 扫描中的变化:
摘要 本研究提出了一种能够有效、全面评估多种技术节点的CMOS工艺的功率-性能-面积(PPA)特性的方法。根据国际半导体技术路线图(ITRS),我们采用从180nm半节距节点到28nm节点的全尺寸缩小方法,设计并实现了一系列基准环形振荡器(RO)电路。同时,我们对基于六种低泄漏(LL)工艺:180nm、130nm、90nm、65nm、40nm和28nm工艺的RO电路进行了仿真、分析和版图设计。通过纵向分析和比较这六种工艺的PPA特性,可以更好地了解工艺质量,并得出一些可靠的结论来指导设计指标。所提出的方法和基准电路可以很好地扩展到未来的先进技术节点。关键词:集成电路(IC)、PPA、RO电路、CMOS工艺、PVT 分类:集成电路(存储器、逻辑、模拟、RF、传感器)
该报告所基于的主要证据是作者多次访问荷兰进行的数周进行密集的访谈。访问的单位和基地包括:布雷达的空军总部;战斗机中队和沃尔克尔(Volkel and Leeuwarden)的空中战斗司令部;吉尔兹·里昂(Gilze-Rijen)的直升机单位和直升机战争中心;海牙国防部所有三个服务的计划人员和主题专家都有一系列计划人员和主题专家;以及埃因霍温(Eindhoven)的空气流动力。这些访谈涉及多个等级的指挥官,高级官员,规划师和经营者,以及来自RNLAF的平民主题专家,以及与荷兰皇家陆军和海军的官员的少量专注采访。为了更广泛的上下文意识,作者还吸引了对一线中队的研究访问,并在2023年和2024年初对英国,瑞典,弗兰德,挪威,意大利,德国,加拿大,加拿大和美国的指挥官进行访谈。
PIST 失败 STPS20100 (QPL) 75% 80% 100% STPS1045 (QPL) 100% STPS6045 (QPL) 100% 75% STPS40100 (QPL) 70%* 75% 100% STPS3045 (NEW) < 50%** 50% 78% 78% 100% STPS20200 (NEW) 50% 75% 75% 100% STPS61170C (NEW) 40% 50% 76% 44% 59% STPS40H100 (NEW) 50% 65% 80% 75% 100% *2 部件通过 75% **未经测试