机构名称：
¥ 1.0
摘要 本研究提出了一种能够有效、全面评估多种技术节点的CMOS工艺的功率-性能-面积（PPA）特性的方法。根据国际半导体技术路线图（ITRS），我们采用从180nm半节距节点到28nm节点的全尺寸缩小方法，设计并实现了一系列基准环形振荡器（RO）电路。同时，我们对基于六种低泄漏（LL）工艺：180nm、130nm、90nm、65nm、40nm和28nm工艺的RO电路进行了仿真、分析和版图设计。通过纵向分析和比较这六种工艺的PPA特性，可以更好地了解工艺质量，并得出一些可靠的结论来指导设计指标。所提出的方法和基准电路可以很好地扩展到未来的先进技术节点。关键词：集成电路（IC）、PPA、RO电路、CMOS工艺、PVT 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
180nm 的功率、性能和面积评估...
主要关键词
相关文件推荐
