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基于180nm CMOS工艺的可配置4通道脑电信号采集模拟前端设计
摘要 – 本文提出了一种用于 EEG 信号记录的 4 通道模拟前端 (AFE) 电路。对于 EEG 记录系统，AFE 可以处理各种传感器输入，具有高输入阻抗、可调增益、低噪声和宽带宽。缓冲器或电流-电压转换器块 (BCV) 可设置为缓冲器或电流-电压转换器电路，位于 AFE 的电极和主放大器级之间，以实现高输入阻抗并与传感器信号类型配合使用。斩波电容耦合仪表放大器 (CCIA) 位于 BCV 之后，作为 AFE 的主放大器级，以降低输入参考噪声并平衡整个 AFE 系统的阻抗。可编程增益放大器 (PGA) 是 AFE 的第三级，允许调整 AFE 的总增益。建议的 AFE 工作频率范围为 0.5 Hz 至 2 kHz，输入阻抗大于 2 T Ω，采用 180nm CMOS 工艺构建和仿真。AFE 具有最低 100 dB CMRR 和 1.8 µVrms 的低输入参考噪声，可实现低噪声效率。该设计采用了 BCV 等新功能来增强输入多样性，与之前的研究相比，IRN 和 CMRR 系数表现出显着增强。可以使用该 AFE 系统获取 EEG 信号，这对于检测癫痫和癫痫发作非常有用。
180nm 的功率、性能和面积评估...
摘要 本研究提出了一种能够有效、全面评估多种技术节点的CMOS工艺的功率-性能-面积（PPA）特性的方法。根据国际半导体技术路线图（ITRS），我们采用从180nm半节距节点到28nm节点的全尺寸缩小方法，设计并实现了一系列基准环形振荡器（RO）电路。同时，我们对基于六种低泄漏（LL）工艺：180nm、130nm、90nm、65nm、40nm和28nm工艺的RO电路进行了仿真、分析和版图设计。通过纵向分析和比较这六种工艺的PPA特性，可以更好地了解工艺质量，并得出一些可靠的结论来指导设计指标。所提出的方法和基准电路可以很好地扩展到未来的先进技术节点。关键词：集成电路（IC）、PPA、RO电路、CMOS工艺、PVT 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
采用CMOS 180nm的前端光接收器设计...
1 电子与仪器工程系，1 Shri GS 理工学院，印度中央邦印多尔 摘要：本文介绍了采用 CMOS 180nm 技术设计的前端光接收器。完成原理图后，通过 Cadence Virtuoso 工具进行仿真。在本设计中，作者使用的电源为 1.8V，频率范围在 1Hz 至 10GHz 之间，获得了各种参数的结果，例如 20μA 偏置电流、宽高比 W/L、输入共模电压范围在 800mv 和 1.72volts 之间。测量了开环增益等各种参数之间的权衡，并测量了开环增益、相位裕度等参数之间的权衡。获得的总增益为 98 dB。本文报告了模拟结果。索引词：模拟电路、两级运算放大器、宽高比、180nm、光接收器、CADENCE。
180nm CMOS技术的低温表征...
采用传统 CMOS 工艺制造但在 4 K 及以下低温下工作的微电子器件最近引起了量子计算领域的关注，因为它们可用作精密控制器和低噪声放大器 [1,2]。这种将电子设备直接纳入低温环境而不是在室温下操作的方法可以在 CUORE（罕见事件地下低温观测站）等实验中提供类似的优势，CUORE 使用低温辐射热法来搜索无中微子双重 beta 衰变。CUORE 使用 TeO 2 晶体上的中子嬗变掺杂 (NTD) 热敏电阻来感应物理能量沉积引起的温度变化。目前，所有 CUORE 电子设备，包括用于偏置 NTD、放大信号和执行读出的电子设备，都在室温下运行 [3]。未来的带粒子识别的 CUORE 升级版 (CUPID) 计划利用为 CUORE 开发的通用低温基础设施，但其电子基础设施的升级正在考虑中 [4]。设计为在 4 K 或以下运行的 CMOS 微电子技术为 CUPID 中的信号前置放大提供了一种替代方法，可以降低电子噪声并引入适度的通道复用因子。到目前为止，在亚开尔文温度下对 CMOS 器件特性的测量很少，如果我们希望考虑使用它们在 CUPID 基准工作温度附近构建放大器和多路复用器，就必须了解这些特性。在本文中，我们介绍了 180 nm CMOS 技术在低至 100 mK 时的首次特性之一，这将用于指导这些器件的设计。