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World File Search System单晶
基于单晶 LiNbO3 的宽带 BAW 滤波器 ...
摘要—大带宽体声波 (BAW) 滤波器是第五代 (5G) 通信系统的迫切需求。在这项研究中，我们在多层氧化物薄膜上制备了 43 ◦ Y 切割铌酸锂 (LN) 单晶薄膜，并成功实现了带氧化物布拉格反射器 (BR) 的体声波滤波器。介绍了滤波器的设计方法和制造工艺。利用原子力显微镜 (AFM) 和扫描电子显微镜 (SEM) 来表征薄膜的质量。结果证明了将单晶薄膜转移到多层氧化物上的可行性，这对于限制声能是有效的。该谐振器的有效机电耦合系数为 14.6%，品质因数 (FOM) 为 32.94。该滤波器尺寸紧凑，为600 μ m×400 μ m，在中心频率为3.128 GHz时相对带宽为10.3%，有望应用于5G系统。
H和He离子在自支撑，单晶SIC箔
已经研究了h和he离子在SIC中的特定能量沉积。实验是在乌普萨拉大学（Uppsala University）350 KeV Danfysik植入器的飞行时间中型能量离子散射系统中在传输几何形状中进行的。目标是一个自支撑，单晶立方3C - SIC（100）箔，标称厚度为200 nm。将测得的停止跨第二次与文献和理论预测可用的数据进行了比较。随机几何形状的结果表明的值比SRIM对H弹丸预测的值略低，而对于HE弹丸，在所研究的整个能量范围内观察到了良好的一致性。对于所有测得的能量以及H和HE离子，与通道几何形状相比，沿随机轨迹观察到更高的特异性能量损失。对于H离子，差异很小，而对于He离子，通常发现它们更为明显。
ZnGa2O4(100)单晶表面电子结构的实验和理论研究
因此，对于应用而言，非常需要一种带隙与 β -Ga 2 O 3 一样宽但对称性更高的材料。最近，Galazka 等人报道了块体熔融生长的高结构质量 ZnGa 2 O 4 (ZGO) 单晶，可由其制备不同取向的绝缘和半导体晶片。[11,12] ZGO 结晶为立方尖晶石结构（Fd3m 空间群），如图 1 中的球棒模型所示。尖晶石是指一类化学式为 AB 2 X 4 的化合物，其中 A 是二价阳离子，如 Zn，B 是三价阳离子，如 Ga，X 是二价阴离子，如 O。在 ZGO 的正常尖晶石结构中，Zn 占据四面体位置，而 Ga 占据八面体位置。在高温熔体生长过程中，八面体和四面体位置的占据是随机的。[11] 长时间冷却可稳定正常尖晶石结构，而较短的冷却时间会引入反位缺陷。反位缺陷导致 n 型导电性，自由电子浓度在 10 18 – 10 19 cm 3 的数量级上。在氧化气氛中以 800 – 1400 C 的温度进行 10 小时的生长后退火或在 700 C 的温度进行 40 小时的生长后退火后，ZGO 晶体可转变为绝缘状态。[11 – 13] 由于其立方尖晶石结构，ZGO 具有各向同性的热性能和光学性能。发现 ZGO 的光学带隙为 4.6 eV，接近 β -Ga 2 O 3 的光学带隙，并且没有观察到优选的解理面。[11,12]
X 射线诱导 MAPbBr3 单晶光物理性质的改变
摘要：甲基铵三溴化铅 (MAPbBr 3 ) 钙钛矿单晶被证明是出色的直接 X 射线和伽马射线探测器，具有出色的灵敏度和低检测限。尽管如此，对于高剂量电离辐射对这种材料的光物理影响的深入研究仍然缺乏。在这项工作中，我们介绍了关于受控 X 射线辐照对 MAPbBr 3 单晶光电特性影响的研究结果。使用成像 X 射线管在空气中进行辐照，模拟医疗设施中的实际应用。通过表面光电压谱，我们发现 X 射线照射会猝灭材料中的自由激子并引入新的结合激子物质。尽管有这种剧烈的影响，但晶体在黑暗和低湿度条件下储存 1 周后会恢复。通过 X 射线光电子能谱，我们发现新束缚激子物种的起源是溴空位的形成，导致材料介电响应的局部变化。恢复效应归因于大气氧和水对空位的填充。关键词：混合铅卤化物钙钛矿、甲基铵溴化铅、电离辐射、表面光电压谱、X 射线光电子能谱、激子
通过金属有机分解制备的单晶钇铁石榴石纳米薄膜中的铁磁共振
1 Vida Products, Inc.，美国加利福尼亚州罗纳特公园 94928 2 加州大学伯克利分校，美国加利福尼亚州伯克利 94720 3 内布拉斯加大学林肯分校物理与天文系，美国内布拉斯加州林肯 68588 4 劳伦斯伯克利国家实验室分子铸造厂，美国加利福尼亚州伯克利 94720 5 劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部，美国加利福尼亚州伯克利 94720 6 加州大学圣克鲁斯分校物理系，美国加利福尼亚州圣克鲁斯 95064 7 劳伦斯伯克利国家实验室分子铸造厂国家电子显微镜中心，美国加利福尼亚州伯克利 94720 8 长冈工业大学材料科学与技术系，日本新泻长冈 940-2188 9科罗拉多州立大学，科罗拉多州柯林斯堡 80523，美国 10 斯坦福大学 Geballe 先进材料实验室，加利福尼亚州斯坦福 94305，美国 11 斯坦福大学应用物理系，加利福尼亚州斯坦福 94305，美国 12 奥本大学电气与计算机工程系，阿拉巴马州奥本 36849，美国 13 高折射率光学公司，加利福尼亚州海沃德 94545，美国 14 内布拉斯加大学林肯分校内布拉斯加材料与纳米科学中心，内布拉斯加州林肯 68588，美国 15 圣克拉拉大学电气与计算机工程系，加利福尼亚州圣克拉拉 95053，美国
从头算预测 L-精氨酸和 L-缬氨酸单晶的能量收集性能
生物压电材料因其作为环境友好型能量收集材料的巨大潜力而开始受到关注。特别是，简单的氨基酸和肽晶体组件在施加力的情况下表现出大的电压输出，并且在检测振动时具有高灵敏度。在这里，我们利用密度泛函理论 (DFT) 计算来定量预测两种研究不足的蛋白质氨基酸晶体的能量收集特性：L-精氨酸和 L-缬氨酸。这项工作强调了量子力学计算筛选晶体作为高性能能量收集器的能力，并展示了小生物晶体作为环境友好型压电材料的能力。预计 L-精氨酸的最大压电电压常数为 g ij 274 mV m/N，杨氏模量为 E 17.1 GPa。 L-缬氨酸的最大预测压电电压常数为g ij 62 mV m/N，计算的杨氏模量为E 19.8 GPa。
单晶PTSE2中的高载体移动性...
PTSE 2吸引了相当大的关注，这是一种高迁移率二维材料，并在微电子，光电检测和旋转三位型中进行了设想的应用。高质量PTSE在具有晶圆尺度均匀性的绝缘基板上的生长是电子运输调查和设备中实际用途的先决条件。在这里，我们报告了由分子束外延在ZnO（0001）上高度定向的几层PTSE 2的生长。膜的晶体结构具有电子和X射线衍射，原子力显微镜和透射电子显微镜。与石墨烯，蓝宝石，云母，SIO 2和PT（111）上生长的PTSE 2层的比较表明，在绝缘底物中，ZnO（0001）产生了具有优质结构质量的膜。在室温下，在室温下，在室温下，在200 cm 2 v -1 s -1超过200 cm 2 v -1 s -1的外部ZnO/PTSE 2上进行的HALL测量值显示出明确的半导体行为，低温下的较高迁移率在低温下。
氢键增强的胺-丙烯酸酯液晶单晶弹性体
单畴（永久取向的“单晶”）液晶驱动通常是获得人造软材料类似肌肉驱动的关键方案。[1–3] 然而，由于聚合物弹性体的各向同性，这种物理上偏置的分子结构的需求给经典的合成聚合物弹性体带来了技术挑战。1991 年，Finkelmann 等人 [8] 引入了一种两阶段氢化硅烷化方法，并报道了第一个成功的具有独立驱动功能的“向列液晶单晶弹性体”。在这种方法中，其本质一直是随后二十年制造单畴液晶驱动的首选方案，对轻度交联的凝胶施加单轴机械延伸，以建立内部单轴取向场，然后进行进一步（第二阶段）固化以永久固定该取向。然而，这种方法在实践中非常困难，因为半固化凝胶本身具有机械脆弱性，需要充分拉伸才能实现取向。这降低了液晶元件在不断扩展的变形和驱动应用中的可用性。为了实现更复杂的液晶取向模式并规避分阶段固化问题，人们开发了其他基于外部场的技术，特别是表面取向 [9–12] 和动态键交换。[13–20] 基板的多样化像素定义表面使驱动模式的扩展成为可能，而不仅仅是简单的收缩-伸展。尽管进行了功能化，但材料的规模仍然受到特定基板的限制，并且表面穿透液晶元件本体的深度有限，使得该方法在技术上不足以进行大规模制造。因此，对于通用且灵活的液晶元件制造，机械拉伸仍然是生产多功能功能形式的单畴液晶元件的最简单策略。例如，鉴于聚合物纤维加工方法的成熟，这在编织纤维中尤为突出。人们希望有除氢化硅烷化之外的新化学方法，以便进行稳健的反应和方便的机械排列方式。近年来，二丙烯酸酯反应性液晶原（如 RM257 和 RM82）的商业化供应已成为 LCE 领域的强大推动力，考虑到涉及二丙烯酸酯的一系列良性反应，它提供了一种令人满意的替代方案。特别是，
高稳定性三元单晶……
摘要：研究了基于原位形成的亚胺连接低聚物的各种坚固、结晶和多孔有机骨架。这些低聚物通过液-液界面反应通过协同的分子间氢键相互作用进行自组装。可溶性低聚物是具有多个未反应醛基的动力学产物，这些醛基充当氢键供体和受体，并引导所得低聚物组装成 3D 骨架。坚固的共价键和高度可逆的氢键的顺序形成增强了长程对称性并促进了大单晶的生成，其结构可通过单晶 X 射线衍射明确确定。独特的分级排列增加了亚胺键的空间位阻，从而阻止了水分子的攻击，大大提高了稳定性。骨架中的多个结合位点使得能够快速封存水中的微污染物。
单晶合成及特性... - NSF-PAR
Si 24 是一种新型开放框架硅同素异形体，在环境条件下处于亚稳态。与间接带隙半导体金刚石立方硅不同，Si 24 具有接近 1.4 eV 的准直接带隙，为光电和太阳能转换设备带来了新机遇。先前的研究表明，Na 可以从高压 Na 4 Si 24 前体的微米级颗粒中扩散，在环境条件下生成 Si 24 粉末。值得注意的是，我们在此证明 Na 在大型 (~100 µm) Na 4 Si 24 单晶中保持高度移动性。在真空条件下轻轻加热 (10 -4 mbar，125 °C)，Na 很容易从 Na 4 Si 24 晶体中扩散出来，并可进一步与碘反应生成大型 Si 24 晶体，经波长色散 X 射线光谱测量，该晶体的硅含量为 99.9985 at%。 Si 24 晶体在 1.51(1) eV 处显示出尖锐的直接光学吸收边，带边附近的吸收系数明显大于金刚石立方硅。温度依赖性的电输运测量证实了从金属 Na 4 Si 24 中除去 Na 可得到 Si 24 的单晶半导体样品。这些光学和电学测量提供了对关键参数的深入了解，例如来自残留 Na 的电子供体杂质水平、减少的电子质量和电子弛豫时间。在块体长度尺度上有效除去 Na 和单晶 Si 24 的高吸收系数表明这种材料有望以块体和薄膜形式使用，并有望应用于光电技术。