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pr4ni3o10单晶中的非粉状超导性...
在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
ZnGa2O4(100)单晶表面电子结构的实验和理论研究
因此，对于应用而言，非常需要一种带隙与 β -Ga 2 O 3 一样宽但对称性更高的材料。最近，Galazka 等人报道了块体熔融生长的高结构质量 ZnGa 2 O 4 (ZGO) 单晶，可由其制备不同取向的绝缘和半导体晶片。[11,12] ZGO 结晶为立方尖晶石结构（Fd3m 空间群），如图 1 中的球棒模型所示。尖晶石是指一类化学式为 AB 2 X 4 的化合物，其中 A 是二价阳离子，如 Zn，B 是三价阳离子，如 Ga，X 是二价阴离子，如 O。在 ZGO 的正常尖晶石结构中，Zn 占据四面体位置，而 Ga 占据八面体位置。在高温熔体生长过程中，八面体和四面体位置的占据是随机的。[11] 长时间冷却可稳定正常尖晶石结构，而较短的冷却时间会引入反位缺陷。反位缺陷导致 n 型导电性，自由电子浓度在 10 18 – 10 19 cm 3 的数量级上。在氧化气氛中以 800 – 1400 C 的温度进行 10 小时的生长后退火或在 700 C 的温度进行 40 小时的生长后退火后，ZGO 晶体可转变为绝缘状态。[11 – 13] 由于其立方尖晶石结构，ZGO 具有各向同性的热性能和光学性能。发现 ZGO 的光学带隙为 4.6 eV，接近 β -Ga 2 O 3 的光学带隙，并且没有观察到优选的解理面。[11,12]
基于石墨烯和独立单晶 BaTiO3 的超薄压电谐振器
5G 滤波器。[1] 特别是，独立薄膜体声波谐振器 (FBAR) 已被广泛用作 5G 频段的首选滤波器技术。FBAR 滤波器由夹在电极之间的压电材料薄膜组成，其呈电容器形状，悬浮在腔体上方。最先进的 FBAR 滤波器的厚度需要减小以满足不断增加的电信通信频率的要求，因为谐振频率与厚度成反比。然而，缩小当前设备几何形状具有挑战性，这不仅是因为制造这种超薄悬浮异质结构的复杂性，还因为多晶陶瓷的压电性能 [2,3] 和击穿电压会降低。[4,5] 此外，实现具有足够高电导率和低质量的纳米厚度均匀电极变得越来越困难。在这里，我们研究了独立的结晶复合氧化物作为替代材料平台，它可以减轻上述一些缺点并提高谐振滤波器的性能。众所周知，单晶比多晶具有更大的电介质击穿电压 [6]，而 BTO 和 PbZr x Ti 1 − x O 3 (PZT) 等材料比常用的 AlN 具有更高的压电系数，因此可以在薄膜形式下处理更高的电压和功率密度。此外，超薄独立形式的单晶复合氧化物具有机械强度 [7]，可承受高达 8% 的大应变，[8–10] 具有足够的柔韧性以允许较大的曲率 [11]，并且已经被证明是可行的纳米机械谐振器。 [12–14] 同时，电极也需要缩小尺寸，以支持 5G 和 6G 应用的高 GHz 频率。在这方面，石墨烯是一种理想的电极材料。石墨烯可将电传导至单原子层，[15] 具有超高迁移率，[16,17] 机械强度高，[18,19] 能够承受大应变 [20]，并且已证明可支持高达 300 GHz 的工作频率。[21] 因此，石墨烯在各种纳米机电系统 (NEMS) 应用中的使用已得到广泛探索。[22–29]
电子应用的单晶钻石上的石墨烯：简短的评论
电载体及其高热分率[8]和机械功能使石墨烯高度用途。结合钻石和石墨烯的显着性在于具有最好的两者的可能性：钻石的绝缘和热散热性能以及墨料的出色电气特性。钻石表现出165 MeV的高光音子能量。[9]此属性对于钻石上的石墨烯设备可能至关重要，因为石墨烯层中的载流子迁移率通常受到源自底物的光学声子散射的限制。高光学声子能量意味着在RT处很少有光学声子，导致低散射速率。与常规的SIO 2 /Si和SIC相比，DIAMOND作为底物的其他好处包括其具有较低陷阱密度的化学惰性表面。作为钻石上石墨烯设备的底物，由于其可伸缩性可能性和较低的缺陷密度，化学蒸气沉积（CVD）钻石优于高压高温（HPHT）。[10]石墨烯和钻石的非凡特性引起了人们对将这些材料集成到电子和量子应用中的兴趣。[11]
PdTe2单晶中具有角度依赖性的量子振荡
(0) m AT = + 数据。(b) 施加磁场 H =1 kOe 测得的沿 ab 平面 ab（红色）和 c 轴 c（蓝色）的磁化率与 T 的依赖关系。(c) 指定温度下的横向磁阻 MR ab；(d) 使用图 (c) 中的数据生成的科勒缩放图。实线是科勒形式与数据的拟合。(e) 在 2 K 下，对于 H // c 和 H // ab 之间的各种角度（角度在插图中定义），最高 35 T 的 MR ab 。红线表示 10 T 以上的数据与幂律 MR H 的拟合。插图：指数 κ 的角度依赖性。(f) 图中所示温度下测得的霍尔电阻率 (ρ H ) 和相应的方程 (2) 拟合值（红线）。插图：25 K 时的霍尔电阻率显示符号变化。
X 射线诱导 MAPbBr3 单晶光物理性质的改变
摘要：甲基铵三溴化铅 (MAPbBr 3 ) 钙钛矿单晶被证明是出色的直接 X 射线和伽马射线探测器，具有出色的灵敏度和低检测限。尽管如此，对于高剂量电离辐射对这种材料的光物理影响的深入研究仍然缺乏。在这项工作中，我们介绍了关于受控 X 射线辐照对 MAPbBr 3 单晶光电特性影响的研究结果。使用成像 X 射线管在空气中进行辐照，模拟医疗设施中的实际应用。通过表面光电压谱，我们发现 X 射线照射会猝灭材料中的自由激子并引入新的结合激子物质。尽管有这种剧烈的影响，但晶体在黑暗和低湿度条件下储存 1 周后会恢复。通过 X 射线光电子能谱，我们发现新束缚激子物种的起源是溴空位的形成，导致材料介电响应的局部变化。恢复效应归因于大气氧和水对空位的填充。关键词：混合铅卤化物钙钛矿、甲基铵溴化铅、电离辐射、表面光电压谱、X 射线光电子能谱、激子
超薄单晶金中的超快热载流子动力学
光电探测、光化学、活性超材料和超表面等应用需要从根本上理解金属纳米系统中的超快非热和热电子过程。低损耗单晶金的合成和研究最近取得了重大进展，为其在超薄纳米光子结构中的应用开辟了机会。在这里，我们揭示了单晶和多晶超薄（厚度低至 10 纳米）金膜之间热电子热化动力学的根本差异。弱激发和强激发状态的比较展示了中观金中热化和非热化电子动力学之间违反直觉的独特相互作用，以及 X 点带间跃迁对带内电子弛豫的重要影响。我们还通过实验证明了热电子转移到基底中以及基底热性质对超薄膜中电子-电子和电子-声子散射的影响。测量到单晶金向 TiO 2 的热电子注入效率接近 9%，接近理论极限。这些实验和建模结果揭示了结晶度和界面对众多应用中重要的微观电子过程的重要作用。
从 Fe-Cr 熔剂中生长单同位素六方氮化硼单晶
六方氮化硼 (hBN) 是一种重要的绝缘体，被纳入众多二维电子、光电和光子器件中。天然 hBN 是 20% 10 B 和 80% 11 B 同位素的混合物，而单同位素 hBN 则是一种仅含单一硼同位素（10 B 或 11 B）的变体。因此，单同位素 hBN 具有更高的热导率和更强的中子吸收率（就 h 10 BN 而言），使其非常适合用作中子探测器、纳米柔性电子设备中的热管理材料和基于声子极化的纳米光子学。在这里，我们使用含有单一硼同位素和氮的硼粉合成了近似单同位素的 hBN，并在大气压下从 Fe-Cr 金属熔剂中生长出单晶。剪切（≤1.3 cm -1 ）和层内（≤3.3 cm -1 ）模式的拉曼峰较窄，表明晶体高度有序。在光致发光光谱中，声子辅助跃迁峰的存在也表明晶体质量很高。这种生长方案使我们能够消除 4.1 eV 处的发射。这项工作为研究同位素效应的基本特性和高性能 hBN 器件提供了一种新材料。
红荧烯单晶太阳能电池及结晶度对界面复合的影响
单晶研究有助于更好地了解有机光伏器件的基本特性。因此，在这项工作中，厚度为 250 nm 至 1000 nm 的红荧烯单晶被用于生产倒置双层有机太阳能电池。接下来，研究了与单晶厚度相同的多晶红荧烯（正交、三斜）和非晶双层太阳能电池，以进行跨平台比较。为了研究单晶、多晶（三斜-正交）和非晶形式如何改变红荧烯/PCBM 界面处的载流子复合机制，进行了光强度测量。具有不同形式的红荧烯的有机太阳能电池中 JSC、VOC 和 FF 参数的光强度依赖性。除了双分子复合外，在采用非晶态和多晶态红荧烯的器件中还观察到单分子（Shockley Read Hall）复合，而由于供体受体界面的陷阱状态减少，单晶器件受陷阱辅助 SRH 复合的影响较小。迄今为止，这项提议的研究是唯一一项系统研究由不同结构形式的红荧烯制成的有机太阳能电池中的传输和界面复合机制的研究。