XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System单晶
单晶 AlN 的干法和湿法蚀刻
氮化铝 (AlN) 的带隙能量为 6.28 eV，可以生长为直径最大 4 英寸的高质量块状晶体，并伴有约 15 MV cm − 1 的高击穿场。1 – 8 这些固有特性使 AlN 成为军用和民用电力及极端环境电子设备等各种应用的有希望的候选材料，包括高温、高辐射暴露、直流微电网、脉冲功率武器和在极端条件下运行的系统，以及高压直流 (HV-DC) 电网内的开关和传输。1、2、8 – 12与窄带隙半导体相比，AlN 在高温和高功率下表现出优异的性能。在功率开关应用中，这种超宽带隙 (UWBG) 半导体表现出减小的电阻能量损耗，有可能用单个器件取代复杂的堆叠配置。 2、5、6、8 此外，在射频应用中，它们有助于开发射程更远、功能更强大的雷达系统，并有望应用于定向能系统。1、2、8 目前的研究重点是控制掺杂和实现用于垂直功率整流器的厚（>10μm）轻掺杂外延结构。4、7、9、11、13-16 为了充分利用这种材料的优势，体相和外延技术的发展
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
单晶金属膜的近距离升华
单晶金属纤维的成本效益，多功能和快速沉积对于从催化，等离子体，电化学和光电子学到模板，外延底物和集成纳米制造的广泛应用至关重要。高晶体质量通常意味着低增长率，这使得通过常规方法实现超过1 µm的厚度的挑战。我们显示了MGO底物上表面纳税单晶Au，Ag和Cufim的宽敞空间升华。我们在小于1H的厚度中证明了10 µm的厚度，同时在一系列低索引晶体膜方向上保持低5 nm RMS的表面粗糙度。我们表明，可以通过基于“视线”升华的简单模型来捕获结果，该模型可作为预测工具，并提供了讨论更广泛的潜力以及这种方法的局限性的基础。
为超敏光检测的单晶紫磷制造
紫罗兰色磷（VP）因其独特的物理化学特性和光电应用中的潜力而引起了很多关注。尽管VP具有类似于其他2D半导体的范德华（VDW）结构，但在底物上直接合成VP仍然具有挑战性。此外，尚未证明由无转移VP akes组成的光电设备。在此，一种二辅助蒸气相传输技术旨在直接在SIO 2 /Si底物上生长均匀的单晶VP Akes。晶体VP平均的大小比以前的液体脱落样品大的数量级。用VP Akes制造的光电探测器显示出12.5 A W - 1的高响应性，响应/恢复时间为3.82/3.03 ms，暴露于532 nm光线后。此外，光电探测器显示出对高敏化光检测有益的小黑电流（<1 pa）。结果，探测率为1.38×10 13琼斯，与VDW P – N异质结探测器的检测率相当。结果揭示了VP在光电设备中的巨大潜力以及单晶半导体薄膜生长的CVT技术。
纳瓦布沙阿户外条件下半切双面PERC单晶光伏组件的电气特性
摘要：光伏组件通常在标准测试条件下的实验室中进行额定值和测试。由于环境条件和运行参数的随机性，例如目标位置的地形、坡度、方向、海拔、反照率和现有技术，此类条件无法在室外维持。由于双面组件能够从正反两面发电，其背面对发电量的影响仍不确定。本研究旨在通过实验分析和预测纳瓦布沙阿室外条件下半切双面PERC单晶光伏(PV)组件的电气特性。为此，我们在一栋部门大楼上方安装了一套实验系统，用于数据记录和分析。使用测光表(HD-2302)测量研究地点的太阳总辐射(Grad)，并使用数字风速计PROVA AVM-05测量环境温度(Ta)、风速(Ws)和相对湿度(Rh)。使用PROVA-1101记录组件正反两面的电气特性。这些数据是在2023年2月至6月的五个月内，从上午9:00到下午4:00，每小时一次持续收集的。此外，我们还使用了不同的现有模型，根据记录数据预测双面光伏组件的电气特性。在分析期间，我们观察到组件正面产生了约91%的输出功率，而背面则占9%。我们发现，Evan-Florschuetz模型方程更适合预测双面组件的效率，因为它基于测量数据的误差更小。关键词：环境温度、半切双面光伏组件、湿度、统计分析、太阳辐射、风速。
单晶中子衍射数据还原和分析的最新进展
cao H.B.，Chakoumakos B.C.，Andrews K.M.，Wu Y.，Riedel R.A.，Riedel R.A.，Hodges J.P.，Zhou W.，Gregory R.，Haberl B.，Haberl B.，Molaison J.J.，Lynn G.W.，需求，需求，需求，一个极端磁性中子差异的高度固定型，高纤维纤维，高纤维液，高度fllactoper 9 9
基于 Si/SiGe 的单晶体管存储器...
存储单元：• 可能实现高能效、可扩展性和集成密度，• 将与 CMOS 集成用于控制和读出电子设备 - 根据量子计算的需求设计和制造存储阵列，旨在满足需要在宽温度范围内操作的神经形态计算应用。
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
